CCD用透明栅电极的制作

采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4 Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加.     

银纳米线复合透明电极在太阳能电池中的应用

正近年来,银纳米线透明电极技术引起了广泛关注,它有希望替代通用的铟锡氧化物(ITO)透明电极,广泛地应用于光电技术相关领域。介绍一种基于银纳米线和金属氧化物复合结构的透明电极技术,并将其成功地应用在有机聚合物光伏器件和无机CIGS薄膜光伏器件中,所实现的器件性能可以与基于ITO透明电极的器件性能相媲美。     

可用于可穿戴设备的透明非晶硅薄膜太阳能电池的研究

一种可用于可穿戴设备屏幕表面的透明非晶硅薄膜太阳能电池,采用激光刻蚀高密度微纳光通道阵列、TCO薄膜作为透明导电背电极,并减薄I层厚度来提升光线透过率。实验表明随着光刻密度增加或I层厚度的减少,光电转换效率会降低,光线透过率会增加,当I层厚度300nm,光刻孔隙直径30m,阵列间隔55m以内时,可获得50%以上的透过率（最高59%）和2.5%以上的光电转化效率（最高3%）。     

ZnO:Ga透明电极LED的制备及性能分析

基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极LED芯片,对比实验结果表明GZO薄膜沉积工艺简单,其器件性能与ITO电极LED相当。相同条件下制备的GZO薄膜可见光波段透过率约90%,而ITO仅为75%。实验室制备的LED器件均具有较高的阈值电压,一方面p-GaN与ZnO的禁带宽度相差4.13 eV,接触势垒大,另一方面器件制备过程中的等离子体损伤薄膜表面和器件性能。     

宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.     

宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.     

p-GaN与ITO欧姆接触的研究

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。     

宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管（TFT）的沟道层，用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层，在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底，通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜，并通过光刻、电极工艺等，研制了透明的ZnO基TFT, TFT的电流开关比达到1E4，场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为1E-8A.     

GaN-LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善

氧化锢锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上.使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响.用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜,用wIn2O3>=0.95:0.05的ITO锭做靶材,然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圃形(电极直径)的尺寸并比较侧蚀量的大小,发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好.     

GaN—LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善

氧化铟锡（ITO）对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式。探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜。用W In．o,：Wsn0．=0．95：0．05的ITO锭做靶材。然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圆形（电极直径）的尺寸并比较侧蚀量的大小．发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好。     

ITO薄膜的光电发射效应

作为导电电极材料ITO透明薄膜被广泛应用于摄像管、场致发射板、等离子体显示及液晶显示器件中。通过实验我们发现被铯激活后的ITO薄膜具有光电发射效应。本文报告了实验的基本过程及对ITO—Cs薄膜光电发射特性的测试结果。ITO—Cs薄膜的光电发射特性对大面积的光电器件、平板显示器件的发展会有很大的促进作用。     

真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响

由于有些氧化物半导体,如ZnO、In_2O_3、SnO_2、ITO(铟锡氧化物)具有透明导电的性质,它们的应用也越来越广泛。例如,在太阳电池中用做透明导电电极,或作电池的顶层材料形成SIS(半导体-绝缘体-半导体)电池及作抗反射层等。但一般的纯氧化物半导体电阻很大,所以用于上述情况时,必须要经过掺杂或还原等处理,降低电阻率才能使用。为此,对SnO_2、In_2O_3、ITO以及ZnO已有很多制备方法及掺杂等处理的研究报导,并已制成1×10~(-4)Ω·cm左右的薄膜材料。但用化学喷涂热解法制备ZnO薄膜的报导较少。最近,J.Aranovich等人用喷涂法制备了ZnO薄膜,并用氢气还原法把电阻率降低到10~(-3)Ω·cm左右。     

ITO薄膜光学特性的研究

ITO薄膜是一种透明的导电膜,属于N型简并氧化物半导体,它能透过可见光,但反射红外辐射。ITO被广泛用作半导体器件的透明电极和作为形成异质结势垒的半导体材料。本文作者采用喷涂热解法制备ITO薄膜,发现其光学特性和电学特性受掺杂,环境气氛成膜温度和退火温度的影响。ITO的分子式为In_(2-x)Sn_xO_(3-y),作者利用PHI-550型俄歇能谱仪,用原子相对百分比浓度的方法来确定In_(2-x)Sn_xO_(3-y)中x和y值,改变掺杂量和环境气氛来控制x和y值变化。     

低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用

通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响.利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg:Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15 V的条件下,发光亮度达到了3000 cd/m2.     

ITO/Ag/AgNW新型复合透明导电薄膜性能研究

采用磁控溅射和湿法涂布技术制备了一种ITO/Ag/AgNW结构的新型复合透明导电薄膜。研究其光学、电学等性能发现:ITO/Ag/AgNW薄膜在400~700nm的平均透过率高于ITO/Ag/ITO薄膜,且方块电阻远小于ITO/Ag/ITO薄膜,达到6.9Ω/□;耐弯折性能测试后,其方块电阻约增加62%,达11.2Ω/□。研究结果表明,这种新型的复合透明导电薄膜具有低阻、高透及耐弯折良好的特性,在柔性显示领域具有一定的应用潜力。     

溅射氧化铁薄膜在透明掩模中的应用

提出了一种制备Fe_2O_3薄膜的工艺,薄膜在6克分子HCl中的溶解速度和透射光谱均适于做透明光刻掩模(为了便于对位,光刻掩模在589毫微米下应是足够透明的,而在360～400毫微米光谱区域是不透明的)。此方法有两种,一种是Fe电极在CO—CO_2混合气氛中射频或直流溅射,另一种是Fe_2O_3电极在CO—CO_2混合气氛中射频溅射。用金属电极时CO含量一定不能超过82％,用氧化物电极时不能超过87％,这样才能得到具有满意透射光谱的薄膜。使用Fe电极和80％CO与20％CO_2的混合气体时,射频输入功率350瓦,得到的最快沉积速度为120埃/分。对抗磨性、缺陷密度和薄膜形态均作了叙述。     

ITO薄膜电极激光损伤形貌的多重分形研究

液晶光学器件中液晶分子的转动由施加在ITO薄膜电极间的电场来控制,ITO晶体结构中空穴和自由电子与强激光的相互作用,使ITO薄膜电极成为液晶光学器件结构中激光损伤的薄弱环节.为探索ITO薄膜电极的激光损伤机制,使用原子力显微镜(AFM)对厚度约为10nm的ITO薄膜的表面形貌进行了测量.采用多重分形理论,定量分析了薄膜表面粗糙度及微孔洞分布情况,对薄膜在脉冲宽度为10ns,能量分别为50mJ、lOOmJ、200mJ激光辐照下所获得薄膜的表面粗糙度分布情况进行比较分析,结果显示,随着激光功率的增加,多重分形谱的谱宽△a呈增大趋势,且△f为负值,表明ITO.薄膜表面粗糙度增大并形成微孔洞缺陷.     

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。     

电子文摘

能降低LCD厚度的四层薄膜日本Sumitomo Bakelite公司和Kaya Polar公司宣布,它们研制出一种透明的电导膜,合成在极化板上.在日本大批购买的价格可大约每平方米28000日元.这是一种带有极化薄膜夹层的四层产品,夹层放在两块带有喷射形成的铟锡氧化物(ITO)导电层的聚酯硫薄膜之间.过去,极化板的支撑件和ITO薄膜的基底是分离的.然而,这种产品把它们合成在一起,因而降低了厚度.Kaya Polar公司研制出一种染色的极化     

彩色膜上ITO的室温沉积及其在FPD中的应用

使用直流磁控溅射技术,在彩色膜衬底上室温制备出粘附性良好的氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。X光衍射(XRD)和原子力显微(AFM)分析表明,室温ITO为多晶态,薄膜具有很好的透过率和良好的导电特性,方块电阻为120Ω／□,对应ITO／彩色膜复合膜在450nm的蓝(B)光、530nm的绿(G)光、630nm的红(R)光处的峰值透过率均达到85％左右。彩色膜与ITO电极的形成及联接等加工工艺有良好的相容性。对该技术在彩色液晶显示(LCD)和彩色有机发光显示(OLED)中的应用,进行了探索。