掺杂位置对基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器的消光比的影响

在基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器中,载流子吸收会极大的影响器件的消光比。并且,不同的掺杂位置会引起注入的载流子的分布不一样,从而导致不同的消光比。从实验上研究了这一现象,实验中的器件采用0.18 μm CMOS工艺制作在SOI材料上。实验表明,掺杂位置离脊波导的边沿0.5 μm左右时,器件会获得最佳的消光比。     

N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化

研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量——器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应.     

载流子寿命对Si基光电子器件性能的影响

研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件。     

SOI材料在光电子学中的应用

SOI材料是应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。近年来随着SOI材料制备和加工技术的成熟,SOI基光波导器件的研究日益受到人们的重视。文章介绍了SOI材料在光电子学领域的一些具体应用,包括了在热光器件、电光器件、亚微米波导器件与光纤的耦合器以及光电子集成芯片等方面的最新研究进展。更小的波导截面尺寸是未来SOI光波导器件发展的必然趋势。     

SOI MOSFET器件的热载流子退化机理

介绍了绝缭体上硅（SOI）材料的制作方法．阐进了SOIMOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明：前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象．对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展。     

基于SOI悬浮波导的中红外热光调制器的分析

设计了一种基于SOI（Silicon-On-Insulator）单模中红外低损耗悬浮脊波导的MMI-MZI型热光调制器。对单模悬浮脊波导和基于悬浮波导的调制器的参数进行了分析,并给出了工艺实现方法。在波长5.4 μm,采用3D-BPM（Beam Propagation Method）方法对热光调制器的模型进行了传输特性的仿真。结果表明在加热电极长度为3 mm时,热光作用区通过很小的温度变化ΔT=5.3℃时,可以实现消光比为-40 dB。该中红外器件尺寸大,设计和制作容差大,在中红外硅基光子学有着重要的应用。     

Si1-xGex/SOI材料的基本性质与应用前景

主要讨论了Si1-xGex/SOI材料的Si1-xGex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质,比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导与石英光波导在光、光电集成方面的优势,简述了与体硅相比,SOI在VLSI应用方面的优越性及其在微电子领域的广泛应用.最后探讨了Si1-Gex/SOI材料在光电集成和光集成领域的巨大应用前景.     

SOI光波导开关研究进展

SOI光波导是硅基光波导器件的基础,也是实现其它集成光学器件的基础。文章论述了SOI材料、SOI光波导以及SOI光波导开关的一些特性和研究进展。     

Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化

通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。     

不同沟道长度MOSFET的热载流子效应

对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。利用热载流子效应产生的机理分析和解释了这一现象     

背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭

本文讨论了在光折变晶体中,通过特殊的背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭波的理论,并指出散射波的频偏是由于极化光折变晶体中的光生伏打效应引起相位栅的运动而产生的。     

The meta-stable dip (MSD) effect in SOI FinFETs

The meta-stable dip (MSD) effect is demonstrated and characterized in SOI FinFETs. With ascending scan of front-gate voltage (V_G1), the magnitude of drain current (I_D) tends to be fixed within a specific region of the front-gate voltage and this leads to a dip of transconductance (g_m). The dip width can be modulated through a control of bias condition or measurement speed such as back-gate voltage (V_G2), drain voltage (V_D) and step size of the front-gate voltage. From the dual-gate transient measurement, it is found that the MSD effect is highly dependent on the floating-body effect. In SOI FinFETs, the MSD effect is significantly affected by the fin width due to the fringing electric field of the lateral gates.     

The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model

A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors （RC-IGBT）. Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect （including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect） and hysteresis effect perfectly.     

光学双稳系统的耗散与合作效应

本文基于作者所导出的混合型光学双稳系统与原子相关的耗散表达式,详细地讨论了光学双稳系统中原子间的相关效应,即合作效应。证明了在低透支上原子的合作行为,以及在高透支上的单原子行为,是—种普遍现象,不局限于理想化的二能级原子物质。     

无源谐振腔激光陀螺的背散射

从理论上证明了在闭环无源谐振腔激光陀螺中，谐振腔的腔镜背散射不但会引起闭锁效应，而且会引起模牵引效应。探讨了消除闭锁效应的根本方法。     

钛酸钡（BaTiO3）的光束Fanning效应

我们通过实验对激光束透过光折变晶体(BaTiO_3)产生的Fanning效应作了研究。晶体光轴取向、入射光束的偏振状态和入射角是影响光束Fanning效应的主要因素。本文给出实验结果并作了扼要的理论分析。     

Recent Progress of Methods to Enhance Photovoltaic Effect for Self-Powered Heterojunction Photodetectors and Their Applications in Inorganic Low-Dimensional Structures

An important class of photoelectronic devices, self-powered photodetectors, has attracted worldwide attention because of its crucial role in both basic scientific research and commercial/public applications. Thanks to a special synergistic effect, excellent photoelectric properties, and outstanding mechanical stability, the study of heterojunction devices can provide valuable insights and new possibilities for the future of self-powered photodetectors. This paper reviews the recent years of fundamental research of photovoltaic efficiency based on the ferroelectric-enhanced photovoltaic effect, the pyro-phototronic effect, and the piezo-phototronic effect. It also highlights important topics related to heterojunctions and materials that are suitable for self-powered photodetectors. The article concludes with an outlook of the future development in this important and rapidly advancing field.     

KDP二维声电光器件

使用ＫＤＰ晶体作为声电光互作用介质制作了二维反常喇曼奈斯声电光器件,分析了这种器实现激光的二维偏转与强度调制的工作原理,并测量了调制曲线。     

多路径反射对舰载侦察设备侦收信号的影响

结合侦察设备的研制试验,分析了海上多路径反射效应对侦察设备侦收信号的影响。结果表明不同类型的多路径反射效应的影响是不同的,有时会导致信号幅度的变化,有时会使脉冲波形产生畸变,有时会导致信号增批。     

RF MEMS电感的研究与进展

无线通信的迅速发展,对高性能电感有迫切的需要。本文介绍了目前电感的发展状况,包括表面螺旋电感、垂直平面螺旋电感、悬浮螺旋电感和螺线管电感。对各种电感的性能进行了比较,讨论了电感设计所需考虑的问题及相关因素,对各种电感的加工工艺作了介绍。总结了各种电感的品种因数。