应用于场致发射的掺杂纳米金刚石膜的研究

场致发射是一种新型显示技术,具有良好应用前景,场发射显示器的核心内容是场发射阴极材料,纳米金刚石由于低表面粗糙度、低场发射强度、高发射电流密度、大比表面积、网状结构以及高密度悬挂键等优秀电化学性能成为场发射的理想阴极材料.本文阐述了化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜的沉积装置、预处理和工艺参数,并介绍了金刚石掺杂机理和掺入元素的研究现状.     

平板显示用场发射冷阴极材料

简要介绍了场致发射显示器件的结构和原理,全面总结了人们正在研究的各种场发射冷阴极材料,其中主要包括金属场致发射阵列、硅场致发射阵列、金刚石及其相关薄膜、碳纳米管和纳米纤维、一维纳米材料、碳化物、氮化物薄膜等.并展望了场致发射显示器件的发展前景.     

场致发射电子源的应用及其研究进展

由于具有低温、电子瞬间发射等优势,场致发射电子源在X射线管、负氢离子源、显示器件等领域都具有应用潜力。本文首先介绍了场致发射的几种应用;比较分析了不同场致发射电子源及其特点;最后结合实验研究工作,分析了类金刚石膜作为场致发射阴极材料的可行性。分析可知:Spindt加工困难且易于损坏;碳纳米管以其独特的结构成为目前研究最热的材料;类金刚石膜易于合成、成份可调节,它兼具的金刚石和石墨的优点使其成为一种潜在的理想场致发射阴极材料。     

场致发射阴极材料的研究与进展

场致发射显示器是一种新型的具有竞争力的平板显示器,场致发射阴极是场致发射显示器的重要组成部分.介绍了各种场致发射阴极材料及其特性,分析了场致发射机理及各种场致发射阴极材料最新进展,并简单讨论了场致发射材料国内外开发应用研究现状及差距.     

场致电子发射薄膜材料研究评述

场致电子发射(场发射)薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景,引起了人们广泛的关注与研究兴趣.综述了场发射薄膜材料的理论与实验研究进展,并评述了场致电子发射薄膜材料研究的瓶颈问题及未来发展方向与趋势.     

后栅极场致发射显示板制作的研究

介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点，而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板，利用碳纳米管作为阴极材料，并对介质层厚度对器件的影响、老炼、发光均匀性等问题进行了探讨。     

新型场致发射显示器件的研究现状与展望

场致发射显示器(Field Emission Display)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件.本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、under-gate三极结构以及double-gate四极结构等器件结构特点进行了讨论.     

常开型后栅极场致发射显示板工作特性的研究

常开型后栅极场致发射显示板是一种新型的场致发射器件.它直接利用阳极使阴极产生场致电子发射,而通过埋在阴极之下的栅极上施加负电压来阻止阴极产生场致电子发射来调制显示所需的图像.为了研究该场致发射显示板的阴极发射特性,本文采用有限元法对场致发射区域内的电场分布进行了模拟计算,用Fowler-Nordheim(F-N)公式计算了阴极表面的发射情况.并研究了阳极电压、阴极电压、阴调距、阴极宽度和阴极厚度等参数的改变对阴极发射特性和栅极调制能力的影响.计算结果显示阴极发射特性和栅极调制能力与上述电参数和结构参数关系密切,从而为优化设计这种显示器件提供了方向.     

碳元素的另一种同素异形体——白碳

白碳和金刚石、石墨这两种常见的碳的晶态结构不同,它是sp1杂化的碳元素的另一种晶态同素异形体.白碳具有一维直线碳链的特殊结构.本文对白碳材料的制备方法、结构特点、表征方法进行了综述,并展望了其在纳米器件、分子器件、以及场致电子发射等方面的应用前景.     

新型碳纳米管场致发射显示驱动电路的研究

采用碳纳米管作为发射源的场致发射显示器是一种新型的平板显示技术，文章研究一种碳纳米管场致发射显示器件的驱动方法。该方法灰度等级实现方法简单，大大降低了扫描电极频率，有效地解决了高压和高速度之间的矛盾，能够满足用丝网印刷制备碳纳米管阴极的场致发射显示器件驱动电压高的要求。     

量子点荧光材料在照明和显示领域的研究进展

由于量子点具有发光波长尺寸可调谐、发光峰窄、发光效率高和热稳定性等特点,近年来作为一种新型发光材料受到了越来越多的关注。它们不仅可以在电激发下实现自主发光,还可以在光激发下实现光转换,因此在照明和显示领域具有很广阔的应用前景。总结了用量子点荧光材料制备白光发光二极管的6种方法及其研究进展,还介绍了它们在液晶显示领域的应用,最后讨论了目前量子点荧光粉存在的问题和今后的研究方向。     

碳纳米管场发射阴极阵列制备研究与进展

碳纳米管具有良好的电子发射特性,成为理想的场致发射阴极材料,碳纳米管阵列制备研究是碳纳米管平板显示应用的前提。介绍了碳纳米管阴极阵列制备技术如丝网印制法、CVD原位生长法、光刻法和自组织法等研究与进展,并从薄膜残留去除、CNTs膜微结构改变及sp3缺陷增加等方面概述了目前CNTs场发射性能优化的进展,指出了目前存在的问题并作了简单分析。     

碳纳米管复合材料场发射性能研究现状

碳纳米管具有管径小、长径比高的结构以及物理化学性能稳定等优良特性,被认为是真空冷阴极场发射电子源和场发射平板显示理想的阴极材料。加之碳纳米管兼具有机械强度高、韧性好等出众的力学性能,使其成为复合材料的理想添加相,将其与其他材料复合,可以制备出具有更加出众性能的复合材料。近年来有关碳纳米管及其复合材料场发射研究已成为一个备受关注的热点。概述了阴极场发射理论以及与碳纳米管场发射相关的几种场发射物理机制,介绍了碳纳米管复合场发射阴极的研究现状及制备方法,最后对碳纳米管复合阴极场发射的发展前景进行了展望。     

碳纳米管的场致发射及在平板显示领域中的应用

碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度, 是一种性能优良的场发射阴极材料, 在平板显示领域具有潜在的应用价值. CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用. 本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发, 阐述了CNTs的场发射机制; 详细论述了各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对CNTs场发射特性的影响; 介绍了CNTs场发射特性在平板显示领域中的实际应用.     

光电平板显示屏的实验研究

为克服场发射电子源在平板显示屏中存在的不稳定性和不均匀性问题 ,研制了以光电发射源替代场致发射源的光电平板显示屏。本文介绍了光电平板显示屏的结构 ,并对显示屏的组成部分进行了分析讨论     

涂层纳米功能材料

纳米材料复合涂层的结构和特性是纳米科技中的重要研究课题,本文重点讨论了制造技术的新观念,纳米材料的完美定律,涂层材料的发展前景,纳米场发射特性等.进而,讨论重要的物理理论研究的热点-电子强关联体系和软凝聚态问题.展现了涂层材料科学与技术的深刻理论内容和重要的发展前景.     

专利视角下基于石墨烯材料的显示技术研究进展

石墨烯是一种集高机械强度、电导率、热导率、透明性和抗渗性等诸多优点于一身的新型材料。自被发现以来,在医学、生物、新能源、微电子等多个领域被广泛关注,相关技术也成为各国专利布局的重要战场。从专利角度分析了石墨烯基材料在显示领域中的技术分布、重要申请人专利布局,详述了石墨烯及其衍生/复合材料在半导体显示领域中的具体应用。研究展示出石墨烯基材料的优秀性能与应用潜力,同时也为石墨烯在显示技术中的进一步研究与发展提供了参考与新思路。     

Using patent analyses to monitor the technological trends in an emerging field of technology: a case of carbon nanotube field emission display

Carbon nanotube field emission display (CNT-FED) represents both emerging application of nanotechnology and revolutionary invention of display. Therefore, it is an important subject to monitor the states and trends of CNT-FED technology before the next stage of development. The present paper uses patent bibliometric analysis and patent network analysis to monitor the technological trends in the field of CNT-FED. These results firstly reveal the different aspects of patenting activities in the field of CNT-FED. Then, patent network analysis indicates the developing tendency of worldwide FED production based on the synthesis of CNT materials. Furthermore, key technologies of three clusters can be identified as the depositing CNT on substrate, coating phosphor on screen and assembling process for whole device. Finally, emitter material is taken for the key factor in R&D work to improve the efficacy in CNT-FED technology.