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本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果。实验表明,红外透射技术是研究AlGaAs/GaAs DH激光器的又一有效工具。我们获得的有关AlGaAs/GaAs DH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的。 相似文献
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分析了利用窄条AlGaAs激光器的自脉动来进行3R时钟提取的基本原理,阐述了F-P腔半导体激光器自脉动产生的机理和条件,同时研究了窄条AlGaAs激光器的结构参数对自脉动的影响,提出了一种在不规则窄条AlGaAs激光器中加入量子阱结构以提高输出光脉冲频率和功率的方法.并使用仿真程序对该方法进行了仿真实验. 相似文献
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680—700nm波长范围的AlGaAs DH激光器实现了室温CW工作。为了获得这种激光器,我们研制成了一种新型结构,即无应力V形沟道衬底内部条型(SF-VSIS)激光器。这类激光器具有低的阈值电流(45～120mA),并以基横模和单纵模CW工作。1).阈值电流与波长的关系业已表明由于直接跃迁导带与间接跃迁导带的极小值之间的差值较小,波长小于700nm CW工作的AlGaAs DH激光器,其阈值电流(I_(th))就急剧增加,所以要制作这种波长的激光器是很困难的。事实上,AlGaAs 相似文献
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制成了一种具有一个内镜面的AlGaAs/GaAs单片光电集成发射机,而且用实验证明了它能连续稳定地高速工作。得到这些成功的结果主要是因为集成激光器的阈值电流小和集成激光器是一个具有高质量微解理面的渐变折射率波导分别限制异质结构单量子阱激光器(GRIN-SCH SQW)。 相似文献
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阐述了窄条A1GaAs激光器自脉动现象产生的机理和条件,利用激光器的自脉动可以进行全光3R时钟提取,并研究改变激光器的结构参数对自脉动现象的影响规律。重点提出了一种在窄条AlGaAs激光器中加入量子阱结构的方法,通过仿真实验表明,该种含量子阱结构的窄条AlGaAs激光器能够提高输出光脉冲的频率和功率,减少输出光脉冲散光特性。 相似文献
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一、前言气体激光器的问世(1960年),AlGaAs/GaAs 异质结的研究成功(1969年)以及低损耗光纤的出现(1970年),为光通信技术的发展开拓了光明的前景。目前,光纤通信正以它 相似文献
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迅速发展的LCVD技术 总被引：1，自引：1，他引：0
超低阈值电流的InGaAs激光二极管记录的低阈值电流—在原解理面InGaAs/AlGaAs激光器中为1mA,在镀高反射膜InGaAs/AlGaAs激光器中脉冲电流为0.25mA—在单量子阱结构中已经获得。 相似文献
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研制了InGaAs/AlGaAs SQW激光器,对其工作特性如阈值电流密度、激射波长、特征温度、远场分布等进行了研究.
用MOCVD方法生长制备了InGaAs/AlGaAs分别限制单量子阱结构材料,得出其各层组分和能带分布.首先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs波导层,然后生长窄能带的AlGaAs量子阱势垒层,再继续生长InGaAs量子阱有源区.其后继续生长AlGaAs势垒层、高Al组分AlGaAs波导层和GaAs高掺杂欧姆接触层.我们发现在低温范围里(160 K～220 K)阈值电流密度随温度升高而减小,与普通量子阱激光器正相反,表现出负的特征温度.随着温度进一步提高,阈值电流密度表现出指数式增大.300 K下腔长2000 μm的激光器最低的阈值电流密度约为200 A/cm2.(OD7) 相似文献
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对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术.在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同类型和体积比的溶液对GaAs/GaInP/AlInP结构腐蚀的选择特性,最终选用不同配比的H2 SO4-H2 O2系腐蚀液,获得快速、可控制、重复性好的去除衬底的两步腐蚀法.原子力显微镜测试结果表明,通过此方法能够成功地将电池外延层薄膜转移到Cu衬底上,并且在剥离和转移过程中外延层薄膜没有受到损伤.柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的开路电压超过3.4V. 相似文献
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研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852nm半导体激光器。通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和研究了AlGaInAs/AlGaAs界面的外延质量。研究结果表明高温生长可以导致从AlGaInAs量子阱层到AlGaAs势垒层的In析出现象。通过优化生长温度和在AlGaInAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得AlGaInAs/AlGaAs陡峭界面。使用优化后的外延生长条件,外延生长了整个852nm半导体激光器,使用RAS在线监测了激光器的外延生长过程,可以有效地分辨出不同外延层和生长阶段。 相似文献
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Spire已接收了美国航空和宇航局价值485000美元的接续合同来发展用作固体激光器泵浦的低损耗AlGaAs激光器列阵。 相似文献
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一.引言对于 AlGaAs 双异质结激光器,用液相外延的方法,可以生长出性能十分良好的多层外延片。用此方法,我们在 GaAs 单晶衬底上制备了包括四层结构(n 型 Al_xGa_*(1-x)As,P 型 Al_YGa_(1-Y)As 和 P 型 GaAs)的双异质结构注入型激光器。去年我们制作出能连续工作的激光器,其寿命很短,只几分钟,且性能不稳定。经分析认为,是外延片质量不 相似文献
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尽管金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术已经成功地用于生长各种各样的光电子学器件,例如太阳电池,双异质结激光器和量子阱激光器,但用一般的MOCVD生长AlGaAs DH激光器有时也出现光致发光效率较低的问题。MOCVD生长AlGaAs DH激光器的初始结果表明能够得到低的阈值电流密度,尽管这个值与LPE获得的最好结果相比仍然很高。在本文中,我们说明只要用心控制好常规的MOCVD的生长条件,就 相似文献
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AlGaAs/GaAs双异质结激光器是光纤通信系统中的主要光源之一,它的万小时工作寿命的可信度是其主要关键指标。为此,国家科委和中国科学院给上海光机所下达了“实用化AlGaAs/GaAs双异质结激光器”的攻关任务,其中主要指标为万小时器件寿命的可信度达到85～90％。 相似文献
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AlGaAs二极管激光器的最大光输出功率通常受器件镜面衰减的限制。为此,人们已经研制出了一些通过镜面无吸收区使器件最大输出功率提高4～5倍的“窗”式结构。以前所有的NAM型器件并不都有横波限制(文献[3]就是一个例外),反过来又引起反射损失并使得光束的图样依赖于NAM区的长度。对CDH-LOC激光器结构加上NAM区,在NAM区得到了横模控制的大光斑NAM器件。单个器件提供的功率高达1.5W(脉冲宽 相似文献