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目前,各大运营商骨干传输网的建设已经基本完威城域网和接入网足下一轮网络发展的重点.作为衔接接入和骨干的城域光网络成为当前网络建设中的热点,城域网由于其特殊的地位和作用,使得质优价廉的CWDM(粗波分复用)光传输方案成为首选,另一方面,运营商在对现有网络进行改造和扩容时,对于传输距离较短,业务量较少 相似文献
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半导体激光器散热技术研究及进展 总被引:1,自引:0,他引:1
在半导体大功率激光器的各种关键技术中,散热问题的解决是一个极其关键的技术。因为半导体激光器能产生很高的峰值功率,这些器件的电光转换效率为40%~50%,即所输入的电能50%~60%都转换为热能。在管芯焊接的地方产生的热流量大约为1KW.cm-2。这种热负载是限制激光器正常工作的关键因素。半导体激光器列阵与叠阵散热问题解决会直接关系到激光器的使用寿命,导致激光器有源区温度的迅速提高,从而引起激光器的光学灾变,甚至烧毁半导体激光器。大功率激光器列阵及叠阵在高功率的二极管泵浦固态激光器(DPSSL)系统中有很大的应用,市场发展潜力很大。因此,有必要发展大功率激光器列阵及叠阵。随着大功率激光器列阵及叠阵的迅速发展,与其有关的关键技术也应该加以研究。 相似文献
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分析了热沉和陶瓷基板对背冷式封装结构半导体激光器阵列性能的影响.通过栅格化厚铜填充技术降低了复合金刚石热沉的等效电阻,并实现了热膨胀系数匹配;采用热沉和陶瓷基板嵌入焊接技术,提高了封装散热能力和稳定性.制作了间距为0.4 mm的5Bar条芯片阵列样品,在70℃热沉温度、200 A工作电流(占空比为1%)条件下进行性能测试,结果显示器件输出功率为1 065 W、电光转换效率为59.2%.在高温大电流条件下进行了 1 824 h寿命试验,器件表现出良好的可靠性. 相似文献
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大功率半导体激光器阵列的封装技术 总被引:3,自引:0,他引:3
半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域,成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用。着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术——热沉材料的选择及其结构优化、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术、与光纤的耦合技术等。 相似文献
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为了提高准连续输出功率为×102W量级的半导体激光器的输出功率和可靠性,采用双面散热方式提高传导冷却封装的散热能力。结果表明,采用改进的封装方式后,激光器的最高输出功率由91.6 W提高到98.4W,阈值电流由15.6 A减小到15.1 A,斜率效率由1.09 W/A提高到1.16 W/A,插头效率略有增加。激光器在100 A工作电流时,有源区的温度和激光器的热阻都有所减小,说明改进的封装方式具有更好的散热性能。 相似文献
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采用自制SMA同轴管壳和普通TO-18管壳对同型同批的InGaAsPIN光电探测器芯片进行了封装,并用自建测试系统对其C-V特性和瞬态特性进行了测试比较,结果表明:与普通TO-18管壳封装相比,SMA同轴管壳封装器件电容减少了约0.4pF,上升时间tr由85ps减至25ps以下,半高全宽FWHM由210ps减至85ps,等效-3dB带宽增至6GHz以上,瞬态特性显著改善。 相似文献
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《Electron Devices, IEEE Transactions on》1961,8(1):8-12
A coaxially packaged transistor capable of delivering greater than 11 db of power gain at 1000 Mc, with a resultant maximum frequency of oscillation of 3500 Mc, has been developed. This device is a p-n-p micro-alloy diffused-base transistor (MADT). The principal difference between this device and a standard high-frequency MADT amplifier is the reduction of electrode size and use of a coaxial construction. The parasitic elements, rb ', and emitter and collector transition capacities, have very striking effects. Also, the excess phase of alpha at alpha cutoff, as described by Thomas and Moll, can be very large (150° on this device); for this reason, fT rather than fcα should be used as the figure of merit for graded-base transistors. Because of this excess phase, the value of K(0.85 for homogeneous-base transistors), which is used to relate fT to fcα , can be as low as 0.43 in graded-base transistors of this type. 相似文献
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具有高集成度及高可靠性的表贴阵列封装在工程中应用越来越广泛,而散热是其最重要的问题之一。这种封装的焊点较为脆弱,在可靠性要求较高的领域,常规的散热方案由于需要对焊点施加较大的正压力,会降低焊点的可靠性。针对这一问题,本文使用了一种零正压力的散热方案,通过热仿真分析,这种方案可以达到散热的目的,且不会对可靠性的其它方面造成影响。 相似文献
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大功率DPL泵浦源LD的热管理技术是制约二极管泵浦固体激光器工程应用的瓶颈之一。介绍了二极管泵浦固体激光器的工作过程,设计通过半导体制冷片对LD实施温度控制。主要针对DPL的高温应用环境,对泵浦源LD的散热通道进行分析和计算,设计了可以在高温环境下正常工作的DPL工程样机。该样机主要性能指标:输出峰值功率大于100 kW,激光脉宽为5 ns,重频10 kHz。对该样机进行高低温环境试验,获得试验数据并得出结论:在高温50 ℃情况下,LD可以连续稳定工作 30 min以上。 相似文献
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分析现有三防材料丙烯酸1B31、真空涂敷ParyleneC和有机硅1-2620对元器件散热影响值,制作三防涂层对器件散热影响理论分析工具模型。忽略热量的损失和向印制板面的传递,理论模型校验结果与实际测量结果相符。为元器件表面是否三防提供依据与标准,希望其在产品设计、工艺设计中起到指导作用。 相似文献