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本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。 相似文献
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本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10~(16)cm~(-3)和4×10~(16)cm~(-3),室温空穴迁移率分别为940cm2/v.s和260cm~2/v.s。用Te作n型掺杂剂,可获得载流子浓度在10~(16)~10~(18)cm~(-3)的优质GaSb和InGaAsSb外延层,所研制的材料已成功地制备出D_λ~*=4×10~(10)cmHz~(1/2)/W的室温InGaAsSb红外探测器和室温脉冲AlGaAsSb/InGaAsSb双异质结激光器。 相似文献
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工业铯钟速率变化主要因素的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
上海天文台(SO)原子时实验室的4台工业铯钟1983~1990年连续工作了4或7年,它们的速率的长期变化与钟房的环境参数和性能参数的变化有关。本文根据有关数据,用不同的方法进行了分析,得到了一些明晰的结果。1)钟的速率变化受湿度的季节性变化影响:在相对湿度变化1%时,Cs2(1267)和Cs4(14574)的速率变化分别为1.895us/d(2.2×10-14)和0.618ns/d(7.1×10-15)。SO的原子钟房的相对湿度的年变化为20%~85%,引起这两台钟的速率年变化分别为1.43×10-12和4.65×10-142)钟的速率变化受钟的离子泵电流参数的线性变化(从钟束管寿命的中期开始)影响:在离子泵电流参数变化1μA时,Cs3(16180)和Csl(12997)的速率变化分别为0.439ns/a(5.08×10-15)和0.552ns/a(6.39×10-15)。这两台钟的离子系电流参数的年变化分别为16.47μA/a和6.53μA/a,引起的频率漂移率分别为1.67×10-13/a(0.0395ns/d2)和8.3×1014/a(0.0197ns/d2) 相似文献
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V2O3系新型PTC热敏元件的实用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对V2O3系新型PTC热敏元件进行实用性研究。结果表明,元件的性能指标达到:常温电阻率8.0×10^-4Ωcm,升阻比380倍,电阻纱数6%/℃,额定电流密度1A/mm^2,响应时间0.5s。该元件用作大电流过流保护元件。 相似文献
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利用我们研制的常压MOVPE设备对国产TMGa、TMAl、TMIn和TMSb进行了鉴定,为此分别生长了GaAs、AlGaAs、InP、GaSb外延层和GaAs/AlAs、GaSb/InGaSb超晶格和GaAs/AlGaAs量子阱结构。表征材料纯度的77K载流予迁移率分别达到GaAs:μ_n=56600cm ̄2/V·s,Al_(0.25)Ga_(0.75)As:μ_n=5160cm ̄2/V·s,InP:μ_n=65300cm ̄2/V·s,GaSb:μ_p=5076cm ̄2/V·s。由10个周期的GaAs/AlAs超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶X射线回摆曲线上高达±20级的卫星峰。GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As量子阱最小阱宽为10,在liK下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为390meV,其线宽为12meV。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。 相似文献
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本报道了SrV6-xAlxO11固溶体的形成条件,固溶体各组份的结晶学参数和电导性能,从结构上讨论了Al^3+部分取代对固溶体各组份晶胞参数的影响,用简单的Arrhenius模型拟合ln与1000/T之间的关系,并据此计算得固溶体各组份的活化能和指前因子,固溶体各组份均具有较高的室温电导率,其中x=0.6组份为最大,其值害1.0×10^-1S.cm^-1。 相似文献
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为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响,在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为100℃和250℃烘烤的情况下,对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率q(Torr,l/s,cm^2)遵循指数规律:q=(Cs/A)^m,其中,c和m(0〈m〈1)为常数:S/A为抽气参数,其定义为抽速S(l/s)与真空容器表面积A(cm^2)之比,S/A的变化范围从2.46×10^-5到1.26 相似文献
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应用阻抗谱,结合阻温特性测量分析铜离子注入(110KeV,6×10^15和1×10^17ions/cm^2)半导体BaTiO3陶瓷的PTCR特性。结果表明,注入剂量较低时,可以提高材料的PTCR效应。认为注入的铜离子以Cu^2+和Cu^+同时存在于BaTiO3材料晶界处并发生电子转移,起着电子陷阱作用。 相似文献
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Nasicon型快离子导体Na1+xZr2-yM0.8ySixP3-xO12系统采用高温固相合成,春合成温度在1373K左右完成,该的合成温度在x不变的情况下,随着y的增大而降低,大多烽合成物为单斜晶系;空间群为C3/c。当y不变,x增大地基地率的变化是先增大,后减小。最佳导一的起始组成为x=1.5、y=0.1,其电导率在室温时为3.20×10^-4S/cm,在673K时为6.88×10^-2S/ 相似文献
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采用MetalVaporVacuumArc(MEVVA)离子源的离子束合成法,往Si衬底注入剂量为3.0×10^17~1.6×10^18cm^-2的C^+制成SiC埋层,C^+离子束的引出能量为50keV,光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量,采用MEVVA离子源可以平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的SiC埋层。 相似文献
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Ag-BaO薄膜是一种新型光电发射薄膜材料。制备出ITO/Ag-BaO/AU三明治电极结构,在红外超短激光脉冲(hv=1.17eV)作用下,借助内场辅助方法,使得Ag-BaO薄膜的光电发射量子效率提高了一个数量级,由钠场时的10^-7量级提高到内场偏压为10V时遥2.2×10^-6量级;样品的阈值光强由60KW/cm^2降为40KW/cm^2,约降低了30%。这些结果表明:内场辅助方法确实是降低A 相似文献
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用电子束蒸发设备,制备了用于光纤通信等中的GaAs和InP系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明,对发光波长为0.85μm和0.90μm的GaAlAs/GaAs发光二级管,蒸镀四分之一波长厚的Al2O3减反射膜,输出光功率在50mA和100mA电流注入下,可增加25 ̄35%,最大可增加50%。但对于1.3μm波长的InGaAsP/InP型红外发光二极管,用ZrO2作减反射膜,比用A 相似文献
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NH3-MBE生长极化场二维电子气材料 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm^2/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm^2/Vs(RT)和1700cm^2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2*10^13cm^-2(RT)和2.6x10^13cm^ 相似文献
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Al2O3—SiC纳米复合陶瓷的准分子激光表面改性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用XeCl准分子激光器(波长308nm)照射Al2O3-SiC纳米复合陶瓷试样,能量密度在0.8~6.0J/cm^2范围内。照射后,表面缺陷消除,形成连续分布的光滑平整的熔化层,并出现亚稳相γ-Al2O3。由于表面形貌的改善和结构的变化,使表面韧性K1c得到提高。 相似文献
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YCOB晶体生长与激光倍频性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
坩埚下降法沿<010>和<001>方向生长了直径达到25mm的完整透明的Ca4YO(BO3)3 (YCOB)晶体.化学腐蚀结果表明,所生长晶体无孪晶或亚晶界等缺陷,晶体尾部的位错密度 不超过1800/cm2测量了YCOB的透射光谱,其截止波长为200nm进行了YCOB晶体对 Nd:YAG激光的二次倍频实验.通过与KDP晶体对比,计算出YCOB晶体的有效非线性系数 在Ⅰ型相位匹配方向(θ,φ)=(66.3°,143.5°)和(65.9°,36.5°)上分别为1.45pm/V和0.91pm/V; 大于KDP和 LBO晶体.在脉冲宽度10ns的 Nd:YAG激光单脉冲辐射下YCOB晶体出现体 损伤的激光损伤阈值不低于85GW/cm2. 相似文献
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采用高压LEC工艺生长3inck掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1*10^18/cm^3,晶体位错密度小于1*10^4/cm^2。实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上。 相似文献