钴基软磁非晶合金的巨磁阻抗效应研究进展

介绍了钴基软磁非晶合金丝与薄带的制备方法,重点讨论了频率、磁各向异性等因素对巨磁阻抗效应的影响.对非晶合金的巨磁阻抗效应传感器的应用进行了展望.     

非晶FeSiB薄膜中的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法在三组不同溅射条件下制备了ＦｅＳｉＢ薄膜。测量了溅射薄的磁滞回线，并利用ＨＰ４１９４Ａ阻抗分析仪，在１－４０ＨＭｚ频率范围内研究了样品的巨磁阻抗效应。     

非晶带巨磁阻抗效应磁场测量仪

利用退火处理后的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶带作为敏感元件,研制出一种基于非晶带巨磁阻抗效应的磁场测量仪。设计了传感器的信号处理电路及测量仪的硬件电路,并给出实验结果。实验表明,该测量仪能够检测-260—+260A/m范围内的微弱磁场,可应用于地球磁场、环境磁场等微弱磁场检测领域。     

热处理对F79.5P12C6Cu0.5Mo0.5Si1.5软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

研究了不同温度热处理对Ｆｅ７９．５Ｐ１２Ｃ６Ｃｕ０．５Ｍｏ０．５Ｓｉ１．５的巨磁阻抗的影响，发现ＧＭＩ不仅与磁导率有关，而且也受到磁各向异性的作用。     

非晶FeSiB薄膜中的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法在三组不同溅射条件下制备了FeSiB薄膜。测量了溅射薄膜的磁滞回线 ,并利用HP 41 94A阻抗分析仪 ,在 1～ 40MHz频率范围内研究了样品的巨磁阻抗效应。结果表明 :溅射条件对薄膜磁性能和巨磁阻抗效应影响很大 ,其中氩气压强为 6 65Pa ,磁场感生横向单轴磁各向异性的薄膜具有较好的软磁性能和较大的阻抗变化比值。一定温度下退火能够消除部分应力 ,阻抗变化的灵敏度能提高一倍。另外 ,对巨磁阻抗效应与测量磁场和薄膜易轴的相对位置取向之间的关系也作了讨论     

巨磁阻抗效应的非对称特性

巨磁阻抗效应的应用需要传感器具有好的线性度和高的灵敏度,实现非对称巨磁阻抗效应可以使传感器在零场附近提高灵敏度和改善线性度.本文对近年来非对称巨磁阻抗效应的研究进展进行了综述,并分析了其产生的机理.     

薄膜高频磁阻抗效应及其应用

本文介绍了Ｆｅ－Ｎｉ软磁薄膜高频磁阻抗效应及在磁传感技术中的应用，分析了讨论了获得高灵敏度磁传感的途径，磁性薄膜厚度的一般控制在４００ｎｍ以上抑制Ｎｅｅｌ壁的出现，为了提高电压输出变化灵敏度，需要沿被测场方向加向Ｏｅ的偏磁场并使高频磁场形成闭合回路，感生各向异性通过在溅射薄膜过程中加几百Ｏｅ平行于膜的直流磁场获得，与各向异性磁阻效应和巨磁阻效应相比，高频磁阻抗效应传感技术灵敏度高，无巴克豪森噪声，     

柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应

采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律.结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应.随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜的应力阻抗效应显著增强.     

巨磁阻抗效应研究的最近进展

本文简要介绍最近几年来有关巨磁阻抗效应理论的研究概况,并综述巨磁阻抗材料的研究进展,指出为了更好地理解巨磁阻抗效应对其微观机理的研究是必要的。     

溅射条件下对FeSiB薄膜磁性及巨磁阻抗效应的影响

采用射频磁控溅射法,在不同溅射条件下制备了ＦｅＳｉＢ薄膜。研究了溅射条件下对薄膜应力、磁滞回线及磁阻抗效应的影响。结果表明：随着溅射氩气压强的增加,薄膜内应力从压应力变为张应力,磁滞回线的形状随溅射条件下的不同也发生改变。对磁各向异性的变化作了分析和讨论,而面内横向单轴磁各向异性的重要性在磁阻抗效应的实验中充分得到了体现。     

Cu对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究

用直流磁控溅射方法制备了NiFe/Cu/NiFe层状薄膜 ,研究了Cu膜宽度对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响 ,结果表明 ,层状薄膜的巨磁阻抗效应随Cu膜宽度发生振荡现象 ;并提出了一个等效电路模型直观地解释了层状薄膜增强巨磁阻抗效应的机理     

铁钴镍基非晶态软磁材料的研究

研究了１０钟以铁钴镍为基的非昌态软磁材料，对非晶态合金的成分，熔点，晶化温度，居里温度及一些磁性能作了分析比较、将将材料制成元件装到电子镇流器上试验，研究结果表明，铁磁元素铁钴镍的含量比例，是影响非晶态磁性的主要因素；类金属元素对软磁材料的磁性能也有一定的影响，含磷的非晶态合金的熔点，晶化温度及居里温度比含碳的较高。     

软磁薄膜高频巨磁阻抗效应的理论模型

利用修正的Landau-Lifshitz-Gilbert方程,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式,并与其它理论结果作了比较。结果表明,给出的有效横向磁导率表达式与其它理论结果一致。详细讨论了小尺寸薄膜中退磁场对共振频率的影响,理论计算与实验结果相符合。     

纳米高频软磁薄膜材料研究进展

由于高频软磁薄膜材料具有巨大的应用前景因此获得了人们广泛的关注。对纳米合金软磁薄膜、纳米软磁颗粒膜、多层膜以及图形化薄膜进行了分类综述,分别介绍了各类薄膜的制备方法、化学成分、微观结构特点和高频物理性能,并对影响其性能的主要因素进行了讨论。由于纳米高频软磁薄膜材料相对于传统磁性材料具有显著优势,所以纳米合金软磁薄膜有望取代铁氧体作为制作高频磁性器件的主要应用材料。由于纳米软磁颗粒膜、多层膜以及新兴的图形化薄膜具有材料结构设计和物性剪裁的自由度,因此将是今后的重点研究方向。     

软磁性薄膜微波磁特性的研究进展

概述了软磁性单层膜、多层膜、颗粒膜的微波磁特性研究进展,对这些薄膜的基本磁性和微波磁性进行了总结和讨论,得出软磁纳米晶薄膜可望成为应用于微波领域的主体候选材料,指出了Co(Fe)基软磁性薄膜微波特性的研究方向.     

溅射FeSiAl合金薄膜的结构及软磁性能

Ｓｅｎｄｕｓｔ合金是制做薄膜磁头和ＭＩＧ磁头的理想材料，本工作用射频溅射法了备了Ｓｅｎｄｕｓｔ成分的ＦｅＳｉＡｌｗ合金薄膜，研究了制备对膜结构和软磁性能的影响，并对其机理进行了讨论。     

退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁性能的影响

详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄膜仍展示垂直于膜面的矫顽力和磁滞回线 ,但是薄膜显示一清晰的平面内磁各向异性。实验表明 ,矫顽力和垂直磁各向异性的大大降低只是与退火温度的升高有关 ,而长时间的退火并不能有效影响薄膜的磁性和矫顽力。     

FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究

软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 ,而多层膜中的应力阻抗效应将为新型高灵敏传感器的设计和研制开辟一条崭新的途径