半导体硅材料与信息化社会的高速发展

材料、交通、能源和信息是当今社会发展的四大支柱产业。跨入21世纪，半导体、电子信息产业迅猛发展，跃居所有产业的首位。电子信息产业的高速发展，在很大程度上是通过开发半导体硅材料来实现的。当今，95％以上的半导体元器件和集成电路（IC）是用半导体硅制造的，半导体硅材料业已成为半导体材料的主体。     

宽禁带稀磁半导体材料研究进展

为适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势，研究者开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料。从20世纪80年代开始，研究者尝试将少量的磁性原子掺人非磁性宽禁带半导体材料中，以获得磁性半导体材料，制备出集磁、光、电子一体的低功耗新型半导体电子器件。     

汽车电子工业半导体使用量稳定增长

2004年汽车工业将使用价值130亿美元的半导体。虽然全球半导体市场的需求与销售情况继续大幅波动，但汽车工业保持稳定，2001年仅下降1％，相比之下，同年半导体销售额下滑了32％。2005年汽车领域中的半导体销售额将达到150亿美元，2004-2009年将以9％的速度增长。尽管汽车对于半导体的需求上升，     

行业景气度回升国内半导体企业开工率转暖

1月份北美半导体BB值（book—to-billratio，订单出货比）连续3个月回升。与此同时，半导体行业重要指数SOX（费城半导体指数）近3个月已经累计上涨近20％。业内分析人士表示，随着行业的回暧，国内半导体制造企业业绩将面临回升，强周期电子股未来的走势值得关注。     

半导体制冷在空调中应用的研究

本文针对半导体制冷方式在空气调节中的应用进行了性能分析，提出了改善半导体制冷系数的基本方向是改进半导体材料性能，目前，可通过改善传热条件，提高半导体制冷的性能。     

空间半导体材料进展

介绍了在太空制备半导体的材料的优点，以及美国，前苏联，日本和我国在空间制备半导体材料的简况。     

第三代半导体或将引发又一次照明革命

事件：继硅（si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料，而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。     

半导体硅

一．2004年回顾 2004年世界半导体市场在美国经济持续向好及雅典奥运会和中国经济发展的带动下，前半年增长强劲，后半年虽略有放缓，但整体增长较快。据WSTS（世界半导体市场统计）报道，2004年世界半导体销售额达2130亿美元，比2003年增长28％。     

日本2004年上半年度硅片销售额增加20％

从日本半导体硅片厂家信越半导体集团、小松电子金属、东芝陶瓷公司公布的2004年4～9月份的中期联合结算可知，随着半导体产业在电脑、数码家电等方面需求的扩大，硅片的销售额增长了20％左右。     

我国大直径半导体硅材料产业化突破性进展

我国大直径半导体硅材料产业化取得新进展，北京有色金属研究总院、国家半导体材料工程研究中心和有研半导体材料股份有限公司联合攻克了0．13-0．10μm集成电路用直径12英寸硅单晶抛光片工程化成套技术，月产1万片中试生产线的产品，已开始进行用户试用和供货考核评估工作。     

半导体硅

一．2005年回顾 2005年下半年，世界半导体市场在个人计算机和数字设备需求增长的带动下，从下跃转为上升。全年虽涨幅不大，但仍呈增长态势。据WSTS（世界半导体市场统计）报道，2005年世界半导体销售额达2275亿美元，比2004年增长6．8％。     

LED显示发展及其在交通领域的应用

发光二极管(LED)是20世纪60年代末发展起来的一种半导体显示器件，20世纪70年代，随着半导体材料合成技术、单晶制造技术和P-N结形成技术的研究进展，发光二极管在发光颜色、亮度等性能得以提高并迅速进入批量化和实用化。进入20世纪80年代后，LED在发光波长范围和性能     

半导体二极管补偿式电压表的研制

在高频电压计量领域，半导体二极管补偿式电压表是真空二极管补偿电压表的最佳替代。本文叙述了半导体二极管补偿式电压表的工作原理，并进行了稳定性分析，介绍其性能和特点     

国内首次成功制备GaAs基长波长激光器

近日，由半导体所半导体超晶格国家重点实验室牛智川研究员承担的GaAs基近红外波段半导体光电子材料生长和激光器研究项目获得重要突破。     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

日本2005年上半年度化合物半导体材料发货情况

日本2005年上半年度（4-9月）GaAs、GaP系化合物半导体需求锐减。在DVD用半导体激光器方面，由于库存调整延迟导致需求减少，且GaP系可视LED等市场也持续低迷。     

我国氮化镓蓝光半导体激光器研究获重大突破

由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。     

半导体透明太阳能电池在日研制成功

据报导，日本产业化技术综合研究所通过在玻璃基板卜形成氧化锌半导体(n型)与铜铝氧化物半导体(p型)的半导体pn接，试制成功透明的太阳能电池。这是一种可使可见光透过，利用紫外光进行发电的新型太阳能电池。太阳光的幅射能量分布在广泛的波长领     

半导体自旋电子学功能材料的研究进展

巨磁电阻效应的发现开拓了磁电子学的新领域，20世纪90年代，磁电子学到了迅速的发展，并在实际应用方面取得了显著的经济效益与巨大的社会效益，本世纪初，研究重点已转移到新的半导体自旋电子学方向，并取得了重要进展。本文结合作者率领的科研组的研究工作，阐述了从磁电子学材料到半导体自旋电子学材料的发展概况，其中，重点介绍了稀磁半导体材料的研究进展。     

一种新的半导体激光动态定位方法

提出了一种新的半导体激光定位技术。它利用多模半导体激光干涉条纹强度分布和双波长细分技术，用两个半导体激光器完成了零点的高精度动态定位。本文方法突破了传统白光定位的局限，简化了干涉仪的设计，实现了大范围的零点捕捉。定位精度达到０．０１μｍ。