W/SiC纳米多层膜的制备及表征

采用多靶磁控溅射制备了 Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜。并用 ＸＲＤ和 ＴＥＭ研究了 Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜的微结构。研究表明,Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜的调制结构界面平直、清晰、周期性好;ＳｉＣ调制层为非晶态,Ｗ调制层在大调制周期为纳米晶,并随调制周期减小逐渐转变为非晶态。     

W／SiC纳米多层膜的制备及表征

采用多靶磁控溅射制备了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜,并用ＸＲＤ和ＴＥＭ研究了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜的微结构。研究表明,Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜的调制结构界面平直,清晰,周期性好,ＳｉＣ调制层为非晶态,Ｗ调制层在大调制周期为纳米晶,并随调制周期减小逐渐转变为非晶态。     

通过过渡层改善金刚石膜和基底间的结合性能

介绍了在金刚石膜和基底间通过施加过渡层以改善金刚石膜与基底间的结合性能的研究成果。金刚石膜可以通过过渡层沉积于多种基底上,如Ｓｉ、ＳｉＯ２ 、陶瓷（ＳｉＣ,Ａｌ２Ｏ３） 、钢及硬质合金基底等。过渡层有单层（ 如ＤＬＣ、Ｃ６０ 、Ｙ ＺｒＯ２ 、Ｃ Ｎ 膜、ＴｉＣ或ＴｉＮ） 和多层（ 如Ｍｏ／Ｎｉ、Ｍｏ／ＴｉＮ 或Ｂ／ＴｉＢ２／Ｂ 等） 之分,根据金刚石、过渡层及基底的晶格匹配性和热学匹配性,对于不同的基底应选择不同的过渡层。     

PZT／Si薄膜的扩散反应研究

运用ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了ＰＺＴ膜／Ｓｉ在热处理过程中的薄膜及界面化学反应；在热处理过程中，气氛中的气通过ＰＺＴ的缺陷通道扩散到ＰＺＴ／Ｓｉ同旧，并与界面上的硅发生氧化反应形成ＳｉＯ２界面层。同时基底上的硅通过ＰＺＴ的缺陷扩散么样品表面形成ＳｉＯ２表面层。此外，在ＰＺＴ／Ｓｉ界面上，Ｔｉ的氧化物和Ｓｉ发生还原反应，形成了ＴｉＳｉｘ金属硅化物，并残留在ＰＺＴ膜层和和ＳｉＯ２界面层中。在ＰＺＴ膜层内，有     

Mo／Si和Mo／B4C软X射线多层膜的界面热稳定性研究

用磁控射法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜和Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多层膜，并在真这中加热３０ｍｉｎ，温度为２００，４００，６００，８００和１０００℃。用小角Ｘ射线衍射法和透射电镜研究不同温度下加热的样品。实验结果表明，当加热温度达６００℃时，Ｍｏ／Ｓｉ多层膜周期被破坏。     

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随这沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结构液昌光阀可改进器件的许多性能。     

约瑟夫森结Nb电极的实验研究

通过溅射Ｎｂ膜张力与氩（Ａｒ）压强的关系，超导转变温度Ｔｃ，室温阻抗与液氮温度阻抗比ＲＲＴ／ＲＬＮ２，沉积中Ａｒ浓度ＣＡｒ与负偏压关系的测量和扫描电子显微镜的观察分析，对约瑟夫森结Ｎｂ电极作了研究。发现Ａｒ压强在１．１Ｐａ时，Ｎｂ膜呈现无应力状态；低负偏压下沉积的Ｎｂ膜晶粒结构是由致密膜到圆柱状。在偏压Ｕｂ＝－５０Ｖ时，获得表面致密均匀、晶粒结构合适的Ｎｂ膜。对Ｎｂ膜用阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ）分     

SiC在异质衬底生长金刚石膜的作用分析

利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｒａｍａｎ光谱分析了Ｓｉ衬底上金刚石膜核化和生长的过程,并着重分析了核化过程产生的ＳｉＣ的性能。利用划痕法测量了ＷＣ衬底上沉积ＳｉＣ和未沉积ＳｉＣ时生长金刚石膜的粘附力,同时还分析了ＷＣ半底上有和没有ＳｉＣ沉积层时表面附近金刚石膜的内应力。结果表明,ＳｉＣ层大大地增强了含碳粒子的聚集和金刚石膜与衬底之间的粘附性,降低了金刚石膜与衬底之间的内应力。     

Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

非晶态二氧化硅（ＳｉＯ２）具有优良的驻极体性质,可制成微型化、集民经和机敏化的高灵敏度的传感器。但是,热氧化ＳｉＯ２驻极体膜的高压应力引起微结构变形,对薄膜储电特性形成复杂的影响。利用氮化硅薄膜的高张应力研究成氮化硅／二氧化硅Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２）双层膜,可使其内应力相互补偿。本文讨论了双怪膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性。实验结果表明,Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层膜系统的电荷寿命比ＳｉＯ２驻极     

氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析

用ＸｅＣｌ准分子激光器对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行了诱导晶化处理。测定了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Ｂｒｕｇｇｅｍａｎ有效介质近似（Ｂ－ＥＭＡ）分析了结晶膜的微结构特性。研究表明：低能量密度辐照形成的结晶层需用含有ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征，说明其结晶度相对较低；而高能量密度辐照形成的结晶层，因基结晶度较高，可用不含ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征。在结晶膜与衬底之是形成了互混层，其     

Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性

用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中,在其易轴上得到了５ ．５％ 的巨磁电阻值和０．９ ％／Ｏｅ 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ 界面之间的相互扩散,发现在过渡层Ｓｉ 与Ｃｏ 层间形成了ＣｏＳｉ 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性,从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。     

Si作过渡层的Co／Cu／Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应？…

用高真空电子束蒸发方向制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ过渡层厚度达到０．９ｎｍ时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各是性。在Ｓｉ １５ｎｍｍ／ｃｏ５ｎｍ／Ｃｕ３ｎｍ／Ｃｏ５ｎｍ结构中,在其易轴上得到了５．５％的巨磁电阻值和０．９％／Ｏｅ的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ界面之间的相互扩散,发现在过渡层Ｓｉ与Ｃｏ层间形成了Ｃｏ－Ｓｉ化合物。这     

PECVD生长nc—Si：H膜的沉积机理分析

ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜具有显著不同α－Ｓｉ：Ｈ与μｃ－Ｓｉ：Ｈ膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ与掺磷ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ膜的沉积机理，并提出了进一步改善膜层质量的新途径。     

沉积温度为室温和560 ℃的Nb/Si多层膜微结构研究

对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得到的结果。     

磁控溅射SiC／W纳米多层膜的微结构研究

用磁控溅射法在Ｓｉ基底上制备了不同调制波长的ＳｉＣ／Ｗ纳米多层膜。利用小角度Ｘ射线衍射技术，详细研究了其中典型的多层膜的调制周期性。各子层的厚度及界面平整度等界面微观结构。结果表明：磁控溅射法制备的纳米多层膜具有较好的周期结构及陡峭的界面梯度，由衍射峰位置计算出的界面不均匀旗与子层厚度之比一般在５％以内。     

碳化硅陶瓷和金属铌及不锈钢的扩散接合

研究了碳化硅陶瓷和金属Ｎｂ的相反应，显微组织结构和Ｎｂ２Ｃ、Ｎｂ５Ｓｉ３Ｃｘ，ＮｂＣ和ＮｂＳｉ２的形成过程，分析了反应相对霎头强度的影响。     

离子束增强沉积Si3N4／Si多层红外干涉滤波薄膜

利用离子束增强沉积工艺，在硅基片上制备Ｓｉ３Ｎ４／Ｓｉ多层红外干涉滤波薄膜。结构表明，Ｎ＾＋２＋Ｎ＋的辅助轰击对于合成接近化学配比的Ｓｉ３Ｎ４薄膜起了关键作用。薄膜的折射率可达１．７４－１．８４。实验测得的多层滤波薄膜的红外反射谱与值相当接近。     

海外文献速递

薄膜２００００２０１微波等离子体增强化学气相沉积金刚石膜微观结构──Ｃｈｅｎ Ｙ Ｈ． Ｏｉａｍｏｎｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ, １９９８, ７（９）：１２７２（英文） 用富Ｓｉ氨化物作预聚物和用负偏压微波等离子体增强化学气相沉积方法,在Ｓｉ基体上选择性部位沉积（ＳＡＤ）金刚石膜。结果表明,Ｃｈ４／Ｈ２混合气体压力过低（７． ９８～９． ９８） × １０~３ Ｐａ,Ｓｉ基体上金刚石膜形核受到抑制,ＳｉＮ基体上形核不受影响,采用以上工艺可获得高ＳＡＤ金刚石膜。最佳沉积工艺参数：气体总压力７．…     

大功率AlGaAs—GaAs激光器干涉镜和减反射膜的制备

分别用磁控溅射和电子束蒸发技术，在大功率ＡｌＧａＡ３－ＧａＡ３激光器条端面上，制作了ＳｉＯ２／Ｓｉ干涉镜和Ａｌ２Ｏ３减反射膜。讨论了Ｓｉ靶反应磁控溅射下，氧化硅层的沉积速率和影响镀层质量的因素。     

30.4nmSi／C多层膜反射镜的制备与测量

采用离子束溅射镀膜装置制备了一种新的材料组合Ｓｉ／Ｃ多层膜，用于３０．４ｎｍ波段的正入射多层膜反射镜。并用软Ｘ射线反射率计测得其反射比最大值为０．１４。有效地抑制了１５．０ｎｍ处的二级衍射峰。