NdFeB磁性基材化学镀Ni-Cu-P初期形核过程及机赦

为了弄清NdFeB磁性材料表面化学镀Ni-Cu-P合金初期形核过程及机制,研究了不同时间化学镀Ni-Cu-P合金层初期形核过程、形貌和组织结构特征。结果表明：初期沉积过程具有明显的择优倾向和不均匀性：Ni和Cu原子并非以单个原子的形式沉积于基体表面,而是还原后在固．液界面处形成原子团在基体表面高能量区域优先沉积形核,然...     

化学镀Ni-Cu-P合金的研究

通过对化学镀Ni-Cu-P合金工艺配方的研究,确定较佳的工艺配方,探讨各种因素对化学镀层的性能的影响.实验结果发现CuSO4的含量对镀层黑度的影响较大.该工艺具有能耗低、工艺简单、不污染环境、成本低等优点.     

粘结NdFeB永磁体化学镀Ni-Cu-P防护层及阻氢性能研究

对粘结NdFeB永磁体化学镀Ni-Cu-P合金防护层的工艺过程及镀层的阻氢性能进行了研究。磁体经碱性去油、缓蚀酸洗、镀前均匀隔离与活化处理后再进行化学镀Ni-Cu-P合金,可获得了质量良好的耐蚀性镀层,该镀层对磁体磁性能无不良影响,且有良好的阻氢性能,在25℃、10MPa高压H2环境中,阻氢时间为19min。     

Ni-Cu-P化学镀工艺及组织结构的研究

研究了Ni-Cu-P化学镀液主要成分、PH值、温度以及时间等工艺参数对化学沉积Ni-Cu-P合金镀层成分及镀速的影响。通过选择适当的镀液成分及工艺参数,得到了Cu含量从0到56．18wt%的Ni-Cu-P合金镀层。利用EDS和XRD研究了镀液中硫酸铜浓度对Ni-Cu-P合金镀层组织结构的影响。在硫酸铜浓度低于3g/L时,Ni-Cu-P合金镀层中P含量高于7．05wt%,合金镀层是非晶态结构。     

Ni-Cu-P合金化学镀层制备及组织结构的研究

研究了 Ni－ Cu－ P化学镀液主要成分、 pH值及时间等工艺参数对化学沉积 Ni－ Cu－ P合金镀层成分及镀速的影响。通过选择适当的镀液成分及工艺参数,得到了 Cu含量从 0到 56.18wt％的 Ni－ Cu－ P合金镀层。利用 X射线能谱术 (EDS)和 X射线衍射术 (XRD)研究了镀液中硫酸铜浓度对 Ni－ Cu－ P合金镀层成分及组织结构的影响。在硫酸铜浓度低于 3g/l时, Ni－ Cu－ P合金镀层中 P含量高于 7.05wt％,合金镀层是非晶态结构。     

铜及黄铜基体上化学镀Ni-P合金诱发过程的研究

铜及黄铜基体表面的Ni-P化学镀,需要引发才能进行,无论采取活性金属在镀液中的接触引发,还是采取阴极电流诱发,都说明了铜或黄铜基体上的化学镀Ni-P合金的诱发过程是一个电化学过程,即吸附在基体表面上的Ni^2 得到电子后还原成镍并沉积在基体表面,然后镍表面自催化使得沉淀反应自行进行下去。／     

MPCVD制备金刚石膜的形核与生长过程

简要介绍了金刚石膜的物理化学特性及应用领域。对比分析了主要化学气相沉积方法的优缺点,并指出MPCVD所面临的技术瓶颈。总结了反应腔体内压强、基片温度、基体材料及增强形核技术对金刚石膜形核过程的影响。较低腔体内压力、基片温度,高碳源浓度及等离子体预处理能有效提高形核密度。阐述了各过程参数对金刚石膜生长的影响和微米、纳米、超纳米金刚石膜的技术特点及应用。指出各类金刚石膜制备所面临的技术难题,并综述了解决该技术瓶颈的最新研究工作。     

热丝CVD金刚石薄膜制备及碳纳米管形核作用的研究

利用热丝化学气相沉积法 (HF CVD)进行了金刚石薄膜制备和碳纳米管形核作用的研究。获得了制备金刚石薄膜的优化工艺参数。利用碳纳米管作为形核前驱获得了高质量的金刚石薄膜 ,其沉积速率可达 2 5 μm/h ,晶粒生长完美 ,而且没有出现聚晶现象。研究了碳纳米管涂料质量对薄膜沉积特性的影响 ,并对其机理进行了初步探讨     

原位TiB2颗粒增强铝基复合材料形核机制及转变动力学

阐述了原位合成制备TiB2颗粒增强铝基复合材料自生相的形核机制以及转变动力学,从热力学和动力学的一般角度来分析TiB2的形成机制,依据扩散原理讨论TiB2转变动力学,反应润湿及反应活化能。