Co对弧光放电离子镀WC—Co膜生长的影响

利用弧光放电离子镀法获得了难熔超硬ＷＣ－Ｃｏ膜。随着Ｃｏ含量的增加，使真空室里等离子态趋于稳定，并使成膜速度增加；其组织结构为Ｔｈｏｒｎｔｏｎ图里的Ｔ区，并逐渐由柱状晶组织变成致密的组织结构。     

WC－Co硬质合金的矫顽磁力

研究了γ相分布和淬火处理对ＷＣ－Ｃ０合金矫顽磁力Ｈｃ的影响规律和机理。结果表明：ＷＣ－Ｃ０合金Ｈｃ与γ相分布有着密切关系，其随合金中Ｃｏ％和ｄｗｃ增加而降低的程度在低Ｃｏ合金范围内符合线性规律，在高Ｃｏ合金中则平缓降低，这是由于ＷＣ邻接度Ｃｗｃ－ｗｃ对γ相磁畴在反磁化过程中的阻滞作用的影响；淬火处理提高ＷＣ－Ｃｏ合金的Ｈｃ主要是由于淬火对γ相成分和应力状态的影响。     

WC－20Co硬质合金钎焊的热处理机理

研究了高频钎焊同时淬火处理对ＷＣ－２０Ｃｏ硬质合金刀片显微结构和性能的影响。结果表明，在１０００～１２００℃温度范围内处理将导致ＷＣ－２０Ｃｏ合金刀片中ＷＣ相邻接度∑ＷＣ－ＷＣ下降、ｒ相平均自由程Ｌ＿ｒ增加、韧性改善和硬度提高等一系列淬火效果。断口形貌微观特征也表明了合金韧性的提高。当处理温度超过１２００℃后，ＷＣ－２０Ｃｏ合金的显微结构和性能将恶化。     

WC粒度对WC/10Co注射成形工艺的影响

研究了不同粒度的WC粉末对WC/10Co注射成形工艺(PIM)的影响,分析了WC粒度对喂料流变性、注射坯质量、脱脂工艺和烧结工艺的影响机理。结果表明:WC粒度越小,WC/10Co喂料流变性越差,注射坯质量越低,溶剂脱脂速率越高,合金形状偏差越大。超细WC/10Co喂料存在粉末团聚颗粒、粘结剂包裹不充分,其热稳定性低、流动性降低56%,注射坯致密度下降5%;超细WC-10Co合金的线收缩率达到20.80%,尺寸偏差为2.85%,脱脂-真空烧结时易出现脱碳现象。     

真空－气压烧结WC—Co硬质合金的研究

以真空－气压烧结炉为主要手段，研究了ＷＣ—Ｃｏ硬质合金在真空烧结中的行为及气压烧结的作用。结果表明：ＹＧ８牌号的硬质合金的真空烧结起始于约９４０℃，终止于约１４２０℃，其真空烧结机理为相界反应控制的“溶解－淀析”过程。采用气压烧结工艺后，材料各方面性能均有明显改善。     

WC—Co硬质合金中钴相的磁性研究

在测定了室温下相应于六方型α-Co 和立方型β-Co 的比饱和磁化强度(4πσ)的基础上,探讨了钨和碳的固溶对钴的4πσ的影响规律;按照 WC-Co 硬质合金中粘结相成分制备了 Co-W-C 固溶体模拟合金,并讨论了成分和结构对其4πσ的影响。指出在测定 WC-Co 硬质合金的4πσ时必须考虑钴相的结构因素。     

Co含量对金刚石–WC–Co复合材料耐磨性的影响

随着采矿和城市基建等行业的发展,对矿用WC–Co采掘工具的耐磨性提出了更高的要求。通过添加金刚石增强WC–Co矿用工具的耐磨性是一种可行的新思路。在烧结制备金刚石–WC–Co复合材料的过程中钴相作为催化剂会加速金刚石向石墨转变。为研究Co对复合材料中金刚石石墨化程度的影响,采用放电等离子体烧结技术(SPS)制备金刚石–WC–Co复合材料,分析了复合材料中金刚石石墨化程度并采用砂轮法研究了复合材料的磨损性能和磨损机理。结果表明：金刚石–WC–Co复合材料中金刚石可以起到增韧效果;Co含量增加会促进复合材料致密化进程,同时也会降低复合材料的硬度;随着Co含量增加,复合材料材料耐磨性变差。磨损过程中 WC–Co基体率先被磨损去除,金刚石后被磨损,金刚石会增强材料的耐磨性能。     

准分子激光预处理对硬质合金表面沉积金刚石薄膜结合强度的影响

研究了不同表面预处理条件下,硬质合金表面沉积金刚石薄膜的附着强度和破坏方式。结果表明,准分子激光预处理可以大幅度提高金刚石薄膜的附着强度,其作用机理是由于准分子激光辐照处理使硬质合金表面层的Ｃｏ选择性蒸发,避免了Ｃｏ对金刚石薄膜沉积的有害影响,以及由于高能激光束引起的表面改性（粗糙化）所产生的对金刚石薄膜的“锚链效应”。     

甲烷浓度对等离子喷射金刚石厚膜生长稳定性的影响

采用高功率直流电弧等离子体CVD工艺制备了不同厚度的无裂纹自支撑金刚石厚膜．实验中观察到在金刚石厚膜生长过程中出现了形貌不稳定性,其程度随甲烷浓度的不同而变化．从理论和实验两个方面对这种不稳定性进行了讨论,认为直流电弧等离子体的高温造成碳源高饱和度是生长不稳定性的根本原因．实验结果表明,在沉积金刚石厚膜时,为了稳定地获得高质量的厚膜,甲烷浓度不宜过高．     

TEM OBSERVATION OF ION-PLATED Al FILM ON Ni SUBSTRATE

A new phase was found at the interface between Al film and Ni substrate when the time ofion-plating reaches 5 min.It was identified to be body centered tetragonal lattice with theconstants a=b=0.588 nm,c=0.480 nm.The variation of microstructure and phases with theion-plating time were observed.Based on these results,the ion-plating film formation mech-anism has been also discussed.     

Ni基体磁控溅射离子镀Al膜的电镜观察

利用横截面电镜样品,对Ni基体磁控溅射离子镀Al膜进行了透射电镜观察。研究了不同工艺条件下镀膜的组织形态,相结构以及相分布。镀覆5min时,在Ni基体和镀Al膜交界处,发现一个Al-Ni系中迄今未见报道的未知相。经电子衍射分析其为体心四方点阵,a=b=0.588nm,c=0.480nm。研究了随时间变化的镀膜组织结构变化情况。     

低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si（100）表面低温沉积TiN膜，研究了高密度低能量（≈20eV）离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响．结果表明，高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃，当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji／JTi≥4.7时，沉积的TiN膜仍可具有完全的（200）面择优生长，薄膜微观结构致密，硬度达到25GPa，残余压应力小．     

偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理

在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜，采用扫描电子显微镜(sEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况，并分析偏压对大颗粒的影响．结果表明，偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用．直流偏压下，等离子体鞘层基本稳定，电子对大颗粒表面充电能力很弱，而脉冲偏压下，由于鞘层厚度不断变化，大颗粒不断进出于鞘层，电子对大颗粒表面的充电能力强，使其所带负电荷明显增多，受到基体的排斥力变大，大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善．     

内应力对金属薄膜生长织构的影响

基于FS型原子镶嵌势（EAM热）用分子动力学模拟了金属多晶薄膜的原子沉积生长过程，通过预设恒定应变在薄膜生长过程中引入了单轴压应力，模拟研究了应力对呈丝织构的多晶薄膜中沿丝轴旋转取向择优的影响，模拟结果表明，在固定压应变条件下，最密排方向偏离压应力轴的晶粒较为优先生长发展；在生长过程中，取向择优的晶粒从沉积表面开始逐渐扩张吞并相邻晶粒，模拟结果还显示，这种生长织构的发展随沉积膜厚增加有显著的临界特征，在织构发展过程中被吞并的晶粒局部出现孪晶，继而转换为择优生长晶粒的结构，在被吞并的晶粒最终消失处将会留下失配位错。     

SiC颗粒增强体对铝基复合材料微弧氧化膜生长的影响

用微弧氧化方法在SiCp／2024铝基复合材料表面沉积出较厚的陶瓷膜,测定了陶瓷膜的生长曲线和相组成,提出了金属基复合材料微弧氧化膜生长模型．结果表明,微弧放电烧结作用下,膜层内SiCp增强体大部分已被熔化并氧化,只有少数残余的SiCp颗粒仍然保留在靠近界面的膜层内．SiCp增强体阻碍了微弧氧化膜的生长,但它并未破坏微弧氧化膜的完整性,这同铝基复合材料阳极氧化膜结构完全不同．     

预钝化膜的分形生长研究

研究了纯Ｆｅ在Ｈ_２ＳＯ_４中从活化态转变成钝化态的预钝化过程．建立并分析预钝化膜生长模型．发现在致钝初期，预钝化膜复盖处的周界曲线维数大于１，预钝化膜的生成以分形方式进行，其维数随钝化电位的提高而提高．这表明不同电位下生成的初期预钝化膜具有不同的结构，也说明了钝态具有耗散结构特征．     

Si衬底上Co薄膜氧化观察

用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．