快速宽带直接频率合成器

介绍一种实现快速宽带直接频率合成的方法,给出相应的曲线,达到的主要技术指标为：带宽 ０．５～１８ＧＨｚ,相位噪声≤-１００ｄＢｃ／Ｈｚ＠１ｋＨｚ,频率捷变时间≤１μｓ。     

C波段双频切换低相噪介质稳频振荡器的设计

文章介绍了一种双频切换，低相噪介质稳频振荡器（ＤＲＯ）的设计方法。运用微波ＣＡＤ设计的Ｃ波段ＤＲＯ，其相位噪声可达到－７２～－７５ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ，最佳为－８０ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ；输出功率大于２０ｍＷ；推频系数小于１００ｋＨｚ／Ｖ；可在－２０℃～＋５５℃工作。     

2.30GHz—2.70GHz锁相环式频率综合技术研究

本文阐述了一个基本的Ｓ波段锁相式频率综合器，频率范围是２．３０ＧＨｚ－２．７０ＧＨｚ，频率步进为５ＭＨｚ，相位噪声指标为￡（１０ｋＨｚ）〈－９５ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散抑制优于５０ｄ，输出功率大于１０ｄＢｍ。     

Ka波段频率合成器

本文介绍了一种基于毫米波谐波混频、中频锁相的Ｋａ波段频率合成器的设计方案及实现结果。合成器的频率范围为２６．５￣４０ＧＨｚ,输出功率大于＋５ｄＢｍ,频率步进值为１ＭＨｚ,相噪指标为（１０ｋＨｚ）〈－６５ｄＢｃ／Ｈｚ,杂散低于－５５ｄＢｃ。     

X波段介质稳频振荡器

介绍一种环路反馈式ＦＥＴ介质稳频振荡器，达到的技术指标为振荡频率１０．２３ＧＨｚ；在－３０℃＋５０℃范围内，频率稳定度可达０．５５ｐｐｍ／℃；在偏离载频１００ＧＨｚ处的相位噪声为－１１０ｄＢｃ／Ｈｚ；振荡器两中出的功产为１０－１５ｍＷ。     

S波段高稳锁相振荡源研究

本文阐述了用数字锁相的方法完成Ｓ波段频率源，分析了锁相环的频谱特性；并对输出信号进行了测试，其相位噪声指标￡（１０ｋＨｚ）〈－９３ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散抑制〈－６５ｄＢｃ，输出功率大于１０ｍＷ。     

宽频偏声表面波压控振荡器研究

介绍宽频偏声表面波压控振荡器的实验研究。这种声表面波压控振荡器的工作频率为１８．３～１９．２ＭＨｚ，分四个频段进行数字信号控制，每一频段的压控频偏均大于３００ｋＨｚ，单边带相位噪声优于－１００ｄＢｃ／Ｈｚ／１ｋＨｚ，平均压控灵敏度大于５０ｋＨｚ／Ｖ。     

低相噪音次倍频源的研制

阐述了低噪声高次倍频器的设计原理和组成部分，介绍了已研制成功的高性能低相噪Ｘ波段１００次倍频频率源，经用３０４７Ａ相噪测试系统严格孬载频为０．３ＧＨｚ、偏离载频１ｋＨｚ和１００ｋＨｚ其单边带相位噪声分别达－１０８ｄＢｃ／Ｈｚ和－１２２ｄＢｃ／Ｈｚ。分别表明，所用１００次倍频器报会加相噪，其理论值达到２０ｌｏｇＮｎＢ。     

超低相位噪声超高速声表面波雷达频率综合器

介绍了一种新型的高性能雷达频率综合器的制作方法，即采用声表面波技术制作高性能的雷达频综器。采用这种方法成功地制造了Ｌ波段、Ｓ波段、Ｃ波段超低相位噪声超高速频率综合器。该类频综输出信号具有极低相位噪声（１．６ＧＨｚ处：单边带相位噪声Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１２７ｄＢｃ／Ｈｚ；３．４ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ＝－１２２ｄＢｃ／Ｈｚ；６．８ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１１６ｄＢｃ（Ｈｚ）、极短的频率切换时间（约１６０ｎｓ）、低杂波电平（Ｌ波段为－７０ｄＢ；Ｓ波段为－６５ｄＢ；Ｃ波段为－６０ｄＢ）、较多频点（５１点）等多项优异性能。同时，该频综通过了各项环境试验的考核，且长期工作性能稳定。     

S波段低相位噪声参考原

阐述了研制Ｓ波段低相噪参考源所需的晶振相噪特性、倍频器相噪特性，指出研制低相噪参考源的途径，在此基础上研制出了Ｓ波段极低相噪参考源，经严格测量，其相位噪声在１ｋＨｚ处优于－１２１ｄＢｃ／Ｈｚ，１００ｋＨｚ以外的相噪平底优于－１３５ｄＢｃ／Ｈｚ。所用２０次培频器几乎无附加相噪。     

Da波段锁相系统研究

利用多环方案，研制了八毫米波锁相源系统，实验表明，３４．７ＧＨｚ频率点输出的相位噪声指标（傅氏频率为１ＫＨｚ时）为－７８ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散优于－６０ｄＢｃ，输出功率大于４０ｍＷ．     

L波段数字锁相环频率合成器的研究

本文介绍了一种Ｌ波段锁相环频率合成器，频率范围１．１－１．６ＧＨＺ，频率步进为１ＭＨＺ，相位噪声为ε（１０ｋＨｚ）〈－９０ｄＢｃ／Ｈｚ杂散抑制优于５５ｄＢ，输出功率≥０ｄＢｍ。     

三毫米低相噪锁相系统研究

采用锁相方法，解决了三毫米波信号源的高稳定和低相噪问题，经测试，９２．６ＧＨｚ时其相位噪声指标（傅氏频率为１ＫＨｚ时），为－７５ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散优于－５５ｄＢｃ，输出功率大于１０ｍＷ。     

雷达与通信中的捷变频技术与SAW直接频率合成器

介绍了抗干扰通信、雷达系统中采用的频率捷变频技术，并对其关键技术——频率合成技术作了讨论，重点介绍了新型频率合成器——声表面波直接频率合成器。以一种１００点声表面波直接频率合成器为例，该直接频率合成器具有小于３μｓ的频率切换时间（跳频速率达３８０００跳／ｓ），－７０ｄＢｃ的虚假电平抑制，在５００ＭＨｚ偏离载频１ｋＨｚ处相位噪声为－９０ｄＢｃ／Ｈｚ，１００个频率点等多项优异性能。最后分析了声表面波直接频率合成器的应用前景和发展方向     

一种8mm本振源的设计

介绍一种８ｍｍ本振源的设计方案,并给出研制结果,１ｋＨｚ处的相位噪声达到了－９２ｄＢｃ／Ｈｚ,杂散优于－６０ｄＢｃ;还具有体积小、重量轻等特点。     

13／15GHz频段锁相本振源的设计方法

本文介绍了采用６－８ＧＨｚ频段频率合成器方式直接分频锁相介质振荡器和微波集成二倍频器电路技术制作 １３／１５ＧＨｚ频段数字微波通信系统锁相本振源的设计思想及设计过程。     

元器件快讯

表封式压控振荡器Ｍｉｎｉ -Ｃｉｒｃｕｉｔｓ生产的ＪＴＯＳ -１５５０型宽带表封式压控振荡器的工作频率范围为１１５０～１５５０ＭＨｚ,具有２２～３２ＭＨｚ（典型）的线性调谐特性。此振荡器的典型功率输出为７ｄＢｍ,在１００ｋＨｚ的间隔下具有 -１２１ｄＢｃ／Ｈｚ的低ＳＳＢ相位噪声、 -２０ｄＢｃ的谐波压缩率和０．５～２０．０Ｖ（最小到最大）的调谐电压。这款压控振荡器尤其适用于ＧＰＳ应用系统。咨询编号 :０１１１４０更小的集成式开关国际整流器公司推出了高效、低成本强化ＩＲＩＳ集成开关 ,它将ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯ…     

声表面波VCO的研制

介绍了１５５．５２ＭＨｚ、６２２．０８ＭＨｚ声表面波（ＳＡＷ）、１２４４．１６ＭＨｚ浅体波（ＳＴＷ）压控振荡器（ＶＣＯ）的原理、设计和性能。采用低插损、高Ｑ值的ＳＡＷ延迟线和ＳＴＷ谐振器，高性能微波放大器，变容二极管电移相器，使振荡器具有非常低的相位噪声（＜－１４０ｄＢｃ／Ｈｚａｔ１００ｋＨｚ）、高输出功率（＞９ｄＢｍ）、低温度－频率漂移（＜±３５ｐｐｍ，温度范围：－５～６０℃）、大频率调谐范围（＞４００ｐｐｍ）。     

S波段频率综合技术研究

本文论述的Ｓ波段频率综合器，频率范围是２．６１￣３．９６ＧＨｚ，频率步进为２．５ＭＨｚ，相位噪声指标〈－（８８￣９３）ｄＢｃ／Ｈｚ，长期频率稳定度为１×１０＾－９／日，杂散抑制优于５５ｄＢ，谐波抑制优于５０ｄＢ，输出功率大于１４ｄＢｍ。     

高效率的传播介质

型号ＡＬＡ－３ＡＬＡ－５ＡＬＡ－９扬声器ＬＦ：１０英寸（×２）ＨＦ：１英寸（×２）ＬＦ：１５英寸（×２）ＨＦ：１英寸（×２）ＬＦ：１５英寸（×２）ＨＦ：１英寸（×２）覆盖角度Ｈ：６０°Ｖ：１０°Ｈ：６０°Ｖ：１０°Ｈ：６０°Ｖ：１０°频率响应６５Ｈｚ～１７．５ｋＨｚ±３ｄＢ５０Ｈｚ～１７．５ｋＨｚ±３ｄＢ４５Ｈｚ～１７．５ｋＨｚ±３ｄＢ最大输出电平平均１２７ｄＢ峰值１３８ｄＢ平均１３２ｄＢ峰值１３８ｄＢ平均１３６ｄＢ峰值１４３ｄＢ承受功率／ＷＬＦ：６００／２４００ＨＦ：１５０／６００ＬＦ：９００…