便携式应用领域电源MOSFET的选择

随着封装技术和硅工艺的进步,具有更高电源密度和更高效率的小尺寸MOSFET正在逐步克服原来与器件尺寸相关的电源处理能力和处理效率问题。     

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET

在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术,在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。电源设计工程师一直都面临着许多的设计挑战,这是由于先进处理器本身的要求和越来越多的功能都需要消耗功率。     

得可最新VectorGuard技术获先进封装奖

6年前，得可推出创新的Vector Guar网板技术时曾保证箔片设计项目的持续投资，以致力于无数的下一代应用。为履行此承诺，得可最新的Vector Guard Platinu于上周在Semicon West推出，其独创性获得先进封装奖的颁发。     

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步

在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术，在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。     

TI推出采用新封装工艺的DualCool NexFET功率MOSFET

许多标准架构（PCI、ATCA）、电信及服务器机柜设备都具有固定的支架，机柜尺寸和电源预算，因而当前的主要需求即在不降低效率和性能的情况下提高POL（负载点）的功率密度。为此，TI推出面向高电流DC／DC应用采用全新封装工艺的标准尺寸功率MOSFET产品系列，借助新工艺，可以令功率转换产生的热量能通过对流冷却从封装顶部散出，有效提高了功率密度、电流承受能力，并增强了系统稳定性。     

最新第三代MOSFET功率模块兼顾尺寸和效率

通过优化芯片工艺和封装技术,最新第三代MOSFET功率模块实现了更高的效率、开关频率和功率密度,满足了服务器和基站等低压MOSFET应用市场的需求。     

得可最新VectorGuard技术获先进封装奖

得可推出创新的VectorGuard网板技术时曾保证箔片设计项目的持续投资，以致力于无数的下一代应用。为履行此承诺，得可最新的VectorGuard Platinum于上周在Semicon West推出，其独创性获得先进封装奖的颁发。     

8～12英寸先进封装技术专用匀胶设备

沈阳芯源微电子设备有限公司研制的8～12英寸先进封装技术专用匀胶设备获得“2007年中国半导体创新产品和技术”奖,其中12英寸（×300mm）晶圆先进封装设备,于2007年7月在我国五大先进封装测试厂之一的江阴长电先进封装有限公司通过严格的工艺检测验收,成功投入生产使用：实现了国产首台IC装备在晶圆尺寸和新工艺应用上的重大突破。     

得可将在JPCA2008展示最新封装技术

得可已确认参展JPCA2008并通过一系列的领先产品展示其高精度的批量印刷技术。将于6月11日至6月13日在东京有明举行的展会，将见证此批量印刷引领者盛邀到访者通过其全新PhotonVi印刷平台和各种生产力工具的很多制造方案期待更多。     

将展示可满足中国数字融合需求的崭新技术

亚洲著名的数字多媒体和娱乐技术展会—亚洲数码多媒体与广播科技展BroadcastAsia，将于6月19至22日在新加坡博览中心（Singapore Expo）举办，来自中国的参展者可了解到最新的数字技术、专业设备和服务。     

SMT与高密度封装技术的结合催生新一代组装技术

经过1980—90年代的迅速发展，SMT已经进入了成熟期。正是SMT的普及应用，使电子产品的功能越来越强、体积越来越小、造价越来越低、更新换代的速度也越来越快。可以说，SMT为信息时代的发展做出了不可磨灭的贡献。