Cr：KTP晶体生长及其有关性能研究

采用高温溶液法在不同温度下生长了掺质量分别为摩尔原子质量的０．０３％和０．１％的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，确定了它们的最佳生长温度区间，并讨论了不同生长温度区间对Ｃｒ：ＫＴＰ晶体形态的影响。利用光学显微镜和扫描电镜观察了Ｃｒ：ＫＴＰ的３种生长缺陷。利用差热分析法分析了Ｃｒ２Ｏ３对ＫＴＰ晶体分解温度的影响。测定了Ｃｒ：ＫＴＰ品体的吸收光谱和蓝绿波段的荧光光谱，并用间接法估计了晶体中Ｃｒ４＋离子的含量。确定了摩尔原子质量的０．０３％为Ｃｒ：ＫＴＰ晶体的最佳掺质浓度，并用激光激发实验予以证明。     

高温溶液中KTP晶体生长机制的研究

采用激光Ｒａｍａｎ光谱，研究了ＫＴＰ－Ｋ_２Ｏ－Ｐ_２Ｏ_５和ＫＴＰ－Ｋ_２Ｏ－Ｐ_２Ｏ_５－ＷＯ_３两种不同溶液的淬冷玻璃体，这些玻璃体部分地记录了相应溶液的溶质与溶剂间相互作用的信息，溶液中ＴｉＯ_６、ＰＯ_４、ＷＯ_４等阴离子基团形成了不同类型的溶剂合物。随后，以籽晶称重法测定了ＫＴＰ晶体在这两种不同溶液体系中的生长质量速度与溶液过饱和度之间的关系。实验结果表明，ＫＴＰ晶体生长机制与原子化的ＢＣＦ生长理论的面扩散或体扩散的线性定律与抛物线定律相吻合。     

掺镱钨酸锶晶体的生长及其性能表征

镱离子掺杂晶体材料是一类优秀的固体激光增益介质,已获得广泛应用.使用提拉法生长了不同镱离子掺杂浓度的钨酸锶(Yb:SrWO4)晶体,通过X射线粉末衍射仪测定了其单晶结构,对粉末衍射数据精修得到了其晶胞参数.使用X射线荧光光谱法测定了晶体中镱离子的实际掺杂浓度,结果表明Yb:SrWO4晶体中Yb3+离子存在掺杂上限,随着...     

Na_5Eu(WO_4)_4激光晶体的光谱特性

本文报道了用助熔剂缓冷法生长出长度达 4.5mm的Na_5Eu(WO_4)_4单晶,并对Na_5Eu(WO_4)_4单晶的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱、激发光谱和荧光寿命进行了测定,给出了Na_5Eu(WO_4)_4晶体室温下的能级,对该晶体的发光特性进行了分析。结果表明,NA_aEu(WO_4)_4单晶是有前途的基质激光晶体。     

掺镁铌酸锂晶体生长的研究

用丘克拉斯基技术从固液同成分熔体中生长了Mg2LiNbO3晶体，介绍了掺镁铌酸锂晶体生长的最佳工艺条件，所生长的晶体具有抗光折变性能，光学均匀性好。     

含碱掺铒磷酸盐玻璃光谱性质的研究

以72P2O5-8Al2O3-20R2O(R=Li，Na、K)和(77-x)P2O5-8Al2O3-(15 x)Na2O(x=0，5，10，15，20)掺铒磷酸盐玻璃系统为研究对象，测量和计算了掺铒磷酸盐玻璃的各种光谱参数，探讨了不同碱金属氧化物及其含量对掺铒磷酸盐玻璃光谱性质的影响。结果表明，积分吸收截面∑abs、峰值发射截面σemi、J-O强度参量Ωt以及自发辐射几率AR有较强的成分依赖性，并且主要决定于Er^3 离子周围结构和Er-O键共价性的变化；减小Er-O键的共价性可得到较高的∑abs、σemi以及AR。     

Fe:LiNbO_3晶体生长及其光谱特性

叙述了用提拉法从熔体中生长了不同掺量的Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ_３晶体，并进行了氧化处理，对晶体进行吸收光谱测试表明，晶体的光谱特性与掺量、氧化处理条件有密切联系，是一种比较优良的大容量体全息记录介质材料．     

掺铁钽酸锂晶体的生长及其光学性能的研究

在LiTaO3(LT)中掺进不同摩尔分数的Fe2O3,用提拉法生长Fe:LiTaO3晶体,测试了晶体的晶格常数、吸收光谱和红外光谱.发现晶体的晶格常数随着Fe2O3掺入量的增加而变大.晶体的吸收边随着铁含量的增加而发生红移,并在520 nm处有一吸收峰,是对Fe2+ 离子的吸收.LiTaO3晶体的OH-吸收峰位置在3 477 cm-1,当掺杂Fe2O3后,吸收峰的位置仍然在3 477 cm-1附近,红外光谱的吸收基本上没有变化.利用二波耦合光路测试了晶体的指数增益系数,计算了有效载流子浓度.测试结果表明,随着掺铁量的增大,其指数增益系数和有效载流子浓度都增大.     

水热法KTP晶体形貌及成因

利用双圈接触测角仪、双圈反射测角仪、微分干涉显微镜等测试手段,对不同条件下水热法生长的KTP晶体的宏观形态及各族晶面的微观形貌特征进行了观察和描述.测试了水热法KTP晶体的成分、结构.水热法生长的KTP晶体的宏观形态与晶体生长溶液的过饱和度及籽晶的切向、形态、悬挂方式有关:低过饱和度时,晶体中易出现高指数晶面,随着溶液过饱和度的增大,高指数晶面逐渐消失.各族晶面的微观形貌主要受控于晶体的内部结构.     

U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体

碘化铅（PbI2）晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。由于铅、碘化铅和碘三种物质的蒸汽压差很大,很难生长出优质的碘化铅单晶体。本文根据碘化铅熔体容易分解及Pb-I系统中熔体分层的特性,设计制作了新型的生长坩埚,并采用U型坩埚上升法生长出了橘黄色、半透明状的碘化铅晶体,初步测得其电阻率为1.7×10^12Ω.cm,红外透过率为45%。     

Growth of ZnO Sub-millimeter Crystals by Microwave Heating

ZnO sub-millimeter crystals were synthesized by microwave heating from ZnO powders without any catalyst or transport agent. Zinc oxide raw materials were evaporated from the high-temperature zone in an enclosure and crystals were grown on the self-source substrate. The thermodynamics analysis method was used to estimate the partial pressure of gases in the chamber, which shows that the pressure of ZnO could be neglected entirely in the range of experiment temperature. The kinetics analysis was employed to e...     

Sm^3＋：TGS晶体的生长习性,结构及铁电,热电性能

选择Ｓ＾３＋ｍ为掺杂阳离子，ＤＬ－丙氨酸和Ｌ－谷氨酸部分取代甘氨酸分子生长了掺杂ＴＧＳ晶体。生长和测试实验表明，Ｓｍ＾３＋；ＴＧＳ晶体较纯ＴＧＳ晶体易于生长，且对称性不变，是有应用前景的热释电材料。     

磷锗锌(ZnGeP2)单晶体生长研究

以高纯(6N) Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%～0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料.以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的 ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹.对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3 ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550～600 ℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2～12 μm波段内红外透过率可达55%以上.     

KTNP晶体生长、结构与粉末倍频效应的研究

采用高温溶液籽晶降温法生长了一系列KTNP晶体,研究了KTNP溶液的性质、KTNP晶体生长基元及其生长形态,测定了KTNP晶体的晶胞多数、红外光谱、吸收光谱和粉末倍频效应.最后,简要地讨论了所获得的一些研究结果.     

ZnWO_4单晶生长及其掺杂改性的研究

介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO_4:Mg,ZnWO_4:Cd,ZnWO_4:Sb,ZnWO_4:Ti,ZnWO_4:Ge,ZnWO_4:Ce晶体的发光效率进行了测定。结果表明,如果其吸收限移向高能端,相应的发光效率有所增加。     

硅酸镥单晶体生长方法研究

结合掺铈硅酸镥(Ce:Lu2SiO5)粉体的组成与性能特点、提拉法和焰熔法晶体生长工艺异同,讨论了目前使用提拉法生长掺铈硅酸镥单晶体存在的坩埚溶蚀、组分挥发、杂质浸入、闪烁性能不稳定等问题和原因,提出使用焰熔法生长Ce:Lu2SiO5单晶体可以有效解决这些问题,给Ce:Lu2SiO5单晶体的生长提供了一个新的研究方向。