化学气相沉积制备ZnS块材料均匀性的研究

以硫化氢气体锌为原料,通过化学气相沉积制备了ＺｎＳ块材料,分析了ＺｎＳ的沉积过程研究了沉积参数中沉积温度、沉积区压力和硫化氢、锌蒸汽、载气氩气流量对ＺｎＳ厚度均匀性的影响规律,提出了改善ＺｎＳ厚度均匀性,抑制沉只表面球状物生长的途径。     

化学气相沉积制备的氮化硼

以BCl_3和NH_3为原料气体,制备了化学气相沉积(CVD)BN。在所建立的沉积系统中,研究了温度、系统压力和原料气体的流量等对CVD BN沉积过程的影响,指出了较佳的沉积条件。通过对CVD BN试样的X射线衍射分析和显微镜观察,表明所制备的CVD BN是各向同性的,其显微结构由纤维状晶体所形成的放线状“球晶”所构成,而其晶体结构具有层状无序的结晶学特征。     

化学气相沉积法制备碳化硅纤维

一、前言 现代宇航、航空等尖端科学技术的迅速发展,对高比强、高比模、耐高温、抗氧化及易加工的新型材料要求越来越迫切。碳纤维增强金属基复合材料固然有很优异的性能,但需在接近或高于金属熔点的高温下制造,金属与碳纤维之间会发生界面反应,从而产生浸润性差、粘结强度不高及高温抗氧化性能差等问题,导致复合材料性能下降,难以满足高温氧化等苛刻条件的使用要求。     

化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展

从催化剂、碳源气体及反应器的选择等方面综述了化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展 ,讨论了碳纳米管的合成机理。指出催化合成碳纳米管的研究难点在于管径的有效调控和大批量生产 ,今后的研究方向应为单层碳纳米管的有效合成     

采用化学气相沉积方法制备纯净的氧化亚铜

采用自行搭建的脉冲热蒸发化学气相沉积(PSE-CVD)系统,制备了薄膜状的氧化亚铜样品。通过使用XRD、SEM和XPS三种检测手段分别从晶相鉴别、微观特征和元素构成的方面对沉积的样品迚行了表征。结果证实脉冲热蒸发化学气相沉积法能够制备出高纯度的氧化亚铜。     

化学气相沉积法制备单壁碳纳米管研究进展

单壁碳纳米管的独特性能使其成为一种有着极大应用前景的新兴纳米材料,本文主要介绍了催化剂、裂解温度、载气等因素对化学气相沉积法（CVD）制备单壁碳纳米管的影响和采用化学气相沉积制备定向单壁碳纳米管方面的研究进展情况。     

化学气相沉积法制备石墨烯的最新研究进展

石墨烯是一种二维碳材料,相对于传统的石墨阳极材料,石墨烯具有导电性好、电容量高、比表面积大、循环寿命长、渗透锂离子能力强和机械性能好等优异性能。化学气相沉积法可用于制备具有单一结晶度的石墨烯,它是目前最具前瞻性、成本低廉、可以大面积制备高质量石墨烯的方法,并且很容易地应用于实际工业生产。     

化学气相沉积法制备螺旋状纳米碳纤维研究

采用化学气相沉积方法在基体上生长螺旋状纳米碳纤维,以Ni为催化剂热解乙炔可制备出纯净、规则的单、双螺旋形碳纤维,单螺旋纤维的直径约为1—2μm,双螺旋的直径约为2—5wm;同时伴有少量的不规则螺旋形碳纤维的生成。拉曼光谱和X射线衍射分析证明螺旋形碳纤维是由小石墨微晶组成。根据机体法制备螺旋形的形貌、结构和生长过程,提出了螺旋形碳纤维的生长机制。     

气相法制备ZnS薄膜材料研究进展

综述了近几年ZnS薄膜材料的气相沉积制备方法及其应用,主要讨论了真空蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积等制备方法的最新研究进展,指出了ZnS薄膜的各种气相沉积方法的优点和不足以及今后的发展趋势。     

化学气相沉积碳化硅涂层缺陷形成的机制及控制

利用扫描电镜对化学气相沉积碳化硅防氧化涂层的表面和断口进行观察,探讨了涂层裂纹、涂层网状缺陷和涂层面缺陷的形成机理。从涂层沉积工艺角度出发,对涂层缺陷控制进行探索,慢速沉积对上述涂层缺陷,特别是面缺陷的控制有显著效果,能获得无面缺陷的多层涂层。氧化实验结果表明：具有慢沉积多层涂层的三维C／SiC在1300℃空气中表现为缓慢的氧化质量增加。     

化学气相沉积法制备富勒烯结构二硫化钼纳米粒子

以MoO3和S粉为原料,高纯氩气为载气和反应气氛,在石英管反应器中,用化学气相沉积法制备富勒烯结构MoS2纳米粒子,用XRD对产品的成分进行测量,SEM观察产品的整体微观形貌。结果表明,在900℃下,通氩气1 cm3/min,保温8 h,制备了平均粒径在250 nm左右的高纯富勒烯结构MoS2纳米粒子。     

化学气相沉积制备泡沫石墨烯超级电容器电极研究进展

综述了以不同模板为导向,化学气相沉积制备高质量泡沫石墨烯的最新研究进展,并阐述了其在超级电容器领域的应用前景和挑战。     

化学气相沉积(CVD)法制备先进陶瓷材料

先进陶瓷材料具有许多优异的性能,如高比强度、高比模量、密度低、硬度高、耐腐蚀、抗氧化等,从而被广泛用作高温结构部件。化学气相沉积()法工艺能制备诸如碳化物、氮化物、硼化物、氧化物等CVD多种陶瓷,因而具有广阔的应用前景。     

化学气相沉积法碳纳米管的制备及性能研究

开发以煤气为碳源采用化学气相沉积法制备单壁碳纳米管，并对其作为超级电容器电极的电化学性能进行研究。通过电子扫描电镜、电子透射电镜、拉曼光谱以及X射线衍射等手段对产品的形态、结构及性质进行表征分析，并对单壁碳纳米管的生长机理进行讨论；分别通过循环伏安、恒压充放电实验对单壁碳纳米管电极进行电化学性能分析。     

化学气相沉积法制备高质量石墨烯方法研究与展望

石墨烯自发现以来因其杰出的理化性能广受关注,制备石墨烯的方法层出不穷.目前,采用化学气相沉积(CVD)技术实现了规模化制备高质量石墨烯.但石墨烯在制备过程中依然遇到了一些的瓶颈,如石墨烯产品污染、破损、皱褶,尤其是在高温条件下制备石墨烯成本较高等.根据近年来石墨烯制备技术和方案进行分析,总结整理近年来关于CVD制备高质...     

低压化学气相沉积制备掺硼碳薄膜及其表征

以BCl3和C3H6分别作为低压化学气相沉积制备掺硼碳材料的硼源和碳源,采用热壁化学气相沉积炉,于1 100℃在碳纤维基底上制备了掺硼碳薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射和X射线光电子能谱对样品作了表征.结果表明:产物表面光滑,断面呈细密的片层状结构,产物由B4C和石墨化程度较高的热解碳组成.采用掺硼碳薄膜中含有15%(摩尔分数,下同)硼.硼原子化学键结合状态共有5种,分别是:B4C的中的B-C键,硼原子替代固溶在类石墨结构中形成的B-C键,BC2O和BCO2结构中B-C键和B-O键的混合态,以及B2O3中的B-O键.其中超过40%的硼原子以替代固溶的形式存在于热解碳的类石墨结构中.     

化学气相沉积设备与装置

本文介绍了化学气相沉积设备的系统组成与典型装置,讨论了几种典型装置特点对化学气相沉积过程的影响,分析和总结了典型装置的维护对沉积参数控制精度及沉积过程的影响。     

化学气相沉积的过程监测

介绍了化学气相沉积(CVD)过程监测的内容。根据CVD过程的特点和薄膜生长的要求,在CVD中需要被实时监测的主要过程参数是温度、化学物种和流体流动。对现有监测方法的原理和优缺点进行分析对比。重点介绍了常用监测方法以及原位实验监测的研究进展。     

化学气相沉积法制备六方氮化硼薄膜的研究进展

六方氮化硼(h-BN)最早于20世纪早期被合成得到。由于其具有高熔点,热膨胀系数小,热导率高等优点,20世纪50年代起,世界上开始用各种方法合成获得了六方氮化硼薄膜,并将其广泛应用于工业生产各个领域。本文主要介绍了近年来用化学气相沉积法在不同衬底上制备六方氮化硼薄膜的研究进展,归纳了不同衬底对六方氮化硼薄膜的尺寸、质量、形貌等方面的影响,为实验和理论研究六方氮化硼CVD生长机制提供相应的文献参考。