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相似文献
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1.
科技的发展带来更加严格的器件指标,电子器件的小型化、高性能趋势日益明显。滤波器作为射频元器件的重要组成部分,小型化研究已迫在眉睫。基于先进的LTCC工艺技术,选用带状线结构,实现了一款带通滤波器的小型化设计。通过交叉耦合的方式插入零点,提高边带的陡峭度,实现了优异的性能。经过大量仿真优化后投入生产加工,实物测试结果吻合仿真曲线,中心频率为3 400 MHz,带宽为200 MHz,在3 200 MHz频率上的衰减优于30 d B,在3 720 MHz频率上的衰减优于20 d B,尺寸仅为4.8 mm×4.2 mm×1.5 mm。  相似文献   

2.
《微型机与应用》2016,(11):28-30
提出了一种基于LTCC技术的L波段四级分布带通滤波器的实现方法。该带通滤波器由四级谐振器组成,每级谐振器由三层平行放置的带状线排列而成,其中Z形带状线起到形成传输零点的作用,从而实现良好的带外阻带衰减。通过ADS电路仿真以及HFSS软件三维建模设计,滤波器的加工测试结果与电磁仿真结果相匹配,四级带通滤波器的中心频率为1.46 GHz,带宽为250 MHz,通带范围内插入损耗均优于2.56 d B,在0 GHz~1.22 GHz频率的带外衰减优于36 d B,尺寸仅为4.5 mm×3.2mm×1.5 mm。该滤波器频段属于L波段,设计中采用了带状线分布式结构来实现滤波器的小型化。  相似文献   

3.
基于70.000MHz基频晶体谐振器的设计和研制,实现了小体积70.000MHz宽带晶体滤波器,其3d B带宽大于100k Hz,阻带衰减大于60d B,矩形系数小于3,输入输出阻抗50Ω,体积为30×20×12(mm3),小体积滤波器的实现,为通信设备的模块化提供了条件。  相似文献   

4.
提出一种新型的具有双阻带特性的反向螺旋形缺陷接地结构(DGS),对该结构的参数变化进行了分析与仿真,发现根据其变化规律可以有效地调节双阻带的位置。利用该结构制作的带阻滤波器,阻带窄、衰减陡峭。通过软件优化设计了一个阻带分别位于3.5GHz和6GHz的双阻带滤波器,从HFSS软件仿真的结果证明了这种新型DGS结构的有效性和可行性。  相似文献   

5.
提出一种新型的具有双阻带特性的反向螺旋形缺陷接地结构(DGS),对该结构的参数变化进行了分析与仿真,发现根据其变化规律可以有效地调节双阻带的位置。利用该结构制作的带阻滤波器,阻带窄、衰减陡峭。通过软件优化设计了一个阻带分别位于3.5GHz和6GHz的双阻带滤波器,从HFSS软件仿真的结果证明了这种新型DGS结构的有效性和可行性。  相似文献   

6.
《电子技术应用》2013,(1):90-92
提出了一种微带馈电的超宽带天线。该天线印刷在覆铜介质基板上,介质基板尺寸为30 mm×35 mm×1.5 mm,材料是介电常数为4.4的FR4介质。利用仿真软件HFSS对天线参数进行仿真和优化。通过在微带面上开缝,可实现天线频带宽度(S11<-10 dB)2.5 GHz11.5 GHz,相对带宽达128%。结果表明,该天线不仅满足超宽带要求,而且结构简单,体积小,适合在UWB通信中应用。  相似文献   

7.
采用0.5μm Ga As PHEMT工艺设计了一款工作于2.7GHz~3.5GHz的3bit数控衰减器芯片,经过测试通态插入损耗0.7d B,最大衰减量5.6d B,衰减步进0.8d B,衰减平坦度≤0.1d B,衰减精度±0.2d B,全态输入/输出电压驻波比系数1.25,全态衰减附加相移在-3°~2°之间,芯片面积1.04mm×1.2mm。  相似文献   

8.
李鹏  马红梅  张旭珍 《计算机工程》2011,37(13):246-247,261
采用传统的网络综合法设计计波器存在带宽不精确及阻带衰减过小的问题,为此,提出一种基于粒子群优化算法的无源模拟滤波器优化设计方法.在网络综合法设计的滤波器电路基础上,利用粒子群优化算法对滤波器的整个参数空间进行高效并行搜索直到获得最优的参数值.实例表明,采用该方法设计的滤波器带宽更加准确,且具有更加陡峭的阻带衰减.  相似文献   

9.
基于DDS的低通滤波器设计与仿真   总被引:4,自引:0,他引:4  
分析了几种经典滤波器特性,重点研究了DDS系统中低通滤波器的设计方法。根据DDS的结构特点和输出杂散频谱特性,结合滤波器技术指标使用了归一化法完成了一个九阶椭圆函数低通滤波器的设计,使其通带截至频率为120MHz、通带内最大衰减为0.2dB、在135MHz处阻带内最小衰减为66dB。通过Multisim10对其进行仿真后可以得出,使用此种方法设计的低通滤波器过渡带陡峭、幅频特性仿真良好,并且能够很好地满足预期的技术指标。  相似文献   

10.
滤波器是微波毫米波电路中的一个重要部件,本文介绍了采用基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS滤波器.设计制作了MEMS滤波器的核心部件谐振器,测试结果显示该谐振器无载Q值大于180,频率误差控制在2%以内.以此为基础采用理论计算与实验设计相结合的方法设计了一个Ka波段硅基MEMS滤波器.滤波器中心频率为30.3 GHz,插入损耗1.5 dB,相对带宽5%.芯片尺寸为10.0 mm×2.8 mm×0.4 mm.  相似文献   

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