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在酸性化学镀镍液中分别加入阴离子型、阳离子型和非离子型9种表面活性剂,以分散SiC微粒并在ZL102铝合金表面制备性能良好的Ni–P–SiC复合镀层。通过研究表面活性剂对镀液性能和复合镀层表面形貌、显微硬度、孔隙率及SiC复合量的影响,对表面活性剂进行筛选。结果表明,以60mg/L聚乙二醇作表面活性剂时,SiC微粒的分散效果最好,所得Ni–P–SiC复合镀层的孔隙率仅为0.5714个/cm2,显微硬度为729.76HV,镀层中的SiC颗粒细小、分布均匀,复合量达5.00%,综合性能最好。 相似文献
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利通过自由基聚合反应,合成了含有苯乙烯-马来酸酐共聚物的改性剂。通过表面改性将上述改性剂接枝在粉体表面,研究了不同因素对改性SiC浆料流变特性的影响。结果表明,表面改性使SiC浆料的粘度显著降低,且浆料呈现出近似Newton流体行为。通过控制影响改性SiC浆料流变性的因素,在改性剂中WD-20与SMA配比为1∶1,改性剂用量质量分数为1%,pH=9,加入分散剂TMAH的质量分数为0.6%的条件下,成功地制备出了固相体积分数为58%,粘度低于1Pa·s的SiC陶瓷浆料。 相似文献
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通过自由基聚合反应,合成了含有苯乙烯-马来酸酐共聚物的改性剂.通过表面改性将上述改性剂接枝在粉体表面,研究了不同因素对改性SiC浆料流变特性的影响.结果表明,表面改性使SiC浆料的粘度显著降低,且浆料呈现出近似Newton流体行为.通过控制影响改性SiC浆料流变性的因素,在改性剂中WD-20与SMA配比为1:1,改性剂用量为1、wt%,pH=9,加入分散剂TMAH的量为0.6wt%的条件下,成功地制备出了固相含量为58vol%,粘度低于1Pa·s的SiC陶瓷浆料. 相似文献
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对切割料中Si和SiC的高效分离进行了研究,利用晶硅切割废料中Si和SiC表面性质的差异,向浆料中加入柴油并充分乳化,使SiC吸附在油滴上实现Si/SiC分离,对乳化后的浆料施加离心力强化油水分相,调节浆料pH值改变颗粒表面Zeta电位,调控乳化后的油滴大小,研究了Si/SiC分离效果、分相时间与浆料pH的关系及附有SiC的油滴表观密度与油滴直径的关系,对乳化后的浆料分别施加超重力系数为10, 50, 100, 150和200的离心力,考察了离心时间2 min时的分相效果和Si/SiC分离效果。结果表明,常重力场中,油滴尺寸越小,分相时间越长,但SiC去除效果变好,pH=7时,水相SiC含量为4.23wt%。油滴直径小于64 ?m时,油滴在浆料中不可上浮。离心场中,超重力系数为100, pH=7时,水相中SiC含量为5.47wt%,分相时间由460 min缩短为2 min。通过对离心场中SiC的受力分析解析了离心场中SiC在油滴表面的赋存状态,证实离心场作用下,SiC沿油滴表面向离心力方向移动使油滴对SiC的吸附力减小。 相似文献
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碳化硅-线性低密度聚乙烯导热复合材料的制备与性能 总被引:2,自引:0,他引:2
用粉末共混-模压成型法制备碳化硅/线性低密度聚乙烯(SiC/LLDPE)导热复合材料,探讨了SiC和偶联剂处理对复合材料导热性能和力学性能的影响.结果表明复合材料的导热系数随SiC用量的增加而增加,当SiC的体积分数为30.4%时,复合材料的导热系数为0.8233 W/(m·K),为纯LLDPE的2倍多;拉伸强度则随SiC填充量的增加而显著下降.当SiC填充量为一定值时,表面改性使SiC在LLDPE基体中的分散状态得到改善,拉伸强度和导热性能得到进一步提高,当NDZ-105用量为3%质量分数时,复合材料性能最佳.SiC的加人使LLDPE材料由韧性断裂转变为脆性断裂,SiC的加入影响了LLDPE的熔融温度和结晶度. 相似文献
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研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)对非离子表面活性剂CM101浊点的影响。结果表明:当SDS加入量为2%时,CM101的浊点提高到59.6℃,达到农药制剂热稳定性的要求。同时,该混合体系满足非理想二元表面活性剂复配增效的条件,表面张力和临界胶束浓度都有明显降低。 相似文献
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为深入了解碳化硅陶瓷的光学表面加工性能,采用常压固相烧结法制备了碳化硅陶瓷,在保证致密度的前提下,通过改变碳的含量,研究了残余碳对SiC陶瓷抛光面的表面质量和光学性能的影响。研究发现,C的质量含量为3%~7%时,SiC陶瓷抛光表面的RMS(root mean square)粗糙度均约为2nm。当C含量为3%~6%时,SiC陶瓷抛光表面在400~750nm波段的全反射率、漫反射率和镜面反射率无明显变化;当C含量升至7%时,全反射率稍有降低,漫反射率稍有上升,镜面反射率稍有降低。其原因可能是过多的残余碳引起SiC陶瓷的折射率下降和产生光学散射,最终造成镜面反射率降低。 相似文献
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Shohei Ueta Yoshiyuki Imai Masashi Watanabe Tomoomi Segawa Xing L. Yan 《International Journal of Applied Ceramic Technology》2023,20(1):261-265
Ceramic stereolithography (CSL)-additive manufacturing (AM) technology is used to create a functionally graded ceramic (FGC) green body made of silicon carbide (SiC) and graphite. For the SiC/graphite FGC, the mixing parameters of ceramics powders and ultraviolet (UV) curing resin are improved, and correlations of the resultant slurry curing depth with integrated light intensity are discovered. Therefore, the SiC/graphite FGC-produced green body has no flaws, pores, or cracks on its surfaces. According to the association between cure depth and integrated light density for each slurry's composition, several interfacial collapses discovered in a cracked cross-section might be decreased. 相似文献
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以单晶SiC纳米线作为增强体,碳化硅-碳为陶瓷基体,在1550℃下,采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf/SiC).结合X射线衍射、万能试验机和扫描电镜等检测和分析,研究SiC纳米线对复合材料的微结构和力学性能的影响.研究表明:与未加入SiC纳米线的反应烧结碳化硅陶瓷相比,添加SiC纳米线的复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都得到显著的提高,抗弯强度提高了52%,达到320 MPa(SiC纳米线含量为12wt%),断裂韧性提高了40.6%,达到4.5 MPa· m1/2(SiC纳米线含量为15wt%);反应后的SiC纳米线仍然可以保持原有的竹节状结构,且随着SiC纳米线的加入,复合陶瓷的断口可以观察到SiC纳米线拔出现象.但由于SiC纳米线“架桥”的现象,添加过量的纳米线会降低复合陶瓷的密度和限制复合陶瓷力学性能的提高.同时还讨论了SiCnf/SiC的增强机理. 相似文献
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Murugan M. Arul Jayaseelan V. Jayabalakrishnan D. Maridurai T. Kumar S. Selva Ramesh G. Prakash V. R. Arun 《SILICON》2020,12(8):1847-1856
Silicon - In this research the effect of adding silicon carbide nano whiskers (SiCw) into epoxy resin and the impact of reinforcing surface treated SiC wire-mesh (SiCwm) and woven... 相似文献
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《Ceramics International》2017,43(6):4852-4857
The possibility of obtaining solid-state sintered silicon carbide (SiC) through aqueous gelcasting using commercial SiC powders was demonstrated. Green bodies were prepared from thixotropic SiC slurries in aqueous medium with optimized pH and solid-loading. The monomer system in gelcasting provides strength to the green bodies through formation of a gel network by polymerization and the carbon from polymeric gel enhances the densification of SiC, thereby avoiding addition of carbon externally to the gelcasting batches. Maximum bulk density of 3.16 g/cm3 (98.4% of relative density) was achieved in gelcast SiC on sintering at 2150 °C in argon atmosphere. The effect of carbon on SiC densification is evinced from the changes in microstructure of sintered SiC with increase in carbon content. The density and microstructure of gelcast and sintered SiC was comparable to that obtained from dry pressing and sintering of additive mixed SiC powders. 相似文献