亚微米聚焦离子束的像散检测与校正技术

介绍了二级透镜聚焦离子束系统中像散的检测技术与校正技术。详细叙述了像散检测的原理，方法以及像散校正系统的工作原理，电子线路和具体结构。     

亚微米聚焦离子束的漂移现象

研究了亚微米聚焦离子束（FIB）系统的漂移现象，给出了测量漂移的方法，分析引起漂移的原因及降低漂移的措施。发现了偏转电极上钝化层及污染物充电电荷所引起的漂移现象；测出了各电极电压变化所引起漂移的大小；发现了由于外壳温度不均匀引起离子枪轴线相对样品变化所引起的漂移。提出了制作透镜电极时保持轴对称、特别是限制光栏必须位于透镜光轴上的必要性。所给出的漂移数据既包含早期曾研制的单级透镜FIB系统的数据，也包含近期研制的二级透镜可变束流FIB系统的数据。     

束流可调的二级透镜亚微米聚焦离子束枪的设计计算和调测结果

介绍了最新设计的二级透镜聚焦离子束系统，该系统具有高速消隐、束径束流电可调等特征。给出了该系统的设计计算和调测结果。在束能15keV、束流30pA时，束径达到0．1μm。     

亚微米聚焦离子束的漂移现象

研究李亚微米聚离子束（ＦＩＢ）系统的漂移现象，给出了测量漂移的方法，分析引起漂移的原因及降低漂移的措施，发现了偏转电极上的钝化层及污染物充电电荷所引起的漂移现象；测出了各电极电压变化所引起民漂移的大小；发现了由于外壳温度不均匀引起离子枪轴线相对样品变化所引起的漂移。提出了制作透镜电极时保持轴对称、特别是限制光栏必须位于透镜光轴的必要性。所给出的数据漂移数据既包含早期的单组透镜ＦＩＢ系统的数据，也包     

束流可调的二级透镜亚微米聚焦离子束枪的设计计算和调测结果

介绍了最新设计的二级透镜聚焦离子束系统，该系统具有高速消隐、束径束流电可调等特征，给出了该系统的设计计算和调测结果。在束能１５ＫｅＶ，束流３０ｐＡ，束径达到０．１μｍ。     

聚焦离子束系统在微米/纳米加工技术中的应用

聚焦离子束系统是微细加工和分析的主要技术之一,是一个完美的微米/纳米技术研究平台.简述了聚焦离子束系统的组成和主要功能,着重介绍了近年来该技术在离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、离子束辅助沉积、离子注入、微区分析、掺杂和成像以及无掩膜曝光等微米/纳米加工领域的应用,并对未来的发展前景进行了简要分析.     

聚焦离子束技术制造金刚石切削刀具的研究

概述了基于聚焦离子束（Focused Ion Beam,FIB）加工技术制备金刚石切削刀具的相关研究进展,并介绍了金刚石刀具在超精密加工领域的研究背景及其制造现状。作为一种先进的微纳制造技术,聚焦离子束已在微尺度金刚石刀具制造研究中发挥了重要作用。针对金刚石刀具的刃口半径、刃形精度等核心参数,国内外相关研究者开展了聚焦离子束制造方法与工艺优化研究,实现了高质量刀具的制造,聚焦离子束加工可获得刃口半径为15～22nm的金刚石刀具制造。从微观切削基础和微纳光学元件制造两个角度,论述了聚焦离子束制造金刚石刀具的应用研究进展,介绍了其在纳米切削机理、微纳尺度光学元件制造中的应用。最后从提高FIB制造效率、应用研究拓展等角度,对该领域未来的发展进行了展望。     

聚焦离子束技术及其在微纳加工技术中的应用

聚焦离子束（FIB）技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。它突破了只能对表层成像和分析的局限，可以对样品进行三维的、表面下的观察和分析，也可以对样品材料进行切割研磨和沉积特定材料，用它可以获得以前无法得到的样品信息。从而为研究人员和制造人员提供了一种对多种样品在纳米尺度进行修改、制作和分析的有效工具。     

聚焦离子束的束径测量

报道了聚焦离子束装置的束径测量方法和典型测量结果。偏转离子束使其扫过金属栅网的边缘 ,由法拉第筒接收到的离子流强度变化所形成的S形电流曲线可确定束径大小。在数据处理中 ,采用了快速傅立叶变换滤波的办法来消除微小电流测量结果中的噪声 ,从而可以对S形电流曲线进行微分 ,得到束流密度空间分布。在改变透镜光阑口径而维持靶室离子流强度不变的测量模式中 ,证实了离子间库仑相互作用增大束径的效应     

聚焦离子束系统中微波离子枪的束光学特性研究

通过实验和数值模拟研究了聚焦离子束系统中微波离子枪的离子束光学特性，该离子枪由微波等离子体源和Orloff-Swason引出透镜组成。该透镜除了广泛用于场致发射离子枪外，在等离子体源情况下，也能获得很好的离子束光学性能。     

Investigation of electrical transport characteristics of nanoscale stacks fabricated on thin graphite layer

We investigated the electrical transport characteristics of nanoscale stacks of thin graphite layer fabricated using focused ion beam (FIB) three dimensional (3D) etching. By varying the stack height, we fabricated nanostacks with the dimensions of W = 1 μm, L = 1 μm, H = 100 nm and W = 1 μm, L = 1 μm, H = 200 nm. The nanostack contains lot of elementary junctions between the graphene layers with interlayer distance of 0.34 nm (along c-axis). We observed a typical semiconducting characteristic until 50 K and a metallic behavior below 50 K for all the fabricated nanostacks, which was well agreed with an identical c-axis characteristics of graphite. From I-V characteristics, we found an ohmic-like characteristic at 300 K for both low and high current biasing; however at low temperature, this behavior was turned into nonlinear characteristics when it was highly biased. The temperature dependent differential conductance measurements for the fabricated stacks were carried out and found that at 300 K, the stack showed larger conductance rather than at any other lower temperatures. However, the stack with 100 nm height showed larger conduction values of 36.3 mS and 16.95 mS for 300 K and 20 K respectively, which are comparatively smaller values of stack with 200 nm height. We also studied conductance fluctuations of nanostacks experimentally and the fluctuations are appearing on increasingly fine when the temperature goes down; however the amplitude of fluctuation is suppressed at low temperature.     

聚焦离子束(FIB)刻蚀在光电子器件方面的应用

聚焦离子束无掩模微细加工技术逐渐引起人们的兴趣，它包括聚焦离子束无掩模刻蚀、注入、往积、光刻等。聚焦离子束刻蚀能在半导体激光器材料上加工得到具有光学精度的表面。首先论述聚焦离子束刻蚀的特点，然后概括说明目前它在光电子器件方面的若干应用。     

离子束辅助沉积技术及其进展

本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理，主要工作特点，设备及主要影响因素。综述了利用该技术在制备各种新型膜层方面研究的新进展。并指出该技术的不足及未来发展方向。