厚膜α—Fe2O3气敏材料的研制

α－Ｆｅ２Ｏ３厚膜的成型与玻璃实的选取及玻璃料含量有很大关系，α－Ｆｅ２Ｏ３厚膜的敏感特性与Ｓｎ＾４＋的掺入量以及烧成温度有很大关系，找到了最佳的配方及烧成温度。     

溶胶—凝胶法制备Fe2O3薄膜

以三氯化铁与叔丁醇的反应产物为先驱物，用溶胶－凝胶法制备了透明均匀的Ｆｅ２Ｏ３薄膜。利用ＦＴＩＲ、ＸＲＤ、紫外－可见光谱分别对先驱物、凝胶和薄膜进行了分析。结果表明，采用上述先驱物通过溶胶－凝胶过程可获得均匀的Ｆｅ２Ｏ３膜，该膜在３５０℃－４００℃开始γ－Ｆｅ２Ｏ３向α－Ｆｅ２Ｏ３的转变，在可见光区，该膜的着色以吸收着色为主，呈淡黄－棕黄色。     

钛酸铅对高阻浆料性能的影响

研究ＰｂＴｉＯ_３对厚膜电阻的阻值、温度系数、噪声、对峰值烧成温度的敏感性，以及ＰｂＴｉＯ_３的合成温度对电阻性能的影响。     

陶瓷材料的激光合成工艺研究

采用激光作热源合成了Ａｌ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｃｒ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，ＣｄＯ－ＷＯ_３，Ｆｅ_２Ｏ_３－ＷＯ_３等系列陶瓷材料。测量这些材料的阻温特性，结果表明这些材料都是负温度系数热敏电阻材料。讨论激光合成陶瓷工艺过程中所表现出来的特殊生长形态，这些形态与激光在合成材料中形成的温场分布、材料的导热特性、材料对激光的吸收等有关。通过理论计算得出的温场分布与实验结果很好符合。论述用激光作热源合成陶瓷与传统工艺相比所具有的独特优点，指出该工艺目前尚未解决的问题及今后的研究方向。     

MgF_2·SrF_2掺杂PZN－BT陶瓷

适量掺入ＭｇＦ_２·ＳｒＦ_２有效地降低了０．８５ＰＺＮ（Ｐｂ（Ｚｎ_（１／３）Ｎｂ_（２／３））Ｏ_３）－０．１５ＢＴ（ＢａＴｉＯ_３）材料的烧结温度并得到了介电常数－温度特性接近于Ｘ７Ｒ特性标准的瓷料。在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发，用超顺电态的概念来描述。     

ZnLiFeO_3高温热敏厚膜材料的研究

ＺｎＬｉＦｅＯ３（ＺＬＦ）高温ＮＴＣ热敏厚膜材料，是以尖晶石结构的ＺｎＬｉＦｅＯ３导电陶瓷作厚膜浆料的导电相，以Ａｌ２Ｏ３瓷为基体，用厚膜工艺制成的。实验表明，在氮气中烧结的ＺＬＦ厚膜材料，室温方阻１０３Ω／□级，Ｂ值约１０００Ｋ。在高温５００～７００℃范围内，方阻降为１０２Ω／□级，Ｂ值仍小于１０００Ｋ。是一种很有前途的高温热敏材料。     

大功率CO_2激光合成WO_3／Fe_2O_3新型陶瓷催化剂──Ⅰ．WO_3／Fe_2O_3烯烃歧化反应催化剂的合成及性质

用大功率ＣＯ_２激光合成出ＷＯ_３／Ｆｅ_２Ｏ_３新型烯烃歧化反应陶瓷催化剂分析。表明，该陶瓷催化剂的组成相为Ｆｅ３Ｏ４，ＦｅＷＯ４及ＷＯ３。它是一种多孔的，晶粒大小为μｍ级的陶瓷品，Ｆｅ３Ｏ４相中含有杂质钨，其氧化态低于＋６价，为该类催化剂具有烯烃歧化反应催化作用的主要活性中心。     

Z型Ba3Co2Fe24O41软磁铁氧体性能的改善

研究了 Ｚ 型平面六角结构软磁铁氧体（ Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１）的相结构与烧结温度之间的关系，在一般铁氧体工艺条件下， Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１的合成温度高，成相温度范围窄，并对材料的相组成进行了表征。在甚高频段，对 Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１ 的磁性能、介电性能及改善进行了深入的探讨。     

RuO_2厚膜电阻体的阻值与TCR的关系

ＲｕＯ_２厚膜电阻体方阻Ｒ_ｓ、基片的热膨胀系数ａ_（ｓｕｂ）与ＲｕＯ_２厚膜电阻体的电阻温度系数ＴＣＲ间有一定的关系，讨论了从电阻体的Ｒ_ｓ计算其ＴＣＲ之方法。     

纺锤状α－Fe_2O_3微粒内部结构的TEM分析

纺锤状α－Ｆｅ２Ｏ３微粒内部结构的ＴＥＭ分析魏雨邵素霞鹿平史永宏（河北师范大学化学系、实验中心，石家庄０５００１６）均匀纺锤形α－Ｆｅ２Ｏ３的一步合成由于其表面光滑、无孔洞、无枝叉是当今高密度记录的理想材料，目前倍受物理化学和材料化学家的重视［１］。...     

（YbTbBi）3Fe5O12块状单晶生长及其磁学性能

用且熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱，当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄｙ旋转温度系数为２．０×１０＾－２（°）．ｍｍ＾－１．Ｋ＾－１，所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数。     

（YbTbBi）_3Fe_5O_（12）块状单晶生长及其磁光性能

用助熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱．当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄａｙ旋转温度系数为２．０×１０－２．（°）·ｍｍ－１·Ｋ－１．所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数     

非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用

ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度,比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近,我们已证实,利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子,可使界面得到显著改善。虽然已经证明,由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可改善界面质量,但是还不清楚在ＳｉＧｅ有源层与Ａｌ２Ｏ３门电介质之间插入一α－Ｓｉ缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中,对于有、无α－Ｓｉ缓冲层的多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的性     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

Mg：Fe：LinbO_3晶体光折变增强效应的研究

在铌酸锂晶体中掺ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．由于薄晶片的光爬行效应，晶体的二波耦合指数增益系数高达８０ｃｍ－１，且角度响应范围加宽，响应速度和抗光散射能力都比Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３有较大改善．以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作光放大器，实现了一次迭代全息关联存储．     

Fe膜硫化法制备FeS_2薄膜

由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（α＞６×１０５ｃｍ－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中（１０－１Ｐａ），通过控制时间和温度进行硫化。经ＸＲＤ和ＡＥＳ对薄膜进行分析，表明试样在硫化温度Ｔ＝４００℃，时间ｔ＝４８ｈ的条件下，Ｆｅ膜转变为ＦｅＳ２膜     

NiFeAlO系宽温区热敏元件的研制

研究了在Ｆｅ３Ｏ４中引入ＮｉＯ、Ａｌ２Ｏ３复合陶瓷材料的晶相结构、电阻值－温度特性及热稳定性等。通过对铁离子氧化状态及淬火工艺的调整，可得到性能优良的宽温区热敏元件。     

掺氧经铋六角钡铁氧体的磁性

已制得组成ＢａＯ（６－ｘ）Ｆｅ２Ｏ３ＸＢｉ２Ｏ３的Ｂａ－Ｍ角铁氧体。式中Ｏ≤Ｘ≤０．４。与Ｂｉ２Ｏ３含量有关的晶格参数没有明显变化。当Ｘ＝０．１５饱和磁化强度有最大值，而矫顽力值在Ｘ＝０．１５左右为最小。这一结果可由Ｂｉ＾５＋的存在使晶格中Ｆｅ＾２＋增多加以说明。     

BaO－P_2O_5和R_2O－BaO－P_2O_5系统磷酸盐激光玻璃RAP法除

研究了熔炼温度和气相反应剂（ＣＣｌ４，ＳＯＣｌ２和ＰＯＣｌ３）对ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（Ｎ２１）和Ｒ２Ｏ－ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（ＨＬＣ－５）系统磷酸盐激光玻璃ＲＡＰ法除水速率的影响．讨论了Ｎ２１和ＨＬＣ－５型玻璃中Ｎｄ３＋的荧光寿命与ＯＨ基含量的关系，井对除水前后玻璃的激光性能和物理性质进行了比较。     

添加剂对Fe—Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

文章介绍了以Ｆｅ２Ｏ３和Ｃｕ２Ｏ为主成分的陶瓷材料的负阻特性，分析论述了Ｃｏ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３以及ＭｎＯ２掺杂对Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料负阻性能的影响，实验制得负阻系数ｎ＞１０，电压Ｖｐ＞２００的负阻性能良好的陶瓷材料。