超高密度信息存储薄膜研究最新进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度，超快的存取速率及长的存储寿命。目前前广泛应用的磁存储和光存储介质正在接近其物理极限。本文简要地综述了近来该方面的研究进展。     

基于超高密度信息存储薄膜制备的研究进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率.存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题,目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的.薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术.从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展.     

实现超高密度信息存储的最新进展

超高密度信息存储是信息科学发展的基石,本文综述了超高密度信息存储的材料及技术等方面的目的的研究进展。     

我科学家在纳米信息存储材料领域再获突破

我国科研人员在Rotaxane类分子的结构与电导转变及其在超高密度信息存储中的应用研究方面再获突破。在此前工作的基础上成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储。这是目前为止该类分子结构与电导转变的最直接证据，对Rotaxane类分子在分子电子学中的进一步应用具有重要意义。     

有机电荷转移体系用于超高密度信息存储研究

采用有机电荷转移复合材料和共轭Ｃｃｈｉｆｆ碱作为存储介质。通过ＳＴＭ脉冲电压存储实验实现了存储密度大于１０＾１２ｂｉｔｓ／ｃｍ＾２的超高密度信息存储。用ＵＶ－Ｖｉｓ、Ｘ射线四圆衍射分析等方法对材料结构进行了表征,并用量子化学计算讨论了可能的存储机制。     

研究有机功能薄膜光存储的半导体激光装置

叙述了一种为研究有机功能薄膜光信息存储而设计的半导体激光装置，用该装置研究金属酞菁固态薄膜，发现其有光存储功能。     

一种超高密度存储材料的四极质谱分析

三乙胺-四氰-p-醌二甲烷(TEA(TCNQ)2)单晶样品是一种可以用来进行超高密度信息存储研究的有机复合物材料.在扫描隧道显微镜(STM)针尖和TEA(TCNQ)2样品间加电压脉冲,可以在TEA(TCNQ)2样品表面形成规则排列的直径为纳米级孔洞阵列.为了阐明孔洞形成的机理,使用四极质谱计对其进行了残气分析.在负高压脉冲刻蚀TEA(TCNQ)2样品,测量到放出气体为TEA的86u主峰,证实了STM脉冲刻蚀形成的孔洞阵列主要是由于TEA(TCNQ)2气化分解的结果.测量TEA(TCNQ)2样品在不同热处理温度时的放气质谱,发现TEA(TCNQ)2样品在110℃时大量放出TEA气体.     

基于SPM技术的纳米信息存储薄膜的研究进展

扫描探针显微技术SPM可以在原子或分子尺度上对表面进行表征和修饰，应用SPM技术可以在薄膜表面形成纳米级的信息点阵，特别适合发展超高密度的信息存储，是一种非常有希望代替传统磁存储，光存储的纳米级存储技术，本文介绍了纳米信息存储薄膜的研究进展，并对其制备技术和读写机制进行了初步的探讨。     

信息存储材料：电子器件从“言时代”到“太时代”跨越

随着信息技术的飞速发展，人类要处理的信息量与日俱增，要求不断开发具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件。如何提高读写速度、实现纳米尺度信息存储是目前迫切要解决的问题。超高密度信息存储是指信息存储密度大于1012比特／平方厘米（1太比特／平方厘米），实现从电子器件从“吉时代”到“太时代”的跨越。与目前市售电子器件的存储密度相比，其信息存储能力堪称惊人。超高密度信息存储材料和器件作为纳米电子学的重要内容之一，将为未来信息技术的发展奠定理论和技术基础。     

研究有机功能薄膜光存储的半导体激光装置

叙述了一种为研究有机功能薄膜光信息存储而设计的半导体激光装置，用该装置研究金属酞菁固态薄膜，发现其有光存储功能。     

基于STM/AFM技术的信息存储材料研究现状及进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率，因而能在纳米尺度上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已经成为信息技术领域的研究热点。简要地介绍了近年来利用扫描隧道显微镜／原子力显微镜（STM／AFM）实现信息写入的纳米信息存储材料的研究进展，并进一步列举了尚待解决的问题。     

利用STM制作有机LB膜超高密度存储器

利用有机材料制作高密度存储器是当前纳米电子学研究的一个热点.有机LB膜的有序分子排列和能精确控制厚度的膜层被认为是高密度存储器理想的基体.具有原子分辨率及纳米量级局域作用微区的扫描隧道显微镜(STM)的出现则提供了制作超高密度存储器一种有力的高技术手段.本文介绍利用STM在有机LB膜上制作超高密度存储器.以硬脂酸制备多层LB膜,其形貌由STM成像.施加于STM针尖上的脉冲偏压,在LB膜表面的局域区域产生足够的强电场,使该微区转换为低阻导电状态,以高、低阻态分别表示两种逻辑状态,就完成了一次"写入"操作.LB膜材料的高、低阻态由STM的伏安特性(I-V)和扫描隧道谱(dI/dV-V)加以表征.用幅值较小的脉冲实现"读出"操作.该材料LB膜上存储的信息能保持很长时间,显示了潜在的应用前景.     

超高密度图案化磁信息存储介质的研究进展

信息存储的容量不断增大才能满足信息社会高速发展的需求。要提高磁信息存储的容量,就必须不断减小用于记录数据信息位的磁性颗粒的尺寸,但当尺寸减小到一定程度时,由于超顺磁效应将影响磁信息信息位的稳定性,所以必须开发新型高密度磁记录技术。目前,商用硬盘的磁记录技术正从传统的水平记录技术向垂直记录技术过渡,但正如业内人士指出那样,为了应对其它超高密度存储技术,如有机存储、光存储等的挑战,垂直记录技术只是磁信息存储技术向超高密度方向发展的一个“跳板“。展望2011年前后的新技术,希捷提出了“热辅助磁性写入“(heat-assisted magnetic recording)技术,该技术的实质是采用高矫顽力的磁性材料如铁铂合金作为记录介质,在信息写入时通过激光束加热降低信息位翻转场写入信息。而日立存储则提出“图案化介质“(patterned media)技术,在这种技术中,存储数据的信息位宛如“点“一样彼此相互独立,减少相互间的干扰和降低数据信息位损坏的危险。这两种技术都可望将磁信息存储密度提高到1Tbit/平方英寸以上,但是它们的实用化还有许多科学与工程问题需要解决。详细介绍了图案化介质记录技术的工作原理、读写存储系统的...     

有机薄膜的结构和功能

典型的有机薄膜是单分子二维单晶体、双分子膜和水铸膜,其厚度与分子长度大约一致。由于膜极薄皮面的化学成分、分子的结构、分子的定向、分子的凝聚状态和高的有序结构的强烈影响,有机薄膜显示出物理或功能特性。有机薄膜可以作为超小型电子元件用于存储器,记录器和各种信息转换的目的。这些有机薄膜必须显示有独特的或异常的物理性质,这种性质在没有表面分子定向,很好结构的分子凝聚或在顶部表面没有高的有序结构的材料中是不可能预期的。本文主要讨论了有机薄膜的渗透性、电光效应及生物适应性。     

我科学家突破光盘超高密度存储技术

中国科学家在超高密度存储技术理论研究和实验中取得具有国际先进水平的成果,研制出比现有光盘信息容量高一百万倍的高密度信息存储技术。 中国科学院物理研究所高鸿钧研究员领导的研究小组,将信息存储点的大小已减小到一纳米左右,即一厘米的百万分之一,并可进行信息点的擦除。高鸿     

FePt纳米薄膜研究进展

由于FePt在超高密度磁存储材料方面的广阔应用前景及其局限性,研究人员对FePT薄膜进行了大量的研究及改性.根据国外近期在此领域的研究现状,综述了单相、复相及掺杂FePt薄膜的制备以及对结构和性质的影响.复相或掺杂主要是通过结构的改变来降低L10晶相转变温度和FePt颗粒的大小,通过其耦合作用来影响FePt薄膜的磁学性能,使其成为超高密度存储器材料.     

纳米有机光电功能材料

本文简要综述了有机纳米光电功能材料的研究进展。详细讨论了有机纳米薄膜的制备方法、结构表征、性能研究及应用前景。     

镁合金表面有机纳米薄膜的功能特性

采用有机镀膜技术和三嗪硫醇类有机单体在Mg-Mn-Ce镁合金表面生成了具有疏水特性的有机纳米薄膜。选取循环伏安法曲线中不同特征点研究了有机镀膜的反应机理,借助傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪、椭圆偏振光谱仪和接触角测量仪表征了有机镀膜后镁合金表面薄膜的特性.结果表明,有机镀膜过程分为电化学反应成膜和膜层层间聚合反应增厚两个阶段;镁合金与有机物单体通过化学键发生结合;随着有机镀膜反应过程的进行薄膜的厚度由9.14 nm逐渐增加到64.51 nm,形成稳定的纳米薄膜;有机镀膜后镁合金表面的蒸馏水接触角从未镀膜的45.8°上升到117.9°,实现了由亲水到疏水的功能特性转换。     

超高密度磁存储的展望

磁性存储是最常用的海量存储技术,其记录密度越来越高,发展也越来越快。本文通过对信息记录、读出和存储三个过程的分析,对比了硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点,指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密记录的方向,光辅助磁记录是很有希望的记录技术。同时,还指出量子磁盘技术是未来高密记录的方向。     

AM60镁合金表面功能纳米有机薄膜的制备及特性研究

通过有机镀膜方法,利用一种设计合成的三氮杂嗪硫醇有机化合物钠盐在AM60镁合金表面制备了有机薄膜。采用循环伏安法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了镁合金表面有机镀膜过程的反应机理,使用椭圆偏振光谱仪测量了薄膜的厚度、接触角测量仪表征了薄膜的浸润性,借助极化曲线和电化学阻抗谱评价了膜层的耐腐蚀性。结果表明,该有机薄膜为纳米尺度,且使镁合金表面发生亲水到疏水特性转变;经有机镀膜后镁合金的腐蚀电流从1840nA/cm2降低到540nA/cm2、腐蚀电位从-1.454V上升到-1.340V,且电荷传递电阻从2.24kΩ·cm2提高到16.88kΩ·cm2,从而有效地提高了镁合金基体的耐腐蚀性能。