S波段砷化镓单片窄带滤波器

<正>随着砷化镓单片集成电路的发展,微波无源、有源单片电路的使用范围越来越广泛。南京电子器件研究所已研制出一种砷化镓单片窄带s波段滤波器。芯片尺寸为5mm×4mm×0.1mm。3dB相对带宽为8.3％,在150MHz带内,即5.1％的相对带宽内,插损小于6dB,起伏小于0.5dB;距中心频率300MHz外,即20％的相对带宽外,抑制大于30dB;在离中心频率490MHz     

S波段窄带介质滤波器的分析与设计

滤波器是现代数字通信的一个关键部件，对数字通信的影响重大。本文介绍了介质谐振器的独特优点、基本原理和分析方法，给出了滤波器的设计公式，在此基础上设计了一窄带介质滤波器，并在HFSS的基础上对设计的介质滤波器进行了仿真分析，仿真结果和理论计算一致，验证了理论计算的正确性。     

S波段温度补偿型FBAR窄带滤波器的研制

研制了一种以SiO2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器(FBAR)窄带滤波器.研究了SiO:层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO:层时的温度补偿特性进行了仿真.仿真结果表明,当Mo/AlN/Mo的厚度为0.15,1.35和0.15 μm,SiO2层的厚度为10 nm时,FBAR的频率温度系数(TCF)约为3×10-6/℃.采用MEMS工艺制备了温度补偿型FBAR滤波器芯片并进行了测试.测试结果表明,滤波器的中心频率为2 492 MHz,中心插损为3.74 dB,3 dB带宽为17 MHz,相对带宽为0.68％,在2 477和2 507 MHz处阻带抑制分别为27.44和33.81 dBc.在三温(常温25℃、高温85℃、低温-55℃)对该滤波器的S参数进行了测试,计算得出频率温度系数为5×10-6/℃.与未加入温度补偿层的传统滤波器相比,频率温度系数改善明显.     

S波段单片有源压控滤波器

Ｓ波段单片有源压控滤波器孙晓玮，罗晋生，周宗闽，曹金荣，林金庭（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ４５４ＴＮ７１３Ｓ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＶｏｌｔａｇｅ－Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ...     

S波段窄带介质滤波器的分析与设计

滤波器是现代数字通信的一个关键部件,对数字通信的影响重大。介绍了介质谐振器的独特优点、基本原理和分析方法,给出了滤波器的设计公式,在此基础上设计了窄带介质滤波器,并在HFSS的基础上对设计的介质滤波器进行了仿真分析,仿真结果与理论计算一致,验证了理论计算的正确性。     

太赫兹波段可调窄带滤波器

提出了一种基于FDTD模拟的亚波长阵列结构的太赫兹波段可调窄带滤波器,其结构尺寸由16μm至160μm可调,因此可以实现滤波频率在2.5THz～20THz大范围内的调节,最小带宽达到0.04THz,实现了非常好的窄带滤波效应.此外,这种人工复合结构还可以通过改变其与太赫兹偏振夹角的方式改变太赫兹波偏振态,同时实现窄带滤...     

窄带LC带通滤波器的设计与实现

为适应现代舰载电子战设备对低频滤波器的严格要求,通过对传统带通滤波器的结构进行适当的网络变换,得到了一种可靠的电路结构。该结构将原有集总参数带通网络的电路元件参数值转化成常见量值,同时最大程度地吸收了集总元件的寄生参数,使滤波器的性能更加稳定。测试结果表明：采用该结构的滤波器具有很窄的带宽、较高的阻带抑制度以及优良的电...     

窄带,高矩形度声表面波滤波器的研制

声表面波滤波器因其在电子系统中的使用和使用环境的不同，具有不同的指标要求。文章介绍了一种窄带，高矩形度声表面波滤波器的设计过程，制作出了中心频率为１４０．９～１４５．１ＭＨｚ四路器件，其相对带宽０．３９％；矩形系数小于２．５，并成功应用于整机系统。     

波导金属插片窄带滤波器的研制

采用高精度的模式匹配法设计了一种窄带矩形波导插片滤波器。利用该方法设计的波导型滤波器精度高,结构简单,便于加工。同时将模式匹配法的数值计算结果与实验结果进行了比较,两者吻合的很好。     

多功能R有源滤波器电路

本文给出了能同时实现低通（ＬＰ）、高通（ＨＰ）、带通（ＢＰ）的Ｒ有源滤波器电路及电路的设计方程，对其中的一个电路进行了机辅分析和设计，实验结果验证了理论的正确性。     

虚拟距离窄带活动轮廓模型

针对活动轮廓模型计算量大、演化收敛缓慢、效率低下的问题,提出了一种新颖的活动轮廓模型.该模型采用虚拟的符号距离函数代替真实的符号距离函数,依靠待检测目标物内外均值来驱动活动轮廓的演化,利用虚拟距离函数的梯度形成一个窄带,活动轮廓在窄带内做简单的加减运算演化.其演化具有计算简单、分割效率高、能自由改变拓扑、全局性的优点,初始化曲线也无须非常接近待检测物体的边缘.符号距离函数重新初始化也只需在窄带内使用高斯函数规则化后,对其取符号运算即可.最后给出了活动轮廓在窄带内收敛的一个简单条件,能方便地判断待检测目标是否被检测出来.     

一种高Q值且频带可独立调谐的差分有源电感

设计了一种高Q值、频带可独立调谐的新型差分有源电感。采用多重共源-共栅调制结构,使有源电感具有小的等效串联电阻和高的Q值。采用多重共源负反馈结构,使有源电感具有小的等效并联电容、高的自谐振频率和宽的工作频带。通过对正跨导器跨导的调谐来实现对工作频带的调谐,同时,对负跨导器中共源管的跨导进行调谐,补偿因调谐工作频带而对Q值带来的影响,从而实现频带相对于Q值的独立调谐。对该新型差分有源电感进行性能验证,结果表明, 5.9 GHz时,有源电感的Q值高达1 143,电感值可达154 nH。工作频带在6.1~7.7 GHz之间调谐时,调谐范围可达26.2%,而Q值峰值在1 162~1 120之间变化,变化范围仅为3.6%。     

一种VHF 高温超导窄带滤波器的研究

研制了一款VHF频段的六阶高温超导带通滤波器。给出了窄带高温超导滤波器的理想电路模型和S参数曲线,提取了该滤波器结构的耦合矩阵、外部品质因数,用主动空间映射法优化了版图性能。研制的高温超导滤波器中心频率45.5 MHz、相对带宽小于2%,由于采用介电常数为23.75 的铝酸镧作为介质基板,大大缩减电路尺寸至0.053λg2。实测结果表明,该滤波器频率响应整体左偏0.15 MHz,带宽900 kHz,通带内插入损耗小于1.9 dB,带外抑制高达70 dB,与版图仿真结果基本吻合。     

抗窄带干扰的扩频系统的滤波器性能分析

在存在窄带干扰时,扩频通信系统的性能可以通过使用各种不同的抗干扰滤波器来进一步提高。通过分析预测误差滤波器和带有双边抽头的横向滤波器的抗干扰性能,得出了影响滤波器处理增益的解析表达式。当干扰频率接近扩频信号的载波频率的时候,横向滤波器的性能要优于与其抽头数相同的预测误差滤波器的性能。     

一种带电容网络的窄带陶瓷滤波器

采用一种新的设计方法来研制一种小体积的窄带陶瓷滤波器。此种方法仅采用一种标准的压电振子 ,并与一定的电容网络相结合 ,就可实现通常由串、并联两种振子构成的滤波特性。本文探讨了这种压电振子的特性以及电容网络的选择与近似计算方法。     

用于波分复用的光子晶体滤波器

本文从光子晶体的光子频率禁带特性出发，提出了用2个或以上的均匀周期结构光子晶体叠加在一起，形成叠层结构光子晶体，以获得窄带滤波特性的设想；利用光学传输矩阵法对这种结构进行了数值计算，结果证实了构思的正确性；设计了信道间隔为8nm的8信道波分复用（WDM）和信道间隔0.8nm的8信道密集波分复用（DWDM）光子晶体滤波器。     

Si基热光可调谐窄带平顶滤波器

利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4.4nm,自由谱宽约为8.5nm,在外加电场作用下,共振峰红移3.3nm.     

Si基热光可调谐窄带平顶滤波器

利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4.4nm,自由谱宽约为8.5nm,在外加电场作用下,共振峰红移3.3nm.