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采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AIN薄膜。用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AIN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系。选用AIN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,得到了极好的压力传感器特性,即零点电漂移及热漂移小及非线性小。 相似文献
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Er-doped silicon-rich silicon nitride (SRN) films were deposited on silicon substrate by an RF magnetron reaction sputtering system. After high temperature annealing, the films show intense photoluminescence in both the visible and infrared regions. Besides broad-band luminescence centered at 780 nm which originates from silicon nanocrystals, resolved peaks due to transitions from all high energy levels up to 2H11/2 to the ground state of Er^3+ are observed. Raman spectra and HRTEM measurements have been performed to investigate the structure of thefilms, and possible excitation processes are discussed. 相似文献
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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光. 相似文献
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采用射频感应耦合等离子体增强磁控溅射装置在p型Si< 100>基片上制备Zn3N2薄膜,用于研究不同氮氩流量比对薄膜结晶质量及微观结构的影响.用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和四探针测试仪表征薄膜的微观结构、表面形貌和电学特性.实验结果表明:不同氮氩流量比条件下制备的Zn3N2薄膜均为多晶态,(400),(411)和(332)晶面生长明显.随着氮氩流量比增加, (400)晶面衍射峰逐渐增加,在3∶1时达到极值,结晶度逐渐变佳;(332)晶面衍射峰逐渐减小,结晶度随之变弱;(411)晶面则无明显变化.随氮氩流量比增加,薄膜结晶度、晶粒尺寸和表面平整度先增加后减小.氮氩流量比为2∶1时,结晶质量和表面平整度达到最佳且导电性能最好,较大的氮氩流量比有利于磁控溅射制备性能更好的Zn3N2薄膜. 相似文献
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采用RF磁控溅射法在12.7cm的PZT/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了PZFNT薄膜,后处理采用快速退火工艺,对不同退火温度的薄膜进行了分析。实验结果表明,采用PZT缓冲层对PZFNT薄膜的性能有显著的影响,可明显降低PZFNT薄膜的晶化温度,提高其介电和铁电性能。在优化工艺条件下,可获得介电常数和损耗分别为1328和3.1%,剩余极化和矫顽场分别为29.8℃/cm^2和46kV/cm的铁电薄膜,该薄膜可望在铁电存储器和热释电红外探测器中得到应用。 相似文献
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Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3。通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响。采用XRD和SEM对薄膜的结构、形貌和成分进行分析,并测量不同条件下的Seebeck系数。薄膜Seebeck系数均为负数,表明所制备样品是n型半导体薄膜,且最大值达到-76.81μV.K-1;电阻率ρ随Te的原子数分数增大而增大,其趋势先缓慢后迅速。Bi2Te3薄膜的热电性能良好,Te的原子数分数是60.52%时,功率因子最大,为1.765×10-4W.K-2.m-1。 相似文献
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采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5~2.0Pa)下沉积了一系列氮化铝(AlN)薄膜。研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小。场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5Pa和0.7Pa)下制备的AlN薄膜具有一定的场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降。电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射。研究表明,为获得具有良好场发射性能的AlN薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能。 相似文献
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