加入激子阻挡层增强白色有机发光器件效率

通过在发光层（EBL）与电子注入层之间增加激子阻挡层（EBL）制备了新型白色有机发光器件（WOLED）。有EBL的新型器件效率和亮度均比传统结构器件高50％,在电流密度为4mA／cm^2时效率达到3．42cd／A,最大亮度为11000cd／m^2（16V）,色坐标为x=0．34、y=0．36;而具有相同EBL厚度的传统结构器件,在电流密度为4mA／cm^2时效率为2．15cd／A,最大亮度为6259cd／m^2（16V）。效率的提高是由于EBL的限制作用而提高了激子浓度。测量了器件的效率与电流密度关系,随电流密度增加电流效率的衰减缓慢,说明短寿命红色搀杂剂的激子-激子湮灭很弱。     

掺杂TBPe的单一发光层白色OLEDs研究

以聚合物poly（N-vinylcarbazole）（PVK）为主体材料,分别掺入蓝光染料2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene（TBPe）和橙黄光染料5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene（Rubrebe）,制成单层白色有机电致发光器件（WOLED）。通过多组实验结果的对比,最终确定了最佳染料掺杂浓度和器件结构,得到最佳色举标为（0．33,0．38）,已位于该坐标的白色等能区之内,且随着外加电压由8V增加到16V,色坐标保持不变。器件的亮度为553cd／m^2,外量子效率为0．16％。     

用非线性量子阱红外光电探测器对超短脉冲进行自相关测量

德国和加拿大的科研人员已联合研制出一种非线性特性已经优化了的量子阱红外光电探测器．这种探测器的三个等距能级产生的巨共振线性度使得光电流在光强度低达0．1W／cm^2时仍与平方功率有关．探测器中的双光子效应可用来对皮秒级的超短红外脉冲进行自相关测量,     

高效顶部发光的白光有机电致发光器件

通过改进阳极和阴极，研制成功了高效顶部发光有机电致发光显示器件，为减少不必要的微腔效应，并获得广谱白光，涂镀CFx于银阳极上，以调整反射率，并在Ca／Ag阴极上涂折射率匹配材料（SnO2），获得最大透过率80％。基于蓝光和黄光发射体的双层结构的顶部发光白光有机电致发光器件在20mA／cm^2的电流密度下，在7．3V驱动电压下，最高电致发光效率达到22．2cd／A（9．61m／W）。CIE色坐标为（x=0．31，y=0．47）。     

新型有机光伏及电致发光器件研究

用物理气相沉积(PVD)的方法制备了结构为ITO／m-MTDATA／Bphen／LiF／Al有机异质结光估器件。在能量为4mW／cm^2的365nm波长的紫外光从ITO电极方向照射下,器件的开路电压、短路电流和填充因子分别为1．3V、0．089mA／cm^2和0．22,对应的能量转换效率为0．64％;在直流电压驱动下,器件表现电致发光(EL)特性,发黄色光,其阈值电压为4V,14V时达到最大亮度为1350cd／m^2,研究证明它来自于有机界面的激基复合物发射。     

热处理对单层聚合物电致发光器件性能的影响

本文分别对以MEH－PPV为发光层的橙色及以LPPP为发光层的兰色单层聚合物有机发光二极管（OLED）器件在不同的温度和时间条件下进行低真空热处理,分别确定了最佳热处理条件。经最佳条件热处理后器件的启亮电压降低1－2V,最大相对发光强度提高1个数量级,同一电压下相对能量效率提高了1．3－10．0倍。初步分析表明热处理方法提高器件光性能的原因在于改变了发光层与阴极接触界面的性质,增强了二者的结合能力,提高了电子注入水平。     

Cs（7DJ）＋Cs（6S1／2）间的碰撞能量转移

脉冲激光双光子激发Cs（6S1／2）到Cs（7Dj）态,在样品池条件下,利用原子荧光光谱方法研究了Cs（7Dj）＋Cs（6S1／2）的碰撞能量转移过程。利用三能级模型的速率方程分析,在不同的Cs（6S1／2）密度下,通过对直接荧光和转移荧光的时间积分荧光强度测量,得到了7D5／2→7D3／2精细结构转移截面为σ=（2．9±0．7）×10^-14cm^2。而碰撞转移到7Dj以外的猝灭截面分别为（7．4±2．1）×10^-14cm^2（对J=5／2）和（6．6±1．8）×10^-14cm^2（对J=3／2）。结合已有的实验结果,得到7DJ转移到8P态的截面分别为（0．6±0．3）×10^-14cm^2（对J=5／2）与（0．8±0．4）×10^-14cm^2（对J=3／2）。7D态主要是通过碰撞能量合并的逆过程[即7Dj＋6S→5D＋6P）猝灭。     

探测器及相关的信号处理（SPIE Vol．5251）

一、光探测器。1．红外光学探测器的回顾（Daniel Esteve等）。2．碲镉汞线列阵及其相关的硅读出（Fiodor F．Sizov等）。3．致冷型大规格红外凝视列阵：走向第三代（Elisabeth Brochier等）。4．高性能红外探测器模块（Joachim Wendler等）。5．SOFRADIR公司的长波红外探测器（Alain Manissadjian等）。6、负发光红外器件与工作温度较高的探测器（Geoff R．Nash等）     

测温仪低温段的温度分辨力和测温灵敏度及对测温精度的影响

简要介绍了一种利用半导体发光器件作辅助测量光源、以InGaAs光电二极管作光电转换器件实现的发射率和温度测量仪（工作波长1．5μm、测温范围400℃至1100℃）,着重讨论了该仪器低温段的温度分辨力受被测温度、波长带宽、A／D转换电路的设计、探测器的灵敏元尺寸以及测温灵敏度等的影响。得到如下结论：（1）温度越低,则温度分辨力就越低、进而仪器的测温精度也越低。因此只要400℃时的温度分辨力符合要求,则测温范围内的其它测温点都符合要求;（2）波长带宽越窄,则仪器的温度分辨力越低、相应的测温精度也就越低。反之,则越高。但波长带宽越宽,则进入探测器的干扰光就越多,从而导致其测温精度也不高。综合考虑这些因素后,仪器选择△λ=20nm作为其工作波长的带宽。采用优化设计的仪器参数、尤其是采用高探测率的InGaAs光电二极管作探测器后,在整个测温范围内的测温精度都不低于0．2％,符合设计要求。     

P^＋—GexSi1—x／p—Si异质结红外探测器性能的提高

通过采用层叠结构、增加ＳｉＯ２介质腔和铝反射镜、背面蒸镀ＳｉＯ抗反射层等措施，使Ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器在７７Ｋ下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围２￣８μｍ，Ｄ（５．５，１０００，１）＾＊＝１．１×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２／Ｗ，量子效率可达４％。其Ｄｐ＾＊已达到实用的ＰｔＳｉ红外探测器的量级。另外，在器件的结构设计中，我们采用了一种改进的电极结构，以提