磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究

介绍了磁控反应溅射制备氧化锡膜时，反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积率及沉积膜性能的影响，指出随氧流量的不同，放电分别处于金属溅射，过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三咱模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别，相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。     

电沉析条件对钛合金表面液相沉积类金刚石薄膜的影响

在钛合金表面沉积类金刚石膜能改进钛合金的生物相容性，拓展其在人体植入材料中的应用。探讨了用液相电解沉积法在钛合金表面制备类金刚石薄膜的新方法。讨论了不同沉积条件对膜的影响。在1650和1850V时可以得到坚固的棕色膜。沉积36h后，膜厚基本不变。沉积膜的Raman谱图表明，在1650和1850V沉积得到的是类金刚石薄膜，而在2000V时无法得到类金刚石薄膜。对膜的XPS分析表明，其主要成份是碳。XPS谱还表明在1650V时得到的膜可以将钛合金表面完全覆盖，而在1850V时则不能。以SEM分析表明在1650和1850V时得到的膜是由粒径约为400nm的小颗粒组成，而在2000V时得到只是疏松结构。并对类金刚石膜及钛合金的血液相容性进行了比较。     

金刚石厚膜的制备及应用研究

用电子增强热灯丝ＣＶＤ（化学汽相沉积）方法制备出膜厚为０．１－２ｍｍ的金刚石厚膜，研究了金刚石厚膜的耐磨性和热导特性，用它制作了金刚石膜焊接刀具和半导体激光器用金刚石膜热沉。     

基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能…

使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜，通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ，ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对透光率和电阻率的影响。结果表明；基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５０℃附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。     

用单分子膜诱导化学沉积银膜

在气／液界面上形成硬脂酸单分子膜及硬脂酸／十八醇混合单分子膜，利用硬脂酸单分子的诱导作用，在硬脂酸单分子膜上化学沉积了金属银纳米膜，在硬脂酸／十八醇混合单分子膜上沉积了微观炙网状的银膜。采用SEM和TEM测试银膜的微观物理结构，并对膜的外观进行了表征，研究了不同亲水端基和沉积时间对银膜生长的影响，沉积时间控制在3h之间，可得到100nm以下厚度的银膜，采用界面双电层理论初步探讨了单分子膜上化学积银的生长机制，分析了多孔网状银膜的成因，认为界面双电层是银膜沉积的必要条件，提出了一种制备银膜的新方法，此法的优点在于能主动控制银膜表面微观结构。     

半导体CdTe薄膜电化学沉积研究

本文研究半导体ＣｄＴｅ薄膜在ＩＴＯ透明导电玻璃基底上的电化学沉积。分析了电化学沉膜过程以及反应机理，对不同电参数下沉积膜进行了性能表征，研究了温度、沉积电压等参数对膜性能的影响，探讨了制备颗粒细小、均匀性好并具有一定择优取向的ＣｄＴｅ薄膜的方法。     

含铁聚合物薄膜的制备,结构和性能

采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积工艺制备含铁聚合物薄膜。考察了偏压，源物加热电压对膜的沉积速率及膜中Ｆｅ的填充系数的影响。用ＩＲ，ＸＰＳ，ＴＥＭ和ＴＥＤ对膜的组成和结构２进行了分析，表明薄膜具有Ｆｅ团簇镶嵌在聚合物基质中的杂混结构特征。对薄膜的光学，电学及湿敏特性进行了研究，证明膜的填充系数对膜的结构和性能都有很大的影响。     

射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术

介绍了射频电感耦合等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术的原理、实验性能。并用该技术在Si基片上沉积了Cu膜，研究了所成膜的结构、表面形貌及膜成分等，分析结果表明在该条件下沉积的Cu膜致密，晶粒尺度大约在100～1000nm，膜基界面比较紧密，没有明显的空洞，并且膜呈（111）织构。最后简要介绍了该技术应用的前景。     

阴极弧等离子体沉积NbN薄膜

利用磁过滤等离子体沉积装置，结合金属等离子体积技术，在Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备NbN膜，对二者予以比较，并探讨了非增强沉积过程中基底温度对NbN膜层的影响，温度升高使膜层中N的含量先呈上升趋势，随后又稍微降低，温度升高促进晶粒生长，使晶粒尺寸变大，从室温到约300℃的温度下得到的薄膜在（220）峰表现出很强的择优取向，500℃的沉积温度下，（220）峰变的很弱，（200）峰表现出择优取向，500℃时膜层中得到单一的δNbN相；表面形貌方面，温度越低，薄膜越不完整，在500℃左右才能得到光滑完整的NbN膜。与非增强沉积相比，增强沉积不需加热，在温下就能得到光滑致密的NbN膜，膜层中N的含量更高，且没有明显的择优取向。     

微波ECR—PCVD技术制备Si3N4薄膜的研究与应用

受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积避高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响，一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中，微波ＥＣＲ－ＰＣＶＤ技术没有高能粒子对芯片的辐射损伤，可以在较低的温度条件下沉积出均匀致密，性能优良的Ｓｉ３Ｎ４薄膜，因而成为微电子器件沉积钝化膜的最佳工艺。     

镍的金属有机化学气相沉积

介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况，以及几种典型前驱体的沉积性能，着重介绍了羰基镍的沉积特性。结合MOCVD技术的最新进展，对镍的化学气相沉积技术了简要的展望。     

MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明，对基片进行适当的预处理，包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层，可显著提高成核密度；对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析，并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核的措施。     

类金刚石碳膜的制备工艺

用射频－直流等离子体化学气相沉积法制备出类金刚石膜，用多因素和单因素正交试验设计方法对类金刚石的沉积工艺进行了研究，结果表明，极板偏压、真空度和气体成分是影响膜沉积速率的主要因素。沉积速率与ＰＶ成正比，且随反应气体深度单调增加，但当Ｃ２Ｈ２浓度低于１０％时，几乎不能成膜。     

LCDV法沉积Si3N4薄膜微透镜的研究

介绍了一种利用激光化学气相沉积技术，在平面石英玻璃衬底上沉积平凸形Ｓｉ３Ｎ４球面介质膜用作微透镜，包括ＬＣＶＤ的实验装置及其沉积工艺，实验结果表明，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的聚集激光光斑尺寸，选择适当的沉积时间，就可以获得不同直径、透明、表面光滑的Ｓｉ３Ｎ４球面介质膜，用作微透镜。     

离子束增强沉积制备碳化硼及C—B—Ti化合物薄膜的结构与力学性能…

利用离子束共混制备具有高硬度、高熔点及良好化学稳定性的Ｃ，Ｂ化合物对于彩和离子束增强沉积技术进行材料表面改性有重要意义。利用对烧结碳化硼合物靶进行溅射沉积，同时利用不同能量的Ａｒ＾＋进行轰击的方法，制备了碳化硼及碳、硼、钛混合膜膜，并对它们的结构与力学性能进行了研究。     

用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程

室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜.用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式.Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长.溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜.随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大.当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小.     

离子束增强沉积制备TiB_2薄膜及其性能研究

用离子束增强沉积法（IBED）在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（AES）分析了膜的成分及其界面状况，用X射线衍射（XRD）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验。结果指出：（1）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（2）离子束增强沉积的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。     

提高金刚石膜电阻率的几种方法

金刚石膜的电阻率是衡量金刚石膜性能的一个重要指标。由于各种因素的影响，沉积后的金刚石膜的电阻率比较低，还达不到实用要求，需要通过处理加以提高。介绍了几种后处理方法，并对其优缺点进行了比较。     

CuI薄膜的结构和电性质

本文用真空蒸发沉积法在玻璃上制成了ＣｕＩ薄膜，该薄膜对可见光透明度良好，并且导电性优良。证实了ＣｕＩ膜是以非晶态为基础的均匀微晶结构。测定了ＣｕＩ膜导电性随温度的变化率和导电激活能。在对ＣｕＩ电性质分析的基础上提出了ＣｕＩ膜的导电机理。     

钼片上CVD金刚石膜的界面研究

借助金相显微镜，ＳＥＭ、ＥＤＸＡ对钼片上ＣＶＤ金刚石膜的界面形貌和成分进行了研究，对比了加磁场与不加磁场所沉积的金刚石膜的横民面形态特征，结果表明：加磁场与否在ＣＶＤ金刚石膜和钼基体之间均存在数μｍ厚的Ｍｏ２Ｃ中间层，它呈细小柱状昌方式生长，该层以下的钼基体发生了再结晶细化；加磁场沉积的金刚石膜较致密，（显微）空隙数量较小、金刚石颗粒尺寸较小、金刚石膜背面粘附较多的Ｍｏ２Ｃ聚集物。压痕试验法评定的