高纯金属与半导体材料

的i了13氢化的非晶态硅的热弹性能—(K。:- ho:。n一入.5.等),《Mater.Sei.及Eng- ng.》,1981,49,沁乙,127一132(英文)印1714 sno:薄膜中的气敏机理-一(R.B. C.〕oPer等).《J .Eleetrouie Materials》, 1981.10,饨3,455一472(英文、 用射领喷涂技术制备的SnO:薄膜带有1肠和川肠SbZO3的掺杂。此薄膜然后在人造的空气中进行试验,了解它们对H:和CO的反响。〔铣摘〕6D1715专利食半导体金属合金,为Nf3AI互基一一 日本专利随0049一1妞,公布:1980年12月601了16对非晶半导体的电导和热电势率的测定 分析一(Niclsen Paul),《AIP Conf. pr…     

高纯金属与半导体材料

601702超高纯银的的制备与特性-一(Schulze K .K.),《J .Metals》,108一,33,恤5, 33一41(英文) 本文是过去十五年关于超高纯泥发表过的文章的综述。由于高温、高真空、超导材料的需妥以及固态物理、原子能等方面的应用,人们对高纯泥的兴趣日益增长.文章谈到人们对妮的纯度的不同理解,谈到化学分析方法、剩余电阻比和内耗,介绍了高纯泥制备过程的进展,熔盐电解法,电子束悬浮区熔法,超高真空退火以及高纯锯的物理特性。电子束浮区法对电解妮的最大作用是脱氧,同时也有脱碳作用。「思聪摘〕601703超纯Ge的物理一(E.E.Haller等), 《Ady.Phy…     

高纯金属与半导体材料

601578半导体的历史与展望-一一()l!村肇)《固 体物理》,1979,14,恤3,2一6(日文)601579半导体存储器的现状与发展—(山、}、 真一郎)《电子材料》,1980,恤6,22一26 (日文)601580半导体外延工艺中的分析检验一 (Jly中:B.八.)《3aoo及e .oa6op.》. 1979,恤12,1088一109吐(俄文)601581多元化合物半导体材料一一(水岛宜彦) 《电子通信学会志》,1980,63,沁3,279一 280旧文)6Q1582电流强度对GaAs阳极氧化膜成分的影 响—(Croset M.).《J .Eleetroehem. Soc.》,IU79,126,沁9,1543一547(英文)601583砷化稼高纯外延层的制取及其性能一- (Fy刀3 …     

高纯金属与半导体材料

6D1584从废料中回收贵重金属一一《国外科 技》,1980年,饰6,44601 585用三异辛胺(tri一150一octyl一amine)从 盐酸和氢澳酸中萃取铂族金属的研究,分离 和测定Au、Pd和Pt.—一《Talanta》,1980, 2了,滩2,101一jO6(英文)601586新型电子材料非晶硅一(滨川圭弘), 《日本金属学会会报》,1980,19,泊4,260 一269(日文)60158了A‘B冲族和A“B扮族化合物半导体的主要 研究方向-一(Mo3e双:a,H .B.),《H3。. AH CCCP.HeoPr.皿aTepHa几班》,1079, 15.恤6.1103一1105(俄文)601588窄禁带半导体一一(刘普霖),《自然杂 志》,1080年,第三卷,滩0,443…     

高纯金属与半导体材料

601300 电子仪表用半导体材料——(Lamming J.S.),《Met.and Mater.Technol.》,1976,8,№9,471—475(英文) 601301 化合物半导体材料的动向(I)——(赤井慎一),《新金属工业》,1977,22,№5,1—7(日文) 601302 半导体用金属材料——(山本博司)《日本金属学会会报》,1977,16,№2,59—70     

高纯金属与半导体材料

601460制造半导体材料的新方法—《国外科技 消息》,]979年,恤9,9801拓1太阳能电池用高纯硅一一(V.D.Dosaj), 《J .Met.》,1978,30,J哑6,8一3(英文)601462廉价太阳电池材料一(F.A.Shirlan过 等),<< Rep.Prog.Phys.》1978,Vol.41, 恤12,PP .1839一主879001463国外硅半导体器件表面钝化概述一(高 维善),《电子与自动化》,197U年,滩2,30一 37 本文概述国外硅半导体器件表面钝化的方法和材料。主要方法有热氧化、化学汽相淀积、射频溅射、阳极氧化和机械淀积熔凝玻璃等。主要材料有二氧化硅、氮化硅、氧化铝、硼硅和磷硅玻璃以及掺氧半绝…     

高纯金属与半导体材料

叻1 572硅材料和器件工艺若干问题探讨-一 (叶仰林、包宗明),《电子与自动化》,1980 年,卜目,1一6601 573化合物半导体界面物理第六届年会会议 录--一《J .of Vaeuum Seieneo and te- ehno】ogy》,197{平,Vol,J6,沁5,1101一 1 596。 此次年会于1979年1月30日一2月1日在美国力Tl州Paeifie Grove召开,参加会议的代表有来自美国27个州和11个其它国家的240名科学家,其中的万是工业组织的代表.文集中汇集了会上交流的论文109篇。601 514化合物半导体的材料设计一(权田俊 一)《材料科学》,1979,16,沁4一5,185 一191(日文)6 015了5测量电视与计…     

高纯金属与半导体材料

601495半导体应变片和半导体应变片式传感器一(巫昊),《电子技术应用》,1973年,灿28一31 本文对半导体应变片的基本原理和特点及其在传感器上的应用作了一些介绍和讨论。     

高纯金属

近年来,高纯、超纯或超高纯金属的发展十分引人注目。本文就什么是高纯、超纯金属的性质、用途、制法、分析等作如下的简单介绍。实际上并没有严格的定义。材料的纯度是随着时代、金属种类、使用目的、金属物性、高纯化技术水平、分析精确度等的不同     

半导体用高纯气体

生产半导体需使用多种化学品。据推测,1980年美国用于半导体工业的化学品约达900亿日元,主要用在生产集成电路方面。另外,印刷线路板制造厂家等购买了约相当于400亿日元的化学品。两项合计约为1,200亿日元。这些化学品是:(1) 光致抗蚀剂及其有关的药品;(2) 清洗用药品;(3) 掺     

金属有机化合物在制备半导体材料中的应用

简单介绍了金属有机化合物的制备及其在光电薄膜．陶瓷薄膜及纳米级半导体材料中的应用。     

高纯金属镝的制备

为制备高纯度稀土金属Dy以适应高科技发展的需求,在钙热一次还原法生产的Dv-4,Dv-8的基础上,用中频感应炉进行二次精炼和真空蒸馏,并对工艺进行优化选择得出,二次精炼温度为1450℃,保温40 min最适宜;真空蒸馏1 500℃～1 530℃,保温8 h最佳.用此工艺所制备的金属Dy的纯度超过国标高纯度Dv-1和Dv-2的要求,接近国外高纯Dy的先进技术指标.     

高纯超细稀土材料

我公司是国内专业化生产高纯稀土材料的高科技企业，工艺技术先进，检测手段完善．产品纯度在99．9％～99．999％，粒度为纳米级的各种稀土氧化物，能满足发光材料、晶体材料、电子陶瓷、光纤掺杂等方面的要求．产品在海外享有盛誉，得到客户的好评。公司不断创新．继续开发高纯稀土的其它产品(硝酸稀土、醋酸稀土、柠檬酸稀土、纳米稀土)和掺稀土的高纯超细钛酸钡、钛酸锶、铁酸镧、铁酸钕等高新材料。本公司有良好的商业信誉，产品质量稳定可靠．供货及时，价格合理。欢迎与我们合作，共创新的未来!     

高纯金属有机化合物的发展动向与前景

一、引言金属有机化合物(简称MO)的研制是当今最有发展前途的技术之一,MO最吸引人的特点是它的多样性,其种类几乎是无限的,每一种都具有独特的化学性质。MO的开发是作为化学反应催化剂开始的,迄今,虽已有几十年的历史,但还只是开端。1968年,美国Rockwell公司的Manasevit采用烷基镓和砷烷,首次在绝缘衬底上,用MOCVD工艺成功地制备了GaAs单晶薄膜,这是一个重大突破。随后,20年来,特别是近10年来,MO的研制和开发应用获得了较大     

半导体生产用的高纯气体述评

半导体、集成电路是项更新换代十分迅速的产业。在六十年代中，电路的集成度每年翻一番，七十年代，平均每三年增加四倍。进入八十年代后，仍将以每二年翻一番的速度增加。伴随这种发展，要求与使用的气体品种、质量和数量也急剧增加和提高。关于国外气体的质量标准已有详细综述，本文仅限于述评近年来高纯气体方面的特点和常用工业气体的供气方式。     

半导体敏感元件材料

随着科学技术的发展,电子技术和自动化技术正迅速地应用到各个领域中去。例如自动检测,自动控制,自动跟踪,遥测遥控等,直至人工智能装置。如果被检测或被控制的量不是电信号,那么把各种各样的物理量变成电信号来测量的元件,就是所谓敏感元件。在仪器仪表中所使用的这样的敏感元件是多种多样的。而半导体在光、电、热、磁等因素作用下会产生光电、热电、雷尔、磁阻、压电、场和隧道等效应,利用这些效应可以制做各种具有独特性能的敏感元件。由于这些半导体元件具有灵敏度高、重量轻、响应快、工作电压低等特点而受到人们重视,特别是随着对半导体材料性质的深入了解和半导体元件技术的迅速发     

半导体封装材料

从封装技术看,双列直插式封装(DIP)最经济、可靠性也高。但随着高集成度的半导体集成电路(IC)及高速逻辑元件的实用化的发展,由于封装性及基板面积等实装上的要求,取代DIP的新封装技术已逐渐被开发出来。封装方式有:用金属及新陶瓷的气密封装和用树脂的非气密封装。但现在的半导体IC的封装,树脂密封约达到90％,而气密封装则只局限于要求具有较高信赖性的军用、宇宙开发用IC等。     

新型半导体材料

在最近的将来,硅仍是生产集成电路的主要半导体材料。但是,硅集成电路已接近物理极限,其速度和集成密度很难进一步大幅度提高。此外,硅的发光特性差,不适合于光电子应用。其它一些半导体,主要是Ⅲ-V簇化合物如砷化镓(GaAs),虽然会发光,也可用来制造速度快得多的集成电路,但是它们的机械强度和散热等特性远不如硅,而且昂贵得多。工业和科学的发展,需要兼有硅和GaAs两者的优良特性的新半导体材料。在过去十年中,研究者把薄膜工艺和表     

离子液体中电沉积半金属及半导体材料的研究进展

离子液体作为一种新型的环境友好的绿色溶剂,具有温度范围大、电化学窗口宽等优点。综述了近年来离子液体在半金属和半导体电沉积中的应用研究状况,并展望了离子液体在电沉积领域的发展趋势。     

中科院探明新型金属硫化物二维半导体材料性质

近日．中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下,取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展,探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。科研人员表示,新型超薄金属硫化物二维半导体材料可以被用于高效的纳米传感器、光探测器、光开关、