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MPCVD合成β—C3N4晶态薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),以N2,CH4作为反应气体合成碳氢膜。通过控制反应温度,气体流量,微波功率,反应气压等工艺条件在Si和Pt基片上,进行β-C3N4晶态薄膜的合成研究。扫描电镜下观察到生长在Si基底上的薄膜晶有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜下观察到在Pg基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。 相似文献
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用不附加另外电源的DC-PCVD装置沉积Si3N4薄膜,,XRD TEM检查出这种Si3N4是非晶态、IR,AES验证这种薄膜的主要成分是Si3N4、TEM与OM研究 薄膜组织结构。 相似文献
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采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)技术制备了Si3N4薄膜。利用显微硬度计测定了Si3N4薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对SiN4薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明,Si3N4薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小,该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。 相似文献
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C2H2/N2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制轩的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。结果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5-2.0μm。 相似文献
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本文采用射频等离子体增强化学气相生长法(PECVD),在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜,经X射线衍射测试发现,在(100)晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为(101)晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和X射线光电子能谱测试了β-Si3N4的特性,讨论了它在微电子学中的应用。 相似文献
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C3N4膜的制备,结构和性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4薄膜。利用扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱分析了这种晶态C-N膜的化学成分,对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4:3。X射线衍射结构分析说明,该厝主要由α-C3N4和β-C3N4和β-C3N4组成。ano Inde 相似文献
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研究了生工在硅片,合金钢片上的氮化碳薄膜的X射线衍射谱(XRD),实验结果表明在硅片上先生长Si3N4过渡层和对样品进行热处理,有利于β-C3N4晶体的生成,不同晶面的硅衬底,生长C3N4薄膜的晶面不同,合金钢片上C3N4薄膜,出现七个β-C3N4衍射峰和六个α-C3N4衍射峰,这些结果与β-C3N4和α-C3N4的晶面数据计算值相符合。 相似文献
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Si3N4/SiC纳米复合陶瓷的微观结构 总被引:5,自引:0,他引:5
利用JEM2000EXⅡ高分辨电镜和HF2000冷场发射枪透射电镜对Si3N4SiC纳米笔合陶瓷材料的微观组织,结构和成分进行了研究。结果表明,SiC颗粒弥散分布基体相β-Si3N4晶内和晶界,晶内SiC颗粒与基体相的界面结构有三种类型;1)直接结合的的界面;2)完全非晶态的界面;3)混合型的界面,晶间SiC颗粒与基体相的界面大部分是直接结合的。 相似文献
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助烧剂对热压Si3N4基陶瓷组织结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用XRD,SEM,TEM分析了用Y2O3+Al2O3及Y2O3+AlN做助烧剂的两种热压Si3N4基陶瓷的组织结构,用EDXA分析了Si,Al,Y等元素的含量。结果表明,两种Si3N4都是由长柱状β相组成; 相似文献
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电沉积Ni—P,Ni—P—Si3N4非晶态合金及其结构,性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Ni-P、Ni-P-Si3N4非晶态合金薄膜的是沉积工艺,通过SEM-EDS,XRD,EMPA等微观分析方法,提出了获取8 ̄14wt%Ni-P和Ni-P-Si3N非晶合金镀层的镀液组成和电沉积参数。实验表明,Ni-P非晶态合金镀层在碱液中具有优越的耐蚀性能,在含Cl^-1的中性盐液中有良好的耐蚀性,且不产生点蚀;Ni-P-Si3N4非晶合金镀层,经晶化处理后,耐蚀性能提高,且与基材呈冶金结合 相似文献
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高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征 总被引:3,自引:0,他引:3
采用热壁低压MOCVD方法,以Ti(OC4H9)4为源在SiO2/Si衬底上制备出高取向锐钛矿TiO2薄膜。用X射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律,采用XPS和SEM分别研究了薄膜的组成和形貌,结果表明,当沉积温度为500^0C和600^0C时,薄膜为锐钛矿结构,300^0C和400^0C地,薄膜以无定形结构为主,薄膜的组成为TiO2,衬底影响薄膜的相组成,不同沉积温度 相似文献
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Si对TiSiN膜组成结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报告了等离子化学气相沉积(PCVD)硬膜TiSiN中Si对膜的影响。沉积膜经过电子探针(EMPA)、扫描电镜(SEM)、X射线(XRD)和X光电子谱(XPS)分析。实验表明,在TiN的气相沉积中加入少量Si可以明显改善膜的结构和组成。 相似文献
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在等离子体化学气相沉积系统(PECVD)中,使用高氢稀释硅烷(SiH4)加乙烯(C2H4)为反应气氛制备了纳米硅碳(nc-SiCx^2H)薄膜,随着(C2H4+SiH4)/H2(Xg)从5%时,由于H蚀刻效应的减弱,薄膜的晶态率从48%下降到8%,平均晶粒尺寸在3.5-10nm。当Xg≥6%时,生成薄膜为非晶硅碳(a-SiCx^2H)薄膜。nc-SiCx^2H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相 相似文献
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本文用多弧离子镀方法制备了Ti1-xAlxN(x<0.3)薄膜,并且运用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等技术对Ti1-xAlxN进行测试和分析。结果表明:膜层中除含Al、Ti、N元素外,还出现了一定量的氧;薄膜呈现了(111)、(222)等晶面的择优取向;薄膜与基底间的附着力较好。 相似文献
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常压MOCVD制备MgO薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)在Si(100),SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上外延高质量的MgO薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和MgO薄膜的潮解特性。高纯magnesiumacetylacetonate[bis(2,4-pentanetane-diono)magnesium][Mg(CH2COCH2COCH3)2]作为金属有机源,扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和X-RAY衍射实验显示,在较低的衬底温度(~480℃)下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀,致密,结晶性和取向性很好,衬底温度(Ts)在400℃到680℃之间,在Si(100)衬底上生长的MgO薄膜都具有[100]取向,在Si(100)、SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上生长的MgO薄膜也都具有[100]取向。 相似文献
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沉积在Si(100)基片上的CNx膜是用微波等离子体化学气相沉积法(MWPCVD)制备的,本文着重探讨了CH4,N2的流量比对CNx膜的Raman谱的影响,并采用X-射线光电子能谱(XPS)方法分析了CNx膜的化学状态。 相似文献