离子束辅助沉积MoS2复合膜的XPS和ESR特性分析

通过IBAD技术制备了MoS2 Ag(Cu)复合膜 ,并利用XPS和ESR考察了复合膜的氧化情况。发现在RH为 6 0 %的大气环境下 ,Cu的掺入加速了MoS2 的氧化 ,相反Ag的加入却使MoS2 的氧化受到抑制 ;XPS发现MoS2 Cu复合膜中存在Mo6 ,ESR却并没发现中间态Mo5 ;而XPS没有检测到MoS2 Ag膜中有Mo6 ,ESR却发现Mo5 。这说明Mo5 受化学环境影响较大     

IBAD MoS2-Ta复合膜的氧化行为研究

用XPS分别检测了在去离子水中浸泡 1 58h以及在 430℃高温加热 1h的离子束辅助沉积MoS2 Ta复合膜中Mo与S元素的电子结构。发现在浸泡和 430℃高温环境 ,MoS2 Ta复合膜的抗氧化特性远优于同样条件下沉积的纯MoS2 复合膜。结合TEM ,AES和XPS对MoS2 Ta膜的形态、结构、组成以及元素的化学态进行的观察和分析 ,讨论了这种膜抗氧化性能提高的可能机制     

离子束辅助薄膜沉积

离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法，可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况，列举了具体应用领域，描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发，最后对IBAD的前景加以评论。     

离子束辅助沉积技术及其进展

本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理，主要工作特点，设备及主要影响因素，综 利用该技术在制备各种新膜层方面研究的新进展，并指出该技术的不足及未来发展方向。     

离子束辅助沉积技术及其进展

本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理，主要工作特点，设备及主要影响因素。综述了利用该技术在制备各种新型膜层方面研究的新进展。并指出该技术的不足及未来发展方向。     

IBAD MoS2—Ta复合膜的氧化行为研究

用ＸＰＳ分别检测了在去离子水中浸泡１５８ｈ以及在４３０℃高温加热１ｈ的离子束辅助沉积ＭｏＳ２－Ｔａ复合膜中Ｍｏ与Ｓ元素的电子结构。发现在浸泡和４３０℃高温环境,ＭｏＳ２－Ｔａ复合膜的抗氧化特性远优于同样条件下沉积的纯ＭｏＳ２复合膜。结合ＴＥＭ,ＡＥＳ和ＸＰＳ对ＭｏＳ２－Ｔａ膜的形态,结构,组成以及元素的化学态进行的观察和分析,讨论了这种膜抗氧化性能提高的可能机制。     

离子束辅助沉积制备多晶Al_2O_3薄膜

利用电子枪蒸镀 Al_2O_3,同时辅以 Ar 离子轰击的离子束辅助沉积方法(IBAD)制备 Al_2O_3薄膜,并与单纯电子枪蒸镀方法(PVD)制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较。IBAD 法可以得到结构均匀致密的γ-Al_2O_3晶态薄膜,而 PVD 方法仅能得到非晶态疏松的结构。分析结果表明,薄膜沉积过程中,提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。     

Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析

通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析,计算出Se扩散均匀性为90%时,采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。     

离子束辅助沉积设备的研制

本文介绍了离子束辅助沉积设备的结构、工作原理、设备性能以及工艺试验初步。     

离子束辅助沉积技术制备耐磨抗蚀膜层的研究进展

介绍了离子束辅助沉积技术及其在制备耐磨抗蚀膜层方面的应用，对该技术目前的发展现状及应用前景作了评述。     

离子束增强沉积技术制备MoS2固体润滑膜

本文综述了离子束增强沉积技术的主要特点及其在制备固体润滑膜方面的最新研究结果，与传统溅射沉积技术比较，其优势在于：易于获得沿ｂａｓａｌ面的择优取向分布，膜层结构致密，膜基结合强度高，膜层耐磨损寿命大幅度提高。     

离子束辅助沉积制备TiO2—Nb2OT氧敏薄膜

采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５的氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结果的影响。电阻－氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；     

用离子束辅助沉积和计算机控制系统制备纳米薄膜复合材料

研制成功了一台计算机控制系统,用来改进用于纳米复合薄膜制备的离子束辅助沉积技术。计算机、石英晶体振荡器和模糊控制器使系统可以准确地调节沉积速率,提高生产效率,确保各种纳米复合薄膜如多层和纳米晶薄膜的质量。     

低能Ar+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.     

离子束辅助沉积制备TaN薄膜的X射线衍射分析

利用离子束辅助沉积技术制备ＴａＮ薄膜，并对其进行Ｘ射线衍射分析，掠入射的Ｘ射线衍射分析得出：离子束辅助沉积制备的ＴａＮ薄膜胆面心立方结构，晶格常数α为０．４４０５ｎｍ。根据Ｘ射线衍射分析，用屈服强度表征有ＴａＮ薄膜的显微硬度为１６－２０ＧＰａ，与文献上报道的显微硬度值接近。     

离子束辅助沉积碲化铅薄膜的AFM研究

利用原子力显微镜（AFM）研究了离子束辅助沉积碲化铅（Pblle）薄膜的微观结构和表面形貌。结果表明,传统热蒸发方法制备的碲化铅薄膜呈现出明显的柱状结构,离子束轰击可以显著改变薄膜的微观结构,导致柱状结构的逐渐消失和晶粒的长大。     

离子束辅助沉积金红石型氧化钛薄膜的择优取向控制

用惰性气体离子束辅助沉积技术,合成了金红石型氧化钛薄膜。薄膜生长过程中,离子束以４５°角轰击薄膜。通过增加离子原子到达比γ,实现了金石型氧化钛薄膜从择优取向向择优取向的转变。     

离子束辅助沉积技术在腐蚀与防护中的应用

离子束辅助沉积技术是近年来发展很快的一种表面技术，集气相沉积和离子注入优点于一体，为改善２薄膜