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采用多靶磁控溅射制备了 W/SiC纳米多层膜。并用 XRD和 TEM研究了 W/SiC纳米多层膜的微结构。研究表明,W/SiC纳米多层膜的调制结构界面平直、清晰、周期性好;SiC调制层为非晶态,W调制层在大调制周期为纳米晶,并随调制周期减小逐渐转变为非晶态。 相似文献
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采用多靶磁控溅射制备了W/SiC纳米多层膜,并用XRD和TEM研究了W/SiC纳米多层膜的微结构。研究表明,W/SiC纳米多层膜的调制结构界面平直,清晰,周期性好,SiC调制层为非晶态,W调制层在大调制周期为纳米晶,并随调制周期减小逐渐转变为非晶态。 相似文献
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运用XPS和AES研究了PZT膜/Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应;在热处理过程中,气氛中的气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT/Si同旧,并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散么样品表面形成SiO2表面层。此外,在PZT/Si界面上,Ti的氧化物和Si发生还原反应,形成了TiSix金属硅化物,并残留在PZT膜层和和SiO2界面层中。在PZT膜层内,有 相似文献
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用磁控射法制备Mo/Si多层膜和Mo/B4C多层膜,并在真这中加热30min,温度为200,400,600,800和1000℃。用小角X射线衍射法和透射电镜研究不同温度下加热的样品。实验结果表明,当加热温度达600℃时,Mo/Si多层膜周期被破坏。 相似文献
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通过溅射Nb膜张力与氩(Ar)压强的关系,超导转变温度Tc,室温阻抗与液氮温度阻抗比RRT/RLN2,沉积中Ar浓度CAr与负偏压关系的测量和扫描电子显微镜的观察分析,对约瑟夫森结Nb电极作了研究。发现Ar压强在1.1Pa时,Nb膜呈现无应力状态;低负偏压下沉积的Nb膜晶粒结构是由致密膜到圆柱状。在偏压Ub=-50V时,获得表面致密均匀、晶粒结构合适的Nb膜。对Nb膜用阳极氧化电压谱图(AVS)分 相似文献
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利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱分析了Si衬底上金刚石膜核化和生长的过程,并着重分析了核化过程产生的SiC的性能。利用划痕法测量了WC衬底上沉积SiC和未沉积SiC时生长金刚石膜的粘附力,同时还分析了WC半底上有和没有SiC沉积层时表面附近金刚石膜的内应力。结果表明,SiC层大大地增强了含碳粒子的聚集和金刚石膜与衬底之间的粘附性,降低了金刚石膜与衬底之间的内应力。 相似文献
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氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测定了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EMA)分析了结晶膜的微结构特性。研究表明:低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a-Si:H的EMA混合物表征,说明其结晶度相对较低;而高能量密度辐照形成的结晶层,因基结晶度较高,可用不含a-Si:H的EMA混合物表征。在结晶膜与衬底之是形成了互混层,其 相似文献
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用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si 为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Si 过渡层厚度达到0.9nm 时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Si1.5nm/Co 5nm/Cu 3nm/Co 5nm结构中,在其易轴上得到了5 .5% 的巨磁电阻值和0.9 %/Oe 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Si/Co 界面之间的相互扩散,发现在过渡层Si 与Co 层间形成了CoSi 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性,从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。 相似文献
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用高真空电子束蒸发方向制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Si过渡层厚度达到0.9nm时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各是性。在Si 15nmm/co5nm/Cu3nm/Co5nm结构中,在其易轴上得到了5.5%的巨磁电阻值和0.9%/Oe的高磁场灵敏度。研究了过渡层Si/Co界面之间的相互扩散,发现在过渡层Si与Co层间形成了Co-Si化合物。这 相似文献
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PECVD生长nc—Si:H膜的沉积机理分析 总被引:3,自引:0,他引:3
nc-Si:H膜具有显著不同α-Si:H与μc-Si:H膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发,定性地分析了本征nc-Si:H与掺磷nc-Si(P):H膜的沉积机理,并提出了进一步改善膜层质量的新途径。 相似文献
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对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得到的结果。 相似文献
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磁控溅射SiC/W纳米多层膜的微结构研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用磁控溅射法在Si基底上制备了不同调制波长的SiC/W纳米多层膜。利用小角度X射线衍射技术,详细研究了其中典型的多层膜的调制周期性。各子层的厚度及界面平整度等界面微观结构。结果表明:磁控溅射法制备的纳米多层膜具有较好的周期结构及陡峭的界面梯度,由衍射峰位置计算出的界面不均匀旗与子层厚度之比一般在5%以内。 相似文献
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碳化硅陶瓷和金属铌及不锈钢的扩散接合 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了碳化硅陶瓷和金属Nb的相反应,显微组织结构和Nb2C、Nb5Si3Cx,NbC和NbSi2的形成过程,分析了反应相对霎头强度的影响。 相似文献
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分别用磁控溅射和电子束蒸发技术,在大功率AlGaA3-GaA3激光器条端面上,制作了SiO2/Si干涉镜和Al2O3减反射膜。讨论了Si靶反应磁控溅射下,氧化硅层的沉积速率和影响镀层质量的因素。 相似文献
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采用离子束溅射镀膜装置制备了一种新的材料组合Si/C多层膜,用于30.4nm波段的正入射多层膜反射镜。并用软X射线反射率计测得其反射比最大值为0.14。有效地抑制了15.0nm处的二级衍射峰。 相似文献