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本文描述了用离子束溅射法培植高温超导精细薄膜的原理和技术。探讨了工艺状态的实施和外部因子对薄膜生长过程影响的一些问题,给出许多具体实例。图1为溅射装 相似文献
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RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm2、13μC/cm2。 相似文献
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理论计算了氩离子束溅射Y-Ba-Cu-O靶的组分原子溅射率,得出了溅射过程中存在Cu原子溅射率偏低的“择优溅射”效应。通过分析原位形成高温超导薄膜的实现条件,表示出了离子束溅射原位成膜的基本过程。实验上采用分子氧辅助沉积技术,用离子束溅射法原位外延出YBa2Cu3-O超导薄膜。讨论了试验条件对薄膜特性的影响。提得到的实验结果与理论分析相一致。 相似文献
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本文研究了利用YSZ膜作缓冲层Si衬底上溅射BSCCO高温超导薄膜的生长工艺,分析了生长条件对Bscco高温超导相的影响,并提出了YSZ/Si上制备相BSCCO膜的工艺参数。 相似文献
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溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析 总被引:2,自引:0,他引:2
用X射线光电子能谱(XPS)技术,测量了射频磁控溅射法(RFMS)制备的硫化锌薄膜(ZnS:Er^3+)的表面及内部构态,认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因,对研究器件的激发过程有参考意义 相似文献
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低温沉积薄膜技术在制作先进的微电子学器件和集成多功能传感器方面非常重要。最近,应用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法沉积成高性能、高沉积速率和低基片温度的ZnO薄膜。本文叙述应用微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO膜的制法及其性能。 相似文献