离子辅助淀积介质保护膜

热蒸发或溅射制得的光学透明介质膜,由于它的渗透和不稳定,使其在许多应用上受到限制。本文报导了由离子束辅助淀积的介质保护膜,与通常淀积技术制得的薄膜相比具有相当大的改进。这一结论能用离子辅助淀积薄膜的填充密度比通常蒸镀方法获得的松散柱状微细结构膜层的填充密度大来解释。另外,金属膜层用离子轰击获得相当稳定的结构,并大大改善了膜层的附着力。基底表面的光洁度影响了这些膜层的抗化学腐蚀能力。     

用于光学涂层的离子辅助反应淀积工艺

主要介绍几种离子化制备薄膜的方法，其目的是评述用于制备低损耗光学涂层的低能反应工艺和等离子体工艺的优劣。     

离子辅助淀积防护介质膜

实验淀积膜所用设备的结构图示于图1。由扩散泵浦真空系统产生的基本压力为10~(-4)Pa。用电子束蒸发器淀积薄膜。25mm直径BK7抛光玻璃试验衬底装在蒸发料源上方420mm处,可用Kanfman离子枪以34°入射再辐照。膜淀积的光学控制是由透射或反射光完成。采用离子束进行辅助淀积的所有试样,所用氩离子能量为700eV,离子束电流密度为150mAm(-2)(像法拉弟帽所测的那样)。并设想将离子束能量或电流最佳化。通过淀积光透过率约为5％的对溶剂灵敏的银和铝膜来制备试样(这透过率对     

LPCVD淀积LTO工艺研究

集成电路集成度的提高,特别是等离子刻蚀工艺的广泛应用,对LPCVD淀积的二氧化硅薄膜的质量,提出了更高的要求。分析了LPCVD系统的气体弥散管和石英笼罩舟的结构及其对改善LTO膜均匀性的作用,研究了腔室压力和反应气体流量比对LTO薄膜均匀性的影响。     

离子辅助淀积技术及其在光学薄膜中的应用

本文介绍了离子辅助淀积技术中用的离子枪结构、特点以及在塑料透镜上镀氟化镁、各种氧化物材料及多层膜过程中应用离子辅助淀积技术获得优质的薄膜。     

中红外薄膜的离子辅助淀积

本文研究了用离子束辅助淀积的中红外ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＹｂＦ３，ＢａＦ２，ＢａＦ２＋ＣａＦ２（６：４）膜在３．８μｍ波长处光学特履和其它性能，用透射电镜和光电子能谱仪研究了这些单层膜微结构和化学计量比。实验发现离子束辅助淀积膜层填充密度增加，附着力增强，机械强和环境稳定性得到明显改善。用离子束辅助淀积的中红外反射膜在３．８μｍ波长反射率大于０．９９４。     

离子辅助淀积镀膜技术的应用

在亚利桑那大学和其它单位正在继续进行一项有很大希望的离子辅助淀积镀膜技术。用普通方法淀积的透射膜，各次工作之间的折射率会发生变化，有时甚至单层膜也如此。周围环境的湿度由于微气孔对水的吸收或解吸也使折射率变化。因此清除这些气孔和其它结构特性(由于到达基底的附加原子的有限迁移率所致)，可以形成更致密、更稳定和更均匀的淀积层。这样，就能制作更完善的多层光学膜。     

氮化硅膜的等离子淀积工艺

一、引言 等离子氮化硅膜已成功地用于双极和LSI MOS器件的钝化。 在半导体器件制造过程中,必须控制表面沾污。通常是采用钝化膜防止杂质渗入。钝化膜又分为,一次钝化和二次钝化。一次钝化的目的是控制和稳定半导体器件表面的电性能。硅器件的一次钝化膜通常是SiO_2,例如,加HCl热生长SiO_2成功地控制了钠离子。二次钝化层在氧化层金属化的互连及端点上提供化学、机械保护,阻挡可动离子和水蒸汽渗入;防止后工序划伤铝布线。因而可以提高可靠性和成品率。二次钝化也叫最后钝化膜,它必须满足以下要求: (1) 材料本身必须是一种优良的介质膜。热和化学稳定性好、针孔少、绝缘性能好、硬度大,对器件能提供化学和机械上的保护。     

空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究

本文用空心阴极离子淀积系统,在氮和氩的混合气体中淀积了TiN薄膜.X射线衍射方法、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来研究分析了TiN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率.该TiN薄膜有很低的电阻率,其电阻率约为25μΩcm.Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟热退火后,卢瑟富背散射(RBS)分析结果表明,没有发现互扩散现象,说明TiN在硅集成电路中是一种良好的扩散势垒材料.     

利用物理气相淀积工艺制备的HfTaON薄膜热力学稳定性研究

We investigate the thermal stability of HfTaON films prepared by physical vapor deposition using high resolution transmission electronic microscope （HRTEM） and X-ray photoelectron spectroscopy （XPS）. The results indicate that the magnetron-sputtered HfTaON films on Si substrate are not stable during the post-deposition annealing （PDA）. HfTaON will react with Si and form the interfacial layer at the interface between HfTaON and Si substrate. Hf-N bonds are not stale at high temperature and easily replaced by oxygen, resulting in significant loss of nitrogen from the bulk film. SiO2 buffer layer introduction at the interface of HfraON and Si substrate may effectively suppress their reaction and control the formation of thicker interfacial layer. But SiO2 is a low k gate dielectric and too thicker SiO2 buffer layer will increase the gate dielectric＇s equivalent oxide thickness. SiON prepared by oxidation of N-implanted Si substrate has thinner physical thickness than SiO2 and is helpful to reduce the gate dielectric＇s equivalent oxide thickness.     

离子辅助淀积光学薄膜:低能和高能离子的轰击

研究了在光学元件上的氧离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜层与离子能量(30-500电子伏特)和离子流密度(0-300微安/厘米~2)的关系。证实了低能和高能离子轰击场能改善SiO_2膜的化学配比,而在低能情况其改善略为大些。对于TiO_2膜,低能轰击能改善化学配比,而高能轰击反而导致明显不利。在高能离子辅助淀积的SiO_2薄膜中氢含量减少到1/10。在低温基片上(50-100℃)制备了牢固的膜层。讨论了膜层的内应力特性。     

LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究

采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污.研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2 Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源.通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2 Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级.     

外延淀积过程中的自掺杂抑制

外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析，提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂，从而改善器件的特性参数。     

磷予淀积中杂质分布的工艺控制

本文通过磷表面浓度,磷结深度和磷源与磷分布之间联系的建立,揭示在磷扩的工艺控制中扩散温度、扩散时间、通源量和气氛等工艺因素对杂质分布的作用。     

化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用

介绍了CVD技术的原理和分类.对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用.     

4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术

采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用此技术后,单胞20 mm左右栅宽器件在2 GHz脉冲条件下(脉冲宽度300μs,占空比10%)输出功率达78 W,比原工艺的器件输出功率提高了20 W以上,功率增益提高了1.5 dB,达到8.9 dB左右,功率附加效率也从23%提升到32%,初步显示了该工艺技术在制备4H-SiC微波功率器件中的优势。     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究

文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。     

类金刚石碳膜淀积工艺及设备研制

本文介绍类金刚石薄膜的性能、应用领域及制备方法。着重报道利用射频等离子体分解碳氢化物制备这种薄膜的工艺实验及研制的设备构成。