PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W_(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对以银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗变化类型。     

ZBN-NBN系低温高频瓷料在MLC引进线上的应用

本文介绍了ZnO·Bi_2O_3·Nb_2O_5-Ni_2O_3·Bi_2O_3·Nb_2O_5系(简称为ZBN-NBN系),温度系数0±60×10~(-6)/℃的瓷料,在MLC引进线上应用过程中所存在的问题,解决问题的方法及取得的成果。     

低温烧结BaO-TiO2系微波瓷料

利用传统的混合氧化法制备BaO-TiO2系统陶瓷。通过添加适量的玻璃,系统的烧结温度在其介电性未降低的条件下被成功地降至950°C。该文也研究了玻璃的数量和预烧温度对介电性能的影响。按0.64BaTi4O9+0.33ZnO+0.03Nb2O5+xSnO2+yMnCO3(x=0.01～0.06,y=0.01～0.8)配方,在预烧温度为1110°C和烧结温度为950°C时,有以下的微波特性:其介电常数εr为32.2,介质损耗tanδ为1.5×10-4。这种系统陶瓷能与纯Ag电极共烧,使得MLCC的成本极大地降低了。     

一种高频低介MLC用瓷料系统的研究

选取MgO-SiO2-TiO2系作为研究对象,研究实验工艺及瓷料组成对系统介电性能的影响。借鉴高频低介瓷的基本组成原则,反复研究成分配比,确定了系统的最佳组成。高频下得到了性能优良的低介、低损耗、低电容量温度系数、高体积电阻率的多层陶瓷电容器用瓷料,用其制成的MLC可广泛应用于航空、航天、国防军事等尖端技术设备中。     

电镀前工艺对MLCC电镀后质量的影响

在相同电镀条件下，对不同银端浆、不同材料体系的ＭＬＣＣ进行电镀，实验结果表明，它们的镀后合格率不一样。总的来讲，１类瓷的镀后合格率要高于２类瓷的合格率，高温烧结的ＭＬＣＣ的镀后合格率要高于低温烧结的ＭＬＣＣ。端电极银底层的质量对于镀后ＭＬＣＣ的产品合格率有很大的影响，用扫描电镜观察发现如果银底层不致密或有针孔，将导致镀后ＭＬＣＣ的损耗超出合格标准。     

MLC银端电极浆料的研究

用光亮超细导电银粉、玻璃料粉和有机粘合剂等制成浆料。经浸涂、干燥、烧成形成多层瓷介电容器的端电极。试验结果表明，本浆料达到引进线的工艺技术要求和端电极专用浆料的标准要求；各种技术性能良好，可与进口的美国同类浆料媲美。     

低温烧结低介硅灰石瓷料的研制

通过对实验试样的差热分析及XRD分析,得知烧结过程中液相的存在可促使氧化钙与氧化硅形成硅灰石相。硅灰石瓷配方中SiO2过量(w≤10%)及粘土的w≤10%时能有效地降低烧成温度(1 170 ~1 230℃)。研制瓷料介电性能:er = 7.0~9.0,tgd =(1.0~5.0)104,rv≥(2.0~5.0)1013Ω·cm,aε为(0±30)106℃1。     

银掺杂对低温烧结四元系陶瓷压电性能的影响

研究了微量银掺杂对多层压电陶瓷器件中使用的高性能低温烧结PMN－PNN－PZT（PMNNZT）基陶瓷压电性能的影响。结果表明：在烧结后没有产生明显的新相，少量银掺杂促进了陶瓷的烧结，增强了PMNNZT陶瓷的铁电性。对其压电性能的影响比较显著，具体表现为：微量的银掺杂增强了压电性能，但更多的银掺杂恶化了陶瓷的压电性能。该文解释为银掺杂影响了压电陶瓷材料的应变性能，从而进一步影响了压电性能。     

钡铜钨离子在PFN-BCW系瓷料中的作用

通过Ba~(2+)、Cu~(2+)、W~(6+)离子对PFN的A位或B位取代试验,研究了BCW在PFN-BCW二元系中的作用。Ba~(2+)离子的A位取代能显著降低系统的Tc,且展峰作用明显。少量Cu~(2+)离子的添加能显著降低PFN的烧结温度。Cu~(2+)、W~(6+)离子的复合B位取代能提高Cu~(2+)在PFN中的固溶量,减少焦绿石相的形成,有利于系统的低温烧结和改性。     

低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究

为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870~950℃的温度范围内研制出压敏场强为210~260 V/mm,漏电流小于1 mA,非线性系数大于40的压敏电阻器。本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响。用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论。     

MgO－TiO_2－ZnO系高压MLC瓷料的研究

研究了ＭｇＯ－ＴｉＯ２－ＺｎＯ（ＭＴＺ）系高压ＭＬＣ介质陶瓷的结构和介电性能。ＸＲＤ分析表明：其主晶相是六方晶系ＭｇＴｉＯ３以及少量的ＺｎＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３附加晶相。此种瓷料制成多层陶瓷电容器，具有耐高压、高工作频率等优点。     

MgO－TiO_2－ZnO系高压MLC瓷料的研究

研究了ＭｇＯ－ＴｉＯ２－ＺｎＯ（ＭＴＺ）系高压ＭＬＣ介质陶瓷的结构和介电性能。ＸＲＤ分析表明：其主晶相是六方晶系ＭｇＴｉＯ３以及少量的ＺｎＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３附加晶相。此种瓷料制成多层陶瓷电容器，具有耐高压、高工作频率等优点。     

提高95瓷性能及低温烧成的途径

综述了提高９５瓷（９５％Ａｌ２Ｏ３瓷）性能及低温烧成的途径，并探讨了其作用机理。研究结果表明，晶粒细小、闭口气孔率低且结构均匀的致密瓷件。其抗酸性、抗热震性、耐磨性和电学性能均佳；可通过添加适量改性添加剂，来提高９５瓷性能；９５瓷的烧结温度可降至１４００～１５００℃。     

低温共烧生瓷带

使用低介电常数的介质材料和高导电率的金属;可埋入电阻、电容,将生瓷带叠片并低温(800～1000℃)烧结。     

预烧结添加剂对95%氧化铝瓷致密化的影响

分别以CaO、MgO、SiO2简单氧化物和它们的预烧结体作为添加剂加入到质量分数为95%氧化铝中,并于1600℃烧结。用XRD分析了这两种形式添加剂烧成的样品物相组成,用SEM观察其表面和断面的微观形貌,进行抗弯强度试验。结果表明:与加入简单氧化物助剂的氧化铝陶瓷相比,加入预烧结助剂的氧化铝陶瓷可以实现更充分的液相烧结,烧成时间明显缩短,陶瓷相对密度可达到98%以上,晶粒尺寸为5μm左右,抗弯强度大于300MPa。     

锂铁氧体的低温烧结及磁电特性研究

针对片式电感器用锂铁氧体的材料制备和特性进行了研究.通过添加适量超细球状Bi2O3有效抑制Li的挥发,并将锂铁氧体的烧结温度降低至900℃以下,而后引入ZnO、TiO2、MgO、MnCO3、BaTiO3等添加剂,分析研究了Fe2O3含量的偏离、离子取代对复合锂铁氧体电磁性能影响的机理,优化了工艺,在880～900℃烧结的样品起始磁导率μi可达250～300,温度系数αμ/μi＜5×10-6(10～70℃),比损耗系数tanδ/μi＜5×10-5,截止频率小于10 MHz,电阻率ρ＞1010Ω·m,居里温度Tc＞150℃.