一种低压直流载波通信电路的设计

针对目前直流载波抗干扰能力差,对电源要求高,电压需要相对稳定,电路成本高以及负载变化及线损引起的线路电压波动造成的通信误码率很高等多种问题,该文基于光电耦合器、三极管等元器件的放大、开关基本原理的研究,结合电路中电压、电流信号相互转换的功能,充分利用电流在线路传输过程中不随传输线路长度而发生信号衰减的特性,结合串口通信...     

高压直流供电技术及应用前景

本文主要阐述了高压直流供电技术以及其发展的前景.     

高压直流供电及应用初论

文中主要对高压直流（英文简写HVDC）系统的基本结构及工作原理进行简要说明,同时比较了该系统与目前常用的UPS供电系统各自的特点。本文论述了两种电源系统的实际运用,对通信行业用户的选择和使用有所帮助。     

我国高压直流供电技术应用探析

随着数据业务爆发式增长,UPS的使用量大大增加,造成了机房面积占用较大、投资较高等问题。文章介绍了以直流供电代替交流UPS供电的驱动力,阐述了高压直流供电系统的基本原理,并讨论了国内主推的240V和336V高压直流供电系统,论证了高压直流供电技术的供电可靠性、节能性、安全性及可行性,总结了我国高压直流供电的发展策略。     

数据中心高压直流供电架构的优化研究

随着高压直流供电技术的不断完善,其在通信行业的应用日趋广泛。而对于大型数据中心等大容量、高密度用电机房,高压直流供电系统的应用却相对较少。文章从供电系统架构的角度出发,结合高压直流供电技术的现状,提出了适应当前大型数据中心供电需要的分散式高压直流供电解决方案,并通过工程案例分析,验证了新型分散式高压直流供电系统的优越性。     

广电网络机房高压直流UPS供电模式的探讨

本文通过对传统UPS与高压直流UPS两种供电模式的分析,认为高压直流UPS可以有效地改善机房供电质量,并在成本、可靠性、维护性等方面具备明显的优势,高压直流UPS应在广电网络机房推广使用。     

通信用高压直流供电技术的研究与探讨

从国内外研究直流供电代替交流UPS供电的不同出发点入手,分析了以提高节能效率和供电可靠性为目的的不同供电电压等级选择和系统设计思路,阐述了这两种直流供电系统的基本原理.通过对国内外直流供电技术供电可靠性、节能效率及安全性、投入产出的对比分析,论证了创新性地使用240 V直流供电技术的科学性和大规模推广的可行性.     

高压变频器直流制动实现方法分析

本文分析了单元串联多电平高压变频器的直流制动原理,提出了实现直流制动时应考虑的两个主要因素及步进式升压方式这一创新技术;通过理论及实验得出步进式升压方式较直接电压方式,能够有效减小制动时的冲击电流,不会对变频器和电机产生影响。     

服务器由240V高压直流供电的适应性研究

服务器由240V高压直流供电的适应性问题,对于数据中心不间断电源系统方案的选择十分重要。本文对该问题的一些分析方法和结论,对于高压直流系统设计和服务器电源制造均具有一定的参考价值。     

基于中低压器件实现的高压负电平位移电路

提出了一种新型高压负电平位移电路.该电路只采用中低压PM()S来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度.分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理.采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验证,证明提出的高压负电平位移电路正确可行.     

一种全MOS管结构低压低功耗电压基准源的设计

提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源,他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿.电路采用标准的0.6 μmCMOS工艺设计,已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中,具有优良的温度稳定性,在-40～ 120 ℃范围内能达到37.4 ppm/℃,并可以在供电电压为1.4～5.5 V下工作,其总电流仅为4 μA.     

低压低功耗CMOS带隙电压基准及启动电路设计

介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路,并提出了一种新颖的启动电路结构.电路采用预先设置电路工作点和反馈控制相结合的方法有效地克服了第三简并点的问题,从而保证电路能够正常工作.文中给出详细的分析和电路实现,并给出了一种电路简并点和启动裕度分析的SPICE仿真方法.电路采用0.25μm CM0S工艺设计并流片.最后对电路的测试结果进行了比较和分析.     

A High Voltage Line Driver for Subscriber Loop Interfaces in a Low Voltage Submicron BiCMOS Technology

This paper presents a 30 V line driver for short loop subscriber line interface circuit applications. The high voltage line drivers was implemented in a low-voltage 0.8 m BiCMOS process using 30 V extended-drain MOS transistors, fully compatible with the low voltage technology. Using a Quasi-Current Mirror architecture for the output stage, the line driver is capable of delivering more than 30 mA current into the lines with an idle current as low as 1 mA, satisfying the short loop requirements. With less than 0.24 mm² area, the circuit can be easily integrated with low-voltage circuitry on a single chip.     

Very Low Power, Low Voltage, High Accuracy, and High Performance Current Mirror

A novel low power and low voltage current mirror with a very low current copy error is presented and the principle of its operation is discussed.In this circuit,the gain boosting regulated cascode scheme is used to improve the output resistance,while using inverter as an amplifier.The simulation results with HSPICE in TSMC 0.18 μm CMOS technology are given,which verify the high performance of the proposed structure.Simulation results show an input resistance of 0.014 Ω and an output resistance of 3 GΩ.The current copy error is favorable as low as 0.002％ together with an input (the minimum input voltage of vin,min～ 0.24 V) and an output (the minimum output voltage of vout,min～ 0.16 V) compliances while working with the 1 V power supply and the 50 μA input current.The current copy error is near zero at the input current of 27 μA.It consumes only 76 μW and introduces a very low output offset current of 50 pA.     

低功耗高抗噪性差分基准电压源的设计

提出了一种新颖的差分放大器拓扑结构,适用于单片集成模数转换器中的差分电压基准源.该结构经过电压、电流两级放大,实现了高开环增益和大电流驱动能力.本设计在德国XFAB公司的0.35 μm CMOS工艺上实现,芯片实测结果为:在3.3 V电源电压下,该基准源的抗噪性为120 dB@80 MHz,增益误差小于2 mV,功耗仅为1.1 mW,具有低功耗、高精度和高抗噪性能.     

一种低电源电压高精度带隙基准源的设计

如果要设计一个低电源电压的带隙基准源,就会遇到电源电压和带隙基准参考的性能之间的矛盾,这是因为带隙基准本身的失调和1/f噪声(又称闪烁噪声)所致。通过斩波技术的应用,带隙基准的输出精度得到大幅度的提升,同时1/f噪声也得到了有效的抑制。     

A High Speed, Low Voltage CMOS Offset Comparator

A high speed, low voltage offset comparator is presented. No common mode tracking circuit is used and the offset is added without compromising the high input impedance nature of the circuit. The circuit operates at 480 Mbps with 3.0–3.6 V and 1.6–2.0 V supplies and –40 to 125°C temperature range on a typical 0.5 m technology.     

低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.     

低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.