高电流密度氧化物阴极进展

氧化物阴极直流运用的发射电流密度为0．5A／cm^2，如使用Sc2O3分配式氧化物阴极，可使发射电流密度提高到2A／cm^2，而使用Ba2Sc2O5分配式氧化物阴极则有进一步提高到3．8Am／cm^2的可能。若采用Sc2O3的钨薄膜分配式氧化物阴极，则可进一步达到4A/cm^2不掺杂物质，仅将(Ba,Sr，Ca)O制成亚微米氧化物阴极也可将电流密度从0．5A／cm^2提高到2A／cm^2。     

大电流密度器件的欧姆接触

根据大电流密度器件对欧姆接触的要求,研究了如何获得高质量的Ti-Ni-Ag欧姆接触层的方法,并成功应用于生产.     

大电流密度下欧姆接触退化机理的研究

对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利用文中结构测得比接触电阻早期快速失效,且随电流密度增加退化加剧,对样品老化前后进行能谱分析得知,大电流密度下接触层中Al离子发生了扩散从而破坏了良好接触。     

用于CRT的大电流密度阴极

本文介绍了用于大屏幕、高分辨率、高亮度 CRT 中电子枪阴极的工作特点,并从适合于 CRT 应用的立场讨论了近几年来有关的几种阴极的研制动向和今后课题。     

超大电流密度低压二极管研究

论述了低压大电流行业所用整流二极管的超大电流密度、超低功耗设计的重要性.介绍了设计方法、工艺措施及实验结果.分析表明,只要保证基区宽度不大于小电流下的载流子扩散长度,保证足够的表面扩散浓度,就能保证二极管在1000A/cm2的特大电流密度下仍有很低的压降.     

孔度可控扩散式阴极研制进展

扼要地阐述了孔度可控扩散式阴极的发展与特性。着重介绍Ｗ＋２５ｗｔ％Ｒｅ合金箔孔度可控扩散式阴极工作范围宽（８５０～１１００℃），发射电流密度大（３～５０Ａ／ｃｍ２）、蒸发少，抗中毒，耐轰击，长寿命的特点。     

大电流密度放电中钾的Penning电离观测

本文叙述了自制的大电流密度、快脉冲放电电源,及用该放电装置激励He/K混合蒸气,观测到He/K间能量传递产生的钾的Penning电离。     

应用于太赫兹器件的大电流密度带状注阴极的研制

介绍了一种应用于太赫兹器件的大电流密度带状注阴极,带状发射带尺寸为0.14mm×2.5mm。该阴极采用特殊的设计和制备工艺,在直流状态下可以提供80A/cm2的大电流密度。     

透射式GaAs（Cs,O）光电阴极稳定性的研究

研究了光照强度和残余气体对阴极稳定性的影响,比较阴极在管壳内和激活室内的阴极稳定性,用俄歇谱仪分析激活的GaAs光电阴极表面和灵敏度衰减到O时的GaAs光电阴极表面。结果表明,真空中有害残余气体与阴极表面的相互作用是引起阴极衰减的主要原因。     

透射式GaAs（Cs,O）光电阴极发射电子横向能量的研究

制备了透射式ＧａＡｓ阴极组件,测量了ＧａＡｓ阴极激活过程中阴极光 敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化,用扫描电镜观察ＧａＡｓ（Ｃｓ,Ｏ）阴极表面形貌,结果表明：ＧａＡｓ（Ｃｓ,Ｏ）阴极发射电子横向能量取决于ＧａＡｓ晶格温度、阴极表面形貌和电子在能带弯曲区的多次散射,与（Ｃｓ,Ｏ）激活层无关。     

High-energy photoemission spectroscopy of ferromagnetic Ga1−xMnxN

Here we report investigation of valence band electronic states of ferromagnetic Ga_0.96Mn_0.04N by bulk-sensitive X-ray photoemission, which is realized at high flux X-ray undulator beamline BL29XU of SPring-8, at photon energy of 5.95 keV. We have observed that Mn doping introduces a new structure in the band gap region near the top of the valence band, and also a broader structure in deeper valence band region. Basing upon the first principle calculation, these structures are assigned as Ga 4s originated states, which are raised by hybridization between 3d orbitals of Mn with GaN host orbitals. The present result evidences the second nearest Ga bonds are affected by that Mn–N bond formation, suggesting the long-range interaction of Mn in this host material.     

用于探测能量为0.110keV光子的夹心结构CsI光阴极

为了稳定而有效地探测能量范围在0.110keV之间的软X射线,研制并优化了一种高低密度夹心结构的透射式CsI光阴极。它的光子探测效串大约是高密度透射式CsI光阴极的110倍。所测得的光电发射次级电子能量分布曲线与高密度CsI光阴极类似,半极限值的全宽度(FWHM)不到2eV。由于它的量子效率高而次级电子能量分布范围相当窄,这种夹心结构透射式CsI光阴极广泛地应用于软X射线探测器和计数器,特别是软X射线条纹摄相管。     

全集成连续时间滤波器研究的进展

全集成连续时间滤波器是近年来模拟VLSI技术取得最重要进展的领域之一,也是当今国际上的前沿课题。它的诞生向传统的连续时间信号处理技术开关电容技术和数字滤波技术提出了强有力的挑战。本文综述了这一研究领域的发展现状;评述了近年来的新进展;指出了有关的研究课题,并展望了这一研究领域的发展和应用前景。     

自差型光电反馈半导体激光器的稳定性

本文讨论了自差型光电反馈(OEFB)半导体激光器的稳定性,给出了稳定运转的条件,分析了反馈参数对稳定性的影响。     

有机EL发光材料的现状

本文综述了有机电致发光材料的发展现状．     

微带天线理论和技术的进展

本文综述了迅速发展中的微带天线理论和技术的新进展。侧重评述了基本理论和圆极化、宽频带、多频段及馈电等技术的进展,并介绍了毫米波微带天线阵和有源固态相控阵等新型微带阵列。最后展望了发展方向。     

ADVANCES IN FRACTAL IMAGE AND VIDEO CODING

Fraotal coding is a very promising technique for image compression. However, it has not been widely used because of its high computational complexity, In this paper, techniques for reducing computational complexity of fractal coding are presented. Fractal coding is very effective for images containing sharp edges and smooth textures of large objects but not for small objects and fine details. In this paper, methods to improve overall image quality are presented. Also in this paper, approaches for applying fractal coding to very low bit-rate video as well as VLSI implementations for real-time applications are discussed.     

室温型热释电红外探测器焦平面列阵新进展

文中介绍了目前室温工作的热释电红外探测器焦平面列阵的国外进展，混合型铁电陶瓷焦平面列阵已进入批量生产阶段，这类焦平面列阵制作的热像仪已于１９９５年进入商品市场，而单片式铁电薄膜红外探测器焦平面列阵还处在实验室研究阶段。