带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

简单介绍了带隙基准源的基本原理,给出了一款基于Widlar结构的带曲率补偿的带隙基准电压电流源的设计方法,通过采用TSMC₀.5μm工艺库对电路进行仿真,在-40～150℃的温度范围内,其带隙基准的输出具有12ppm/℃的温度系数,电流基准的输出具有42ppm/℃。此外,文中还对曲率补偿电路的工作原理进行了分析,并且通过仿真波形对曲率补偿的工作机制进行了讨论。     

电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源

因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。     

一种新型的低温度系数基准电流源

针对目前集成电路中对高精度基准电流模块的高度需求,通过采用曲率补偿技术,设计了一种低温度系数(TC)的电流基准源;电路基于0.6um BiCMOS工艺,采用独特的设计方法,很好地利用了NPN、PNPBJT的温度特性;通过Hspice仿真和测试结果表明,在-45～85℃的温度范围内,该电路输出的基准电流温度系数为84.4ppm/℃。     

一种采用曲率补偿的低功耗带隙基准源

本文对带隙基准源进行曲率补偿,实现了带隙基准的低功耗、宽电源电压输入范围和高性能的特点.采用0.6微米Bipolar的工艺模型进行仿真,在电源电压为7V-60V的范围内,电路的最大工作电流为209μA; 电源电压为12V时它的温度系数为7ppm/0C,电源抑制比为55db.     

一种带有曲率补偿的宽输入带隙基准源设计

在传统的一阶带隙基准电路的基础上,通过在电路中添加串联电阻和NPN型二极管并与电阻并联的方法,实现高阶曲率补偿。该电路不仅具有结构简单、使用器件少的优点,而且还能显著提高带隙基准的设计精度。另外,较宽的输入电压范围(10 V²5 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃25 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃⁸0℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V80℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V²5 V输入电压范围内,输出电压摆幅为31.49 mV。     

一种基于MEMS传感器基准电流源设计

基于微机电系统传感器工作原理,提出了一种应用于MEMS传感器系统的低温度系数和高电源抑制比基准电流源设计方案。在研究传统Widlar型基准电流源结构基础上,运用BJT小信号模型分析,得出通过增大反馈环路增益来提高PSRR的结论。     

一种采用曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源的设计

本文设计了采用曲率补偿．具有较高的温度稳定性的高精度带隙基准电压源。设计中没有使用运算放大器．电路结构简单，且避免运算放大嚣所带来的高失调和必须补偿的缺陷。此外电路又采用了内部负反馈回路．使基准电压源工作一个稳定的电压下．从而提高基准电压源的电源抑制比(PSRR)。文中最后给出了此基准电压源的各种性能的仿真波形。     

一种低压曲率校正带隙基准电压源

基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-150范围内,平均温度系数约9.9ppm/oC;工作电压为1.4V。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

基于温度和工艺补偿的基准电流源

介绍了一个采用温度和工艺补偿电流镜实现的基准电流源.与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流以一定权重相加产生与温度无关的基准电流.在Cadence软件平台下用Spectre工具,基于CSMC 0.5um BiCMOS工艺模型对电路进行仿真,仿真结果表明该基准可输出21.52uA的稳定电流,...     

一种1．03ppm／℃的高阶补偿带隙基准源

在曲率补偿方面。采用一种基于电阻匹配的核心电路结构。采用第二个运放产生一个负温度系数的电流来增强曲率补偿．同时把该负温度系数电流与核心基准源电路产生的正温度系数电流求和得到一个与温度无关的电流给运放提供偏置电流。这将提高运放和基准源的鲁棒性。该电路采用0．35umCMOS工艺实现,典型条件下仿真结果表明,在-40-125℃范围内温度系数为1．03ppm／℃电源电压只需大于1．25V便得到1．205V的稳定输出电压。     

一种新型的nA量级CMOS基准电流源

设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源,并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用电阻,大大节省了芯片的面积。基于TSMC 0.18μmCMOS厚栅工艺,使用Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明,在输出基准电流为46 nA的情况下,该电路的温度系数为24.33 ppm/℃,输出电流变化率仅为0.028 9%/V,电源抑制比(PSRR)最高可达-85 dB,电路消耗的电流小于200 nA。     

电流控制电流传输器的温度补偿技术

针对于目前CMOS电流控制电流传输器(CCCII)中普遍存在的温度依赖性问题,提出一个新的温度补偿技术。这种技术主要使用电流偏置电路和分流电路为CCCII产生偏置电流,其中偏置电路中的电流和μC′OX成正比。基于0.5μm CMOS工艺参数,运用HSPICE仿真软件,对提出的电路进行仿真,仿真结果验证了电路的正确性。     

一种带曲率补偿的基准及过温保护电路

介绍了一种低温漂的 BiCMOS 带隙基准电压源及过温保护电路。采用 Brokaw 带隙基准核结构,通过二阶曲率补偿技术,设计了一种在-40℃～+160℃的温度变化范围内温度系数为25ppm/K、输出电压为1.2±0.000 5V 的带隙基准电压源电路。电源电压抑制比典型情况下为72dB。这种用于内部集成的带热滞回功能的过温保护电路,过温关断阈值温度为160℃,温度降低,安全开启阈值温度140℃,设计的热滞回差很好地防止了热振荡现象。     

一种二阶补偿带隙基准设计

基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃～135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB。     

高精度电流偏置电路的设计

提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比（PSRR）的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗,减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响,从而提高输出基准电流的精度。采用0．35μzmCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0．18mm^2。提取寄生参数（PEX）仿真结果表明,该电路在-55℃～＋90℃范围内的温度系数为15．5ppm／℃,室温下基准电压为1．2035V;在低频段电流源的电源抑制比为90dB;在外接电阻从1kΩ～400kΩ变化时,输出基准电流误差范围是0．0001μA。     

电涡流传感器温度漂移的综合补偿

在介绍电涡流传感器基本原理的基础上,分析了温度漂移产生的主要因素,并提出了一种温度漂移补偿的新方法,即利用负反馈组成闭环系统实现对温度漂移的综合补偿。实际测试结果表明:温度漂移综合补偿准确度可达0.41%,明显优于一般方法的补偿准确度。     

光纤Bragg光栅电流传感器的温度补偿研究

在基于超磁致伸缩材料Tb0.30Dy0 70Fe1.95的光纤Bragg光栅(FBG)大电流传感器的基础上,通过对传感头进行设计,提出了一种温度补偿的方案,解决了FBG的温度-应变交叉敏感问题,提高了传感器的精度.实验结果表明:在0～90℃的温度变化范围内,该传感器的Bragg波长差与电流变化具有较好的线性度,不受温度...     

电涡流间隙传感器的温度补偿

电涡流间隙传感器具有无接触测量、动态响应快和适应性好等特点,应用领域十分广泛,缺点是温度漂移较大。介绍了电涡流传感器工作原理,并分析了温度漂移的主要因素。建立了检测线圈的数学模型,通过温控试验证明了数学模型的正确性;利用差分方式抵消了检波电路参数的温度漂移,提高间隙信号输出的稳定性。通过试验对检测线圈和检波环节补偿电路进行验证,得出温度-检测线圈输出电压曲线,将补偿前和补偿后试验结果进行对比,满足JJG 644-90标准要求,温度漂移小于12.1%,证明了补偿方法的有效性。