SiGe HBT基区渡越时间模型

建立了SiGe HBT基区渡越时间模型,该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布,以及器件在小电流到大电流密度下的应用,模拟结果表明：基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响。     

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

在已有的SiCe HBT基区渡越时间模型的基础上，考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系．结果表明：大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间，基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用．     

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.     

SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化

建立了ＳｉＧｅＨＢＴ基区渡越时间与基区Ｇｅ组分任意剖面分布的分析模型,模拟分析了它们之间的关系,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ｇｅ组分剖面函数,结果表明,优化的Ｇｅ组分剖面在基区吉处正比于ｘ＾２增加,到ｘ０点时,Ｇｅ组分达峰值,并保持到收集结处,α是大于１的数,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小,ｘ０随基区禁带变化量的增另而向收集结方向移动。     

基于扩展卡尔曼滤波的超声波渡越时间估计

提出了一种基于扩展卡尔曼滤波的、适用于双回波重叠情况的超声波渡越时间估计方法。利用现有的单回波包络的经验模型,推导出了对应于双重叠回波包络的理论模型,并利用扩展卡尔曼滤波对其进行参数估计,以达到精确估计渡越时间的目的。由于两个回波的时间差和相位差对回波包络形状影响较大,因此对不同时间差和相位差条件均进行了仿真实验。实验结果表明:本方法能够准确地估计两个回波的渡越时间,并具有较高的抑制噪声能力。     

互相关流量测量的原理及算法研究

相关流量测量技术在解决多相流和困难流体的流量测量问题中具有很大的优越性,超声波互相关流量测量方法的研究是多相流流量测量领域最活跃的研究领域之一。中介绍了利用互相关法进行流量测量的基本原理,对实现渡越时间测量的三种算法的优缺点进行了具体分析,得出在运用极性互相关算法时,只有将信号量化的＋1、－1两个对称值才可行,并给出具体的计算极性互相关函数的公式,制造出超声波互相关流量测量装置。在紊流状态下（雷诺数的范围为2000－20000）进行单相流流量测试与标准装置比较,系统误差不超过3％。