共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
SiGe/Si光电探测器研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文综述了目前国内外在工作波长1.3-1.5μm的SiGe/Si超晶格探测器的工作波长为8-12μm的SiGe/Si异质结长波长红外探测器方面的研究进展,并分析了存在的问题和材料的各种生长方法。 相似文献
2.
UHV/CVD设备及其特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文描述超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)的设计思想、系统的结构和性能,着重介绍超高真空的获得和系统的特点,将为“第二代硅”SiGe/Si异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。 相似文献
3.
本文综述了目前国内外在工作波长1.3~1.5μm的SiGe/Si超晶格探测器和工作波长为8~12μm的SiGe/Si异质结长波长红外探测器方面的研究进展,并分析了存在的问题和材料的各种生长方法。 相似文献
4.
溶胶—凝胶法制备Ge/SiO2微晶复合薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用Sol-gel方法制备了GeO2-SiO2复合薄膜,并用H2/N2还原使得GeO2转变成Ge微晶而镶嵌在SiO2的玻璃网格中,其平均晶粒尺寸小于4nm。随着热处理时间的增加,240nm处吸收峰的强度随之增大,并且其吸收边产生红移,说明Ge微晶的含量晶粒尺寸都在增大。 相似文献
5.
6.
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。 相似文献
7.
系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si-xGex合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深度剖析。在生长过程中,组分均匀,在表面Ge浓度减小,Si浓度没有明显变化。在不经HF酸清洗和在HF酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下,用XPS分别对外延层表面进行了定量分析,得到Ge的表面偏析与表面自然氧化相关的结论。 相似文献
8.
在双靶射频溅射系统中,以氩气为工作气体,交替溅射高纯Ge和SiO2制备同非晶态Ge/SiO2超晶格,小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平稳性,其光学带隙Eopt由红外透射,反射谱确定,当储势阱层厚度从0.38nm减小到0.12nm时,超晶格光学带隙发生的0.3eV的蓝移。 相似文献
9.
光导型GaN/Si探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,经此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明,在紫外波段250 ̄360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和。 相似文献
10.
采用流延法制备了Si3N4块体及Si3N4/BN层状材料。流延法已经在陶瓷的制备工艺中得到了广泛的应用,但是很少用于Si3N4体系,尤其是水基流延法。用流延法制备Si3N4/BN层状材料时,可以较为容易的控制坯片的厚度,得到性能稳定的层状材料。 相似文献
11.
12.
采用Sol-gel方法制备了GeO2-SiO2复合薄膜,并用H2/N2还原使得GeO2转变成Ge微晶而镶嵌在SiO2的玻璃网格中,其平均晶粒尺寸小于4nm 。随着热处理时间的增加,240nm 处吸收峰的强度随之增大,并且其吸收边产生红移,说明Ge 微晶的含量及晶粒尺寸都在增大 相似文献
13.
14.
15.
本文综述了硅外延的三大发展趋势,指出降低外延温度是外延发展的迫切要求;同时比较了分子束外延(MBE)、光能增强化学汽相淀积(光CVD)、等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)的优缺点,指出UHVCVD和PECVD二者合二为一是最具应用前景的方法。其次,论述了异质外延和SiGe/Si超晶格材料的应用前景。最后,论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。 相似文献
16.
对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时这发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象,研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制。 相似文献
17.
本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。 相似文献
18.
采用快速加热,超低压化学气相淀积方法,在-Ge衬底上外延生长-GeSi-Si薄层,首次研制成功了1.3-1.55μm波段的GeSi异质结红外探测器,其主要参数性能优于该波段的同类型Ge探测器。 相似文献
19.
GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。 相似文献
20.
经高温热处理后的SiGe:GaP半导体温差电材料,其微观结构由具有富Si相特征变化成为具有富Ge相特征,温差电优值也得到了提高。实验还表明,材料晶格热导率的降低与富Si相的消失和富Ge相的出现有关。然而,塞贝克系数和电导率的显著变化却与微观结构中富Si相和富Ge相的变化基本无关。通过对材料微观结构和温差电特性比较发现,具有富Ge相特征的微观结构对应于较大的温差电优值。 相似文献