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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
采用HDDR(氢化–歧化–脱氢–再复合)技术制备NdFeCoB合金磁各向异性磁粉。研究了元素Mn对NdFeCoB合金HDDR磁粉的磁性能和磁各向异性的影响。结果表明:加入x(Mn)为2%以下的Mn元素没有改变NdFeCoB合金的相组成,但可提高NdFeCoB合金各相在氢气中的稳定性:当加入x(Mn)从0增加到2%时,NdFeCoB磁粉的内禀矫顽力Hcj从700 kA/m降低到450 kA/m,而NdFeCoB磁粉的磁各向异性DOA值从0.22增加到0.45。  相似文献   

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铁铜铌硅硼非晶磁粉芯性能研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
采用聚乙烯醇做粘结剂,制备了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶磁粉芯。并用XRD、SEM等手段对其进行了表征。还对其磁性能进行了研究,结果表明:μ值随着粉体粒度的减小而减小,随着压力增大而增大;磁粉的粒径变小,粉芯的Bm值上升,Hc值增大;随着压力增大,粉芯的Bm值上升,Hc值则呈下降趋势。粉体粒度的变化对Q值影响不大。磁粉芯的中心频率为10MHz,其最大Q值为20。软磁粉芯在10MHz左右高频范围内,具有较好的应用价值。  相似文献   

5.
采用聚乙烯醇作粘结剂,制备了纳米晶Fe73.5CulNb3Si13.5B9磁粉芯。并对该类磁粉芯的磁性能进行了测试分析。结果表明,随粉体粒度减小,磁粉芯的μr减小、Bm、Hc上升;随压力增大,粉芯的致密度、μr,Bm上升,Hc值下降;磁粉芯的中心频率为10MHz,其最大Q值为99.6。这种材料在高频范围内具有应用价值。  相似文献   

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8.
铁铜铌硅硼非晶与纳米晶磁粉芯性能比较研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了以聚乙烯醇作粘结剂制备的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶、纳米晶磁粉芯的磁性能。所获结果表明:当制备工艺和测试条件相同时,非晶磁粉芯比纳米晶磁粉芯的相对磁导率(μr)高,它们的中心频率都为10MHz。在10MHz测试条件下,10MPa压力成型的100,160,200目磁粉芯的Q与μr之积,非晶比纳米晶的大;250,300目磁粉芯的Q与μr之积,则纳米晶比非晶的大。  相似文献   

9.
采用聚乙烯醇作粘结剂,制备了纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9磁粉芯.并对该类磁粉芯的磁性能进行了测试分析.结果表明,随粉体粒度减小,磁粉芯的μr减小、Bm、Hc上升;随压力增大,粉芯的致密度、μr、Bm上升,Hc值下降;磁粉芯的中心频率为10 MHz,其最大Q值为99.6.这种材料在高频范围内具有应用价值.  相似文献   

10.
采用气流磨破碎的Fe78Si9B13非晶合金粉末制备了非晶磁粉芯,研究了绝缘包覆工艺和热处理工艺对磁粉芯性能的影响。结果表明经磷酸丙酮溶液钝化处理的粉末制备的磁粉芯其性能要优于其他经氧化物粉末、矿物粉、硅酸盐包覆处理的粉末制备的磁粉芯。随着热处理温度的升高,磁粉芯的相对磁导率呈先增大后减小趋势,当热处理温度为400℃时,其所制备的磁粉芯的相对磁导率μe最大(26),损耗Ps最低(11.1 W/kg,50 kHz),相应的矫顽力Hc和品质因数Q分别达到最低值12.1 A/m和最高值273.9。  相似文献   

11.
铜钼化合物氢还原制备铜钼复合粉研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
通过对铜钼化合物氢还原过程进行热力学分析,找到了制备均匀细颗粒铜钼复合粉的热力学途径。设计了封闭还原系统,用此系统进行氢气热还原,不仅使氢气得到充分利用,而且容易判断反应终点。通过系统内的特殊装置除水,降低了还原温度,在650℃下还原得到了混合均匀的铜钼复合粉。系统能彻底快速除去反应生成的水分,使反应物的湿度大大降低,确保能得到细颗粒的铜钼复合粉,其平均粒径小于70nm。  相似文献   

12.
向Sn-0.70Cu-0.05Ni无铅钎料中添加微量混合稀土元素RE(主要是La和Ce),研究了RE添加量对该钎料合金显微组织及性能的影响.结果表明,添加微量的RE能显著细化该钎料合金组织,抑制金属间化合物的生长,改善合金的组织分布,提高钎料的润湿性及力学性能.当w(RE)为0.10%时,钎料的润湿力,拉伸强度分别为3...  相似文献   

13.
采用单辊快淬法制备了Fe40Co40Zr7Nb2AlB9Cu非晶合金薄带,在不同温度下对其进行等温退火处理。研究了退火温度对合金的结构、热行为和磁性能的影响。结果表明:Fe40Co40Zr7Nb2AlB9Cu非晶合金的DTA曲线存在2个晶化放热峰,晶化激活能分别为267.3 kJ/mol和188.3 kJ/mol。其晶化过程为:非晶→非晶+α-FeCo→α-FeCo+Co2Zr+ZrCo3B2+Fe(Co)3Zr。α-FeCo相的晶化体积分数和晶粒尺寸随退火温度的升高而逐渐增大。低于873 K退火时,矫顽力变化不明显;873 K退火时,矫顽力达到最小值0.27 kA/m;高于873 K退火时,矫顽力逐渐增大。  相似文献   

14.
采用丝网印刷法制备了钡铁氧体厚膜,系统研究了玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜磁性能的影响。结果表明,随着玻璃粉含量的增大,样品的致密度逐渐提高;饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均呈现出先增大后减小的趋势;而剩磁比(Mr/Ms)单调上升。当玻璃粉含量增大到质量分数7%时,所制得样品的饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均达到最大值,分别为151,76.6,310 kA/m。当玻璃粉含量为质量分数13%时,剩磁比达到0.615。  相似文献   

15.
采用高能球磨和微氧化气氛热处理制备了Nd2(Fe1-rNix)17(x=0,0.05,0.15,0.50)吸波粉体,研究了Ni的含量对NdFeNi粉体的相组成和吸波性能的影响.结果表明:当x=0,0.05,0.15和0.50时,样品的组成相均是Nd2Fe17、α-Fe和Nd2O3相.NdFe样品对电磁波的损耗以介电损耗为主;NdFeNi样品对电磁波的损耗以磁损耗为主.随着Ni含量的增加,样品对微波的吸收峰逐渐向低频移动,且其反射率逐渐升高.  相似文献   

16.
采用高能球磨和微氧化气氛热处理制备了Nd2(Fe1–xNix)17(x=0,0.05,0.15,0.50)吸波粉体,研究了Ni的含量对NdFeNi粉体的相组成和吸波性能的影响。结果表明:当x=0,0.05,0.15和0.50时,样品的组成相均是Nd2Fe17、α-Fe和Nd2O3相。NdFe样品对电磁波的损耗以介电损耗为主;NdFeNi样品对电磁波的损耗以磁损耗为主。随着Ni含量的增加,样品对微波的吸收峰逐渐向低频移动,且其反射率逐渐升高。  相似文献   

17.
Fe-Cr-Si-B非晶磁粉芯的制备与磁性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以水雾法制备的Fe-Cr-Si-B非晶合金粉末为原料制备了非晶磁粉芯,研究了退火温度和成型压力对磁粉芯性能的影响。结果表明:Fe-Cr-Si-B合金粉末具有较高的非晶化程度和良好的热稳定性;当退火温度低于非晶合金的起始晶化温度时,非晶磁粉芯的起始磁导率μi在440℃附近达到峰值44.7,对应的损耗则相对最低(260×10–3W/cm3,50 kHz);当成型压力由30 MPa增大到50 MPa时,磁粉芯的μi由38.6增大到46.4,其损耗则逐渐降低。  相似文献   

18.
采用流动温压成型技术制备了各向同性粘结NdFeB/锶铁氧体复合磁体。研究了不同类型NdFeB磁粉对粘结NdFeB/锶铁氧体复合磁体磁性能和交换耦合作用的影响。结果表明,粘结贫稀土NdFeB/锶铁氧体复合磁体的综合磁性能最好,当NdFeB和铁氧体的质量比为3:2时,其磁性能Br=0.38 T,Hcj=524 kA/m,(BH)max=21.9 kJ/m3;另外,其Henkel曲线为典型的S型曲线。粘结纳米双相NdFeB/锶铁氧体复合磁体内的交换耦合作用近乎消失,磁体内以静磁交互作用为主。  相似文献   

19.
Interfacial reactions in the Sn-(Cu)/Ni,Sn-(Ni)/Cu,and Sn/(Cu,Ni) systems   总被引:1,自引:0,他引:1  
Specimens with the Sn/Cu/Sn/Ni/Sn/Cu/Sn structure reacted at 200°C are prepared and examined. The Cu6Sn5 and Cu3Sn phases are formed at the Sn/Cu interface, and the Cu6Sn5 and Ni3Sn4 phases at the Sn/Ni interface. The reaction path in the original Cu/Sn/Ni part of the specimen is Cu/Cu3Sn/Cu6Sn5/Sn/Cu6Sn5/Ni3Sn4/Ni. The peculiar phenomenon of the Cu6Sn5 phase forming at both sides of the Sn phase is illustrated using the Sn-Cu-Ni phase diagram with a very wide compositional-homogeneity range of the Cu6Sn5 phase. Interfacial reactions at 240°C between pure Sn and (Cu,Ni) alloys of various compositions are determined. The Cu6Sn5 phase is formed when the NI content is less than 30 wt.%, and the Ni3Sn4 phase is formed when the Ni content is higher than 40 wt.%. When the Ni content is between 35 wt.% and 40 wt.%, both Cu6Sn5 and Ni3Sn4 phases are formed. It is also noticed that the formation of the Cu3Sn phase at the Sn/(Cu,Ni) interface is suppressed with more than 1wt.%Ni addition in the substrate.  相似文献   

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