固体纳米电子器件和分子器件

综述了两类纳米电子器件———固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议。     

纳电子器件的少电子输运性质及应用

在纳电子器件运输工程中,需要将纳电子器件的少电子输运性质进行有效的分析,以此充分发挥出纳电子器件的少电子所蕴藏的巨大作用。另外,也要加强纳电子器件少电子的应用,促进我国纳电子器件的发展。     

基于CFD的电子器件散热最优间距的数值研究

为研究高发热功率电子器件散热的机理,采用CFD技术对小空间内电子器件的散热状况进行了研究,模拟了以空气为冷却流体多种电子器件间距条件下小空间的温度场及速度场.以电子器件冷却后的温度水平、平均换热系数、流动阻力为主要因素,并结合场协同理论提出一种评价电子器件冷却效果的评判公式,进而以它为指标得出电子器件散热效果的最优间距.     

电力电子器件应用中需关注的问题

电力电子器件又称为功率电子器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）的电子器件。     

电子器件用高导热陶瓷介质材料

引言陶瓷与金属的封接是近代电子器件研制的关键工艺之一。近代电子器件的发展对陶瓷-金属封接工艺提出新的要求,而陶瓷-金属封接工艺的发展又进一步推动了电子器件的发展。近代电子器件正向着超高频、大功率、宽     

半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状

简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简单介绍了当前固态纳米电子器件的三个部分,即量子点、谐振隧穿器件和单电子晶体管。最后对半导体器件的发展提出了展望。     

金属颗粒调制的复合碳纳米管电子器件的构建和特性测量

利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能.     

电力电子器件

电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上）电子器件。又称功率电子器件。     

金属颗粒调制的复合碳纳米管电子器件的构建和特性测量

利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能.     

纳米电子学

在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性.     

纳米电子学

在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性.     

真空电子器件的失效模式及原因分析

通过研究真空电子器件可靠性的国内外动态,发现国产真空电子器件的可靠性与国际先进水平相比还存在较大的差距.为了寻找改进的切入点,从器件结构和使用环境两方面讨论了国产真空电子器件的常见失效模式及其失效原因,为进一步地开展国产真空电子器件的可靠性研究进行有益的探索.     

创意科技总动员

搜罗全世界关于创意科技的新闻报给你听！科学家研制出可溶解于体内的超薄电子器件科学家研制出一种可溶解于体内的超薄电子器件．这种电子器件一旦完成它们的工作．就能够“融化”。     

固体纳米电子器件的发展及应用

介绍固体纳米电子器件及其应用。固体纳米电子器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子点器件(QD)和单电子器件(SED)。单电子器件又分为单电子晶体管(SET)和单电子存储器(SEM)，     

纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

功率电子器件的现状和最新进展

本文概述了功率电子器件的现状,介绍了用于评估功率电子器件性能的两种优值(Figure of merit)和更广泛使用功率电子器件的SEES方案预测的节能效果。最后,以优值来评估最近研发的硅功率电子器件的新结构,包括S-J MOS、LDMOS、VDMOS、IGBT、BIGT和RF功率MOS等器件结构的改进与创新。     

集成化单电子器件研究进展

传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用,最后指出了单电子器件的新发展方向及所面临的问题。     

GaN转移电子器件的性能与基本设计

基于GaN转移电子器件最基本的工作模式--畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率（0.6THz）的8倍. 从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势. 最后还讨论了GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准（(NL)0=6.3E12cm-2) 及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Ncrit(3.2E17cm-3) . 本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.     

新型真空器件在武器装备中的应用

介绍真空电子器件和固态器件组合的新型电子器件——微波功率模块(MPM),以及将微电子工艺应用于传统真空电子器件而出现的真空微电子器件,这两种器件将对下一代武器系统有重要的影响。     

电力电子器件发展概况及应用现状

回顾了电力电子器件的发展历程,对各种电力电子器件的原理、特性以及在电力电子装置中的应用进行了比较分析,最后对电力电子器件的发展前景进行了展望。