低插损SAW滤波器的研究

文章采用小型单层单相单向换能器,共线配置结构,一步制作工艺,研制了两种低插损(LIL)声表面波滤波器(SAWF).即a.新的浮动电极单向换能器(NFE—UDT),在 127.86°Y—X LiNbO_3基片上,相对带宽 2%左右,海明函数单加权,无调谐匹配下,50Ω系统用HP8753B网络分析仪测试器件IL小于7dB,阻带抑制大于40dB;b.电极宽度控制单向换能器(EWC/SPUDT),在ST—X石英基片上,相对带宽0.3%左右,海明函数双抽指加权,简单的串、并连电感调谐下器件IL小于4.5dB,阻带抑制大于4dB,低端50dB.两种器件达到国内外报导的同类器件水平.文章详细地介绍了有关的研制技术.     

低通带波动高阻带抑制SAW滤波器的研制

文章在127．86度Y切X传播的LiNbO3基片上研制了f0=30MHz sh cf gkp pa 19.3%,f0=60.5MHz相对带宽13．2％，f0=80MHz相对带度10％和f0=120MHz相对带宽10％的声表面波（SAW）滤波器，由于器件带宽较宽，其它指标要求也高，采用了性能较好的辛格函数＊凯塞尔窗，结合一个多条耦合器（MSC）的结构，对器件进行了双加权，在采取抑制二次效应的措施，特别是V形包络后，通常 带更加平滑，阻带抑制达到50dB以上，极大的改善限器件性能。     

SAW滤波器大器晚成

声表面波SAW(Surface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片表面,分别作输入换能器和输出换能器。     

甚高频高性能SAW滤波器

对甚高频（ＵＨＦ）高性能ＳＡＷ滤波器干扰模式采用了一种新的处理方法,即采用梯形ＳＡＷ单元网络与微带组合电路构成ＳＡＷ滤波器,用微带电路对干扰模式进行抑制。设计过程简洁,可采用成熟的ＳＡＷ单元电极和叉指参数进行计算机模拟,且当所设计的滤波器通带频率和带宽变化时,参数调整方便。并成功地用于９１４ＭＨｚ,带宽１７ＭＨｚ滤波器的设计。     

抽指相位加权SAW滤波器的最佳设计

本文叙述了抽指相位加权SAW滤波器的最佳设计。以往采用的抽指设计法的难点就在于难以使偏离中心频率的旁瓣下降。通过将离散抽指函数扩展成连续函数,并将整数规划法改变为非线性规划法,大幅度缩短了最佳化设计的计算时间。将最佳变数变换为IDT的形状进行了实验。采用周期数为75的IDT制成了通带平坦区域为4%,最大旁瓣为-32dB的滤波器。由此表明,这种设计法是行之有效的。     

SAW滤波器优化设计研究

本文提出了一种新的通用分解优化设计方法，它先将频域设计目标函数通过采样与内插重构以及Ｚ域零点分离法分解为两项再进行优化，适用于长重迭加权的加权的共线型与多条藕合器型声表面波（ＳＡＷ）滤波器，以及任意幅频特性的传递函数的合成。最后给出模拟结果并得出结论。     

基片开槽抑制SAW滤波器体声波的工艺研究

当叉指换能器在基片上激励声表面波模式时，同时伴随着体声波的激励。文章根据叉指换能器的激励原理，采取对压电基片背面开槽抑制叉指换能器体声波进行了实验研究。分别在ST、LT、LN压电基片上背面开槽并制作了中心频率为28MHz、70MHz、71MHz、120MHz声表面波滤波器。实验观察了体声波的抑制情况，并得出了具体实验数据。     

单相单向换能器的低损耗SAW滤波器

概述了采用分布式反射的单相单向换能器及其设计，特别推荐了电极宽度控制的单相单向换能器，并报道了我们制作的几种低损耗滤波器结果。单级低损耗滤波器插入损耗为４．７～６．５ｄＢ，带外抑制达５０ｄＢ。两级低损耗滤波器获得带外抑制近９０ｄＢ，而插损仅为１０ｄＢ。     

低频大带宽声表面波滤波器

介绍了一种低频大带宽声表面波滤波器(SAWF)的设计方法，并介绍了最新研制的滤波器的性能。其中心频率16．28MHz，通带波动1．0dB，插入衰耗23dB，阻带抑制达40dB。     

宽带低损耗声表面波滤波器

介绍了利用在３６°Ｙ－ＸＬｉＴａＯ３、６４°Ｙ－Ｘ　ＬｉＮｂＯ３、４１°Ｙ－Ｘ　ＬｉＮｂＯ３基片漏声表面波设计制作的宽带低损耗滤波器,给出了用耦合模理论模拟的曲线和实验结果,其相对带宽为２ ．８％～６． ５％,插损为１．７～２．４ ｄＢ,带外抑制大于４５ ｄＢ。     

低损耗宽带声表滤波器

移动通信需要低损耗高性能的单相单向换能器（SPUDT），其设计常采用变指宽来实现，但目前的设计水平还很难满足需求，基于耦合模式模型理论，采用优化算法，寻找到最佳的单胞结构，使每个单元的反射率超过5％，利用这样的单胞所构成的滤波器频带宽，面积小，性能远优于当前水平的滤波器，用不加权的19个单相单向换能器单元构成滤波器，其实测单向性达到19dB,3dB的带宽为4％－5％，插损3．1dB，实验证实SPUDT单胞优化是可以做到的，从而大大改善了滤波器性能。     

时变CIC滤波器的FPGA实现方法研究

首先介绍了时变CIC滤波器的原理,然后给出了降低硬件实现复杂性的等效变换方法,同时分析了该采样率转换器的转换精度及参数选取对滤波器性能的影响.最后,通过Quaaus软件仿真和应用实例,验证了该方法的有效性.     

一种低损耗高抑制的声表面波滤波器

该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y X LiNbO3为基片材料,其中心频率约475 MHz,插入损耗小于2 dB,阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性,结果表明该设计方法具有很好的实用性。     

低频宽带低相位波动滤波器

本文介绍了体声波的产生和抑制；叙述了我们在研制工作频率为１０．７ＭＨｚ、４０％带宽的低频宽带滤波器过程；给出了补偿体波效应所采取的措施，以及试验结果。     

高阻带抑制宽带低损耗声表面波滤波器研究

基于分布间隙纵向耦合五换能器结构,加入谐振器单元,采用41°〖WTBX〗Y X〖WTBZ〗 LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.2 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗为-1.9 dB,相对带宽达到10%,矩形系数2.2,阻带抑制大于50 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。     

单向单相分布式声反射结构的声表面波滤波器

分析了均匀分布式声反射(DART)和抽指DART换能器的结构.并用准静态分析法和反射列阵模型(REM)推导出它们的P矩阵、Y矩阵及S12参数.设计了一个中心频率为140 MHz,相对带宽为0.1%,插入损耗10 dB,波纹小于1 dB,带外大于40 dB的窄带低损耗滤波器.压电基片材料为水晶,器件封装尺寸为13 mm×6.5 mm的表贴外壳.     

关于SAW滤波器及其低损耗IDT结构

声表面波（SAW）滤波器以及其独特的优点广泛应用于许多电子设备中,尤其在移动通信的主要领域中,更体现了它的优势,但低插入损耗的SAW滤波器是扩大其应用领域的关键,其中主要是叉指换能器（IDT）的结构。本主要介绍SAW滤波器及实现低插入损耗的几种IDT结构。     

一种宽带低损耗声表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带低损耗声表面波滤波器的方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出了制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ，远端带外抑制大于４５ｄＢ。