节能化：功率器件的永恒主题

针对各类设备的小型化、低功耗化、高效化和高速化的要求,人们加紧了相应的功率器件的研制开发。另外,功率器件的基本构造正在从双极型MOS型过渡,作为MOS器件的功率MOSFET、IGBT(Insulated Gage Bipolar Transistor)和IPD(Intelligent Power Device智能型功率器件)都在努力扩大自己的应用领域。 目前,随着人们环保意识的增强,市场对节能型电气设备的需求量逐渐上升,空调、冰箱等家用电器大量采用变频技术便是一个很好的例证,而作     

MOSFET功率开关器件的散热计算

文中介绍了以MOSFET为代表的功率开关器件功率损耗的组成及其计算方法，给出了功率器件散热器的热阻计算方法和步骤．简要说明了在采用风冷散热时应遵循的一般准则。     

IGBT在发射机功率开关电路中应用研究

DF100APSM短波发射机在大功率短波台是运用最广泛的机型,IGBT以其驱动简单快速、驱动功率小而饱和压降低的优点,在此机型的功率模块中应用,本文结合实际电路,探讨了IGBT的原理及电路应用及维护,为实际应用中电路的熟悉和维护提供借鉴。     

短波发射机固态功率前级电路探索

文章介绍了短波广播发射机固态功率前级运行稳定性的探索和技术改进措施。针对功率场效应晶体管的特性参数,选择对应的器件,并且设置相应的保护电路。     

从实验室到代工厂的功率器件特性分析

近来,随着市场的驱动朝向更加节能的应用方向,对于诸如二极管、场效应晶体管、IGBT以及其他器件等更好的大功率半导体器件产生了持续增加的需求。新技术为带来更好的性能履行承诺,包括更低的开态功耗、更低的关态漏电、更快的开关速度以及在开关过程中减小功耗。     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

迅速发展的功率电子器件

以日本、韩国等家用电器强国为首,国外正在推行着家用电器“逆变器化”。所谓“逆变器化”通俗地说就是利用功率电子器件,将传统的工频交流进行电流、电压乃至频率的变换,从而达到功率变换和控制的目的。目前“逆变器化”的空调器和荧光灯镇流器已广泛应用,而使用功率电子器件的新型电冰箱、洗衣机和除尘器正逐步进入千家万户。除此之外,在工业领域,电机控制上广泛采用了通用逆变器和交流伺服电机,电焊机、不间断电源等也几乎都采用了逆变器控制。此外,还有电动汽车、新型电机车和太阳光发电等,可以说,逆变器已广泛用于家用电器、…     

低损耗的IGBT／MOSFET并联开关在开关电源中的应用

介绍一种由ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ组成的新颖的低损耗关联开关的构成，工作原理，以及在高频大功率开关电源中的应用，并比较了使用并联组合开关和使用ＭＯＳＦＥＴ（或ＩＧＢＴ）的损耗，给出了在产品的使用效果。     

ROHM(罗姆)眼中——SiC功率器件的技术市场走势

探讨了SiC的技术特点及其市场与应用。     

一种X波段固态功率放大器

介绍一种X波段固态功率放大器的设计方案,并给出研制结果。     

X波段固态功率放大器稳定性分析设计

X波段固态功率放大器相对于较低频段的固态功率放大器，其稳定性问题更加突出。腔体效应是导致稳定性问题的重要因素，通过对腔体效应的理论分析，文中提出了工程应用中解决因腔体效应导致的稳定性问题的可行方法，成功地解决了X波段固态功率放大器设计过程中遇到的腔体效应问题。     

功率MOS器件的结构与性能

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,本文分析比较了近十年来十种实用的具有新型的功率MOS器件的结构与性能特点,包括：NPT－IGBT、PT－IGBT、SDB－IGBT、Trench MOSFET、Trench IGBT、Cool MOSFET、BiMOSFET、HV－IGBT、HS－IGBT、RB－IGBT。     

SSPA自适应预失真器的设计方案

OFDM技术具有传输效率高和有效对抗多径衰落的优点,已经成为无线局域网标准的一部分.但OFDM信号有较大的峰值平均功率比,要求功率放大器具有很大的线性动态范围,否则直接影响着整个系统的运行成本和效率.针对固态功率放大器,提出了一种改进的基于查找表的自适应预失真方案.仿真结果表明,该方案有效地抑制了谐波分量和互调失真,对HPA的非线性有一定的改善,并且有效利用了硬件存储资源和提高了硬件运行速度.     

一种S波段固态高功放的设计及故障分析

固态功率放大器是FY-2气象卫星地面应用系统中耗电量最多,发热密度最大的设备,其性能直接影响着信号发射、接收的质量。为确保其在工程应用中的高稳定可靠性,对实际运行中可能会出现的无射频功率输出、输出驻波过大、输出功率泄漏等故障情况给予论述,并对故障的排除过程进行了深入的分析,提出了有针对性的解决方案。给出了频谱对照图,结果表明解决方案完全合理可行,为SSPA总体设计提供了良好的思路及可行依据。     

便携电子设备中音频功放的发展

目前应用于便携设备中的音频功率放大器,主要分为AB类和D类两种,它们的主要区别就是放大器分别工作在线性区和非线性区。AB类功放性能好,成本低,但效率不高,因此主要应用在小功率输出场合。而D类功放由于工作在开关状态,可以获得很高的效率,特别适合大功率大音量输出的场合,但D类功放应用中也伴随着EMI干扰的问题。随着技术的发展及绿色节能的要求,D类放大器将获得更多的应用。     

新型功率半导体器件发展之我见

新型功率半导体器件既具有广阔的市场需求,又与风电、光伏、有轨交通等新兴产业密不可分,具有节能、节材、环保等效益,对促进可持续发展有重要意义。宽禁带半导体是功率器件实现飞跃的突破口,将引领功率器件发展的新时代。     

星用固态脉冲功率放大器的热设计研究

主要研究了星用固态脉冲功率放大器的热设计。以某卫星Ku波段功率放大器为例,介绍Ku波段功率放大器的热设计,并给出了仿真和验证试验结果。     

移动通信用GaAs HBT功率放大器

介绍了移动通信用 Ga As HBT功率放大器的设计、制作 ,给出了电路拓扑。该两级放大电路在 180 0 MHz、3.6 V偏压下 ,相关增益 >30 d B,1分贝压缩点输出功率达到 2 8.8d Bm,饱和输出功率 >30 d Bm,最大效率 >37%。采用 Φ 76 mm工艺制作 ,工艺成品率高     

声频功率放大器的音源选择电路

介绍声频功率放大器的书籍很多,大多数是介绍它的放大部份,对音源选择电路很少提及。这里介绍几种常见的音源选择电路,如轻触式电子开关式音源选择电路、用继电器组成的音源选择电路等,供大家参考。