外部光注入半导体激光器的大信号宏模型

本文给出了外部光注和半导体激光器（ＬＤ）的大信号非线性宏模型，使得对外部光注入ＬＤ的特性可以用通用电路分析软件进行分析，运用此模型对外部光注入ＬＤ的双稳和动态调制特性进行了分析，模型的分析结果与已报导的理论和实验基本一致。     

半导体激光器FM噪声的电路模型及其应用

本文给出了半导体激光器ＦＭ噪声特性的等效电路模型，使得对ＬＤ的调制和噪声特性可用通用电路分析软件进行了分析，模型的模拟结果与已报导的理论和实验一致，用此模型对本征ＬＤ的一些ＦＭ特性进行了分析。     

基于光纤CATV直接调制的若干问题分析

建立了ＤＦＢ－ＬＤ的宏观电路模型，并对ＤＦＢ－ＬＤ在模拟信号直接调制下的光输出，进行了频谱分析。     

基于光纤CATV直接调制的若干问题分析

建立了ＤＦＢ－ＬＤ的宏观电路模型，并对ＤＦＢ－ＬＤ在直接调制下的光输出，进行了频谱分析。     

适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDSSOI MOSFET器件模型

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。     

大信号直接调制半导体激光器的谐波非线性失真特性研究

本文对微波副载波光纤传输中最关心的大信号调制半导体激光器的谐波非线性进行了理论与实验研究。在ＬＤ速率方程的基础上，建立了一个适合计算谐波失真特性的分析模型。同时，对这一个国产１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰＤＣ－ＰＢＨ－ＤＦＢ－ＬＤ的二次与三次谐波特性进行了测量，结果与理论计算值一致。     

GaAs数字电路输入输出接口电路的设计

本文讨论了ＧａＡｓ电路和ＳｉＥＣＬ电路的输入输出接口问题，对ＧａＡｓ电路中ＢＦＬ、ＤＣＦＬ、ＳＤＦＬ等电路形式的典型输入输出接口电路进行了分析研究，用电路模拟程序计算并给出了ＢＦＬ输入输出接口电路的转移特性曲线。     

注入锁定法布里-珀罗激光器的单模工作特性

使用分布式反馈(DFB)激光器对法布里-珀罗(F-P)激光器进行单模注入锁定.通过改变F-P激光器的偏置电流,DFB激光器的输出功率以及两激光器间的波长失谐量,对注入锁定F-P激光器的光谱特性、功率特性以及频率响应特性进行实验分析.找出影响注入锁定F-P激光器稳定性的因素,并测量注入锁定F-P激光器的稳定锁定区;通过优化注人条件实现F-P激光器的高边模抑制比(SMSR)输出,最高可达55 dB;通过与自由运转F-P激光器比较,发现注入锁定可以明显抑制半导体激光器在高频调制下光谱的展宽.注入锁定后F-P激光器的3 dB调制带宽接近14 GHz.实验结果表明,通过合理设计光注入条件,注入锁定技术可以明显改善F-P激光器的光谱特性以及高频响应特性,并在高速光纤通信领域中得到广泛应用.     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。     

IT图书推荐书目(二)

《ＡＤＳＬ／ＶＤＳＬ原理（翻译版）》 该书是一本系统介绍ＡＤＳＬ／ＶＤＳＬ原理的教材，从ＡＤＳＬ／ＶＤＳＬ的基本原理入手， 对ＡＤＳＬ／ＶＤＳＬ的发展前景、技术特性、运行环境以及ＡＤＳＬ／ＶＤＳＬ在ＷＡＮ中的具体应用作了深入浅出的阐述。第一章介绍了ＡＤＳＬ技术的入门与发展背景；第二章至第五章介绍了ＡＤＳＬ技术的运行环境和基本通信概念，包括双绞线环境、环路分析、功率谱密度和串音模型、串音环境下ＤＳＬ的理论容量；第六章和第七章则分别介绍了ＤＳＬ 技术的调制基础以及ＡＤＳＬ的调制规范；第八章从实用角度介…     

单模半导体激光器的非线性失真特性的电路模拟

本文提出了一种基于小信号等效电路的半导体激光器非线性电路模型，该模型使激光顺的调制响应和非线性特性以及其它相关电子电路的非线性特性可统一地通过通用电路分析软件来分析和计算。运用此模型对一单模激光器的二阶谐波与三阶交调失真特性进行了分析，结果与已报道的理论和实验结果一致。     

Small-signal analysis of modulation characteristics in asemiconductor laser subject to strong optical injection

Injection locking of a semiconductor laser can induce major changes in the modulation characteristics of the laser. A small-signal analysis using the lumped element model shows that both the frequency and damping of the characteristic resonances of the coupled complex field and free carriers (gain medium) are modified. The detuning between the injected field and the free-running oscillating field, the amplitude of the injection field relative to the free-running field, the linewidth enhancement factor, the cavity photon and spontaneous carrier decay rates, and the field enhancement of the decay rate are all key parameters in determining the changes to the modulation characteristics. For a broad range of parameters, there is simultaneous enhancement of the modulation bandwidth and stable, locked operation. The enhancement is a cavity phenomena and does not occur in a traveling wave amplifier. It requires that the frequency of the locking field be detuned from the injection-modified frequency of the cavity resonance. This causes a resonant enhancement of the modulation sideband associated with the preferred frequency of the optical cavity. Bandwidth enhancements beyond the free-running laser limit are possible over a range of injection levels and injection frequency detunings     

Circuit model for multilongitudinal-mode semiconductor lasers

Under the assumption that the emission spectra of a semiconductor laser diode (LD) as a function of wavelength is Gaussian, a simple circuit model for a multilongitudinal-mode (MLM) LD is developed based upon MLM rate equations. This model is very suitable for the computer-aided analysis of an optoelectronic integrated circuit (OEIC). Using this model, the dc and ac characteristics of a trenched buried heterostructure LD are studied. The simulated results agree with the reports. The dependence of threshold and emission spectra on the cavity length is simulated     

遥测发射机中的微波锁相调频技术研究

本文介绍了再入遥测系统中发射机的微波锁相调频技术,分析了几种微波锁相调频方案构成及其电路的性能和应用。研究结果表明,两点注入式微波锁相调频适用于高码速率、宽频带与调制响应要求比较高的遥测系统。     

Model constitution of work modes based on high-power laser diode

This paper describes the model constitution and drive circuit design of high-power laser diode (LD), which works in constant current mode, constant power mode and constant voltage mode, based on the electrical characteristics of high power LD. By model constitution and analysis, the relations between the control voltage and the output current are set up, respectively. After an analysis of factors affecting the stability of output current, safety circuits are provided to protect the use of LD.     

中距离夜视激光照明器的设计

设计了一种基于MIC29302稳压器的功率可调式激光器驱动电源,实现了对激光器的直接强度调制。根据半导体激光器对注入电流的稳定性要求高和对电冲击的承受能力差等特性,对其驱动电路进行了设计;同时,给出了激光器的保护电路和温度控制电路,较大地改进了半导体激光器电源的可靠性,提高了半导体激光器的输出稳定性,延长了激光器的使用寿命。最后,给出了详细的测试数据,测试结果证明,该驱动电源有具体的指标和良好的性能。     

外腔半导体激光器的宏模型

本文给出了外腔半导体激光器大信号宏模型。该模型可以作为光电集成ＥＣＬＤ的计算机辅助设计模型,亦可作为考察光反馈对单模ＬＤ影响的分析模型,模型可以用通用电路分析软件进行分析,分析结果与已报导的理论和实验基本一致。     

Theoretical study of harmonic injection locking of millimeter wave harmonic gunn oscillators

Harmonic injection locking behavior of millimeter wave second harmonic Gunn oscillators is studied based on an equivalent circuit model. A large signal model of Gunn device in harmonic mode operation is employed. Injection locking curves of voltage amplitude and phase difference between injected current and harmonic voltage are calculated by means of describing function technique. Stability of the locked harmonic oscillators is also investigated. It is revealed that the harmonic locking bandwidth is much smaller than that of fundamental wave oscillators and is closely related to the susceptance slope parameter of fundamental wave circuit. It is also found that the stable region is smaller than that of fundamental wave oscillators. Some conclusions have been made for the application of harmonic injection locking technique.     

1.5μm InP/InGaAs MQW-LD驱动电路的设计

讨论了由4个InP/InGaAs HBT构成的OEIC光发射机驱动电路的设计。研究结果表明.由最佳性能的HBT构成的驱动电路,其性能不一定就是最佳的,驱动电路的性能与激光器的串联电阻有很大关系。本文对激光器的串联电阻为9Ω的情况,从几何参数优化设计一驱动电路,其调制带宽可达3.4GHz,脉码凋制时。开关时间约为100ps。用它驱动一多量子阱激光器,脉码调制时,光信号响应开头时间约为288ps。