电沉积光亮锡锌合金的研究

推荐了一种电沉淀光亮锡锌合金新工艺。其溶液组成及操作条件：Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７．２Ｈ２Ｏ８０～１００，ＮＨ４ＡＣ４５～５５，ＥＤＴＡ２５～３５，ＳｎＣｌ２．２Ｈ４Ｏ４～５０，ＺｎＣｌ２６０～８０ｇ／Ｌ，稳定剂ＷＤＺ－１８０～１００，光亮剂ＷＤＺ－２５０～８０ｍｌ／Ｌ，ｐＨ＝５～６，５～３５℃，１～３．５Ａ／ｄｍ＾２，在上述条件下，可获得锌含量１％～３０％光亮锡锌合金沉积层。     

竹红菌素在DMF－H_2O混合体系中的电化学研究

本文研究了竹红菌素ＨＡ，ＨＢ以及１３－ＳＯ_３Ｎａ－ＤＤＨＡ在ＤＭＦ－Ｈ_２Ｏ（体积分数＝１）混合体系中的电化学氧化还原性质。结果表明，它们都为两步单电子还原过程，反应机理为：油溶性．水溶性１３－ＳＯ３Ｎａ－ＤＤＨＡ：（第一步）（质子化）；（第二步）．并且，ＨＡ，ＨＢ的单电子还原半醒自由基非常稳定，而１３－ＳＯ_３Ｎａ－ＤＤＨＡ单电子还原半醌自由基存在歧化反应，其速率常数ｋ_ｆ＝０．４０８。     

竹红菌素在DMF—H2O混合体系中的电化学研究

本文研究了竹红菌素ＨＡ，ＨＢ以及１３－ＳＯ３Ｎａ－ＤＤＨＡ在ＤＭＦ－Ｈ２Ｏ（体积分数ψ＝１）混合体系中的电化学氧化还原性质，结果表明，它们都为两步单电子还原过程，反应机理为：油 ＨＡ，ＨＢ：ＨＡ（ＨＢ）＋ｅ＋Ｈ＾＋－ＨＡ（ＨＢＨ）＋ｅ－ＨＡＨ，水溶性１３－ＳＯ３Ｎａ－ＤＤＨＡ：（第一步）１３－ＳＯ３Ｎａ－ＤＤＨＡ＋ｅ－１３－ＳＯ３ＮａＤＤＨＡ，（质子化）１３－ＳＯ３Ｎａ－ＤＤＨＡ＋Ｈ＾＋－１３－Ｓ     

船底防污涂料用氧化亚铜制备的研究

采用水溶液电解工艺制备出了船底防污涂料用的氧化亚铜粉末。研究了电解液组成及其浓度、电解温度以及电流密度等因素对氧化亚铜产品质量的影响,得到了电解法制备氧化亚铜的优化工艺条件：［ＮａＣｌ］＝２５０ｇ／Ｌ,［ＮａＯＨ］＝０．１～１．０ｇ／Ｌ（ｐＨ＝１１．１～１２．１）,电解温度：８０～８５℃,电流密度：５００～１５００Ａ／ｍ２,［Ｎａ２ＣｒＯ４］＝０．０３～０．０５ｇ／Ｌ。在此工艺条件下可制备出Ｃｕ２Ｏ≥９７％以上的产品。     

硫酸钠基固体电解质材料的改性研究

以固相反应法合成了Ｎａ２ＳＯ４－Ｌｎ２（ＳＯ４）３（ｌＮ－Ｌａ，Ｙ）和Ｎａ２ＷＯ４体系固体电解质。以ＸＲＤ和热分析研究了物相与化学组成的关系，以交流阻抗谱研究了电导率。发现Ｌａ摩尔含量大于６％或Ｙ含量大于１２％时，可使高电导的Ｎａ２ＳＯ４（Ｉ）相稳定到室温。而Ｌａ为４％或Ｙ为５％时，体系具有最高的电导率，经纯Ｎａ２ＳＯ４约高２个数量级。此时 高、低温度段和电导活化能分别为０．３８ｅＶ和０．８２ｅＶ     

Na^＋和Ti^4＋对CaO—Al2O3—SiO2系玻璃结构和晶化的影响

使用ＲＡＭＡＮ光谱和ＤＴＡ方法研究了含少量Ｎａ＋和Ｔｉ４＋的ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃，发现在纯ＣＡＳ系玻璃（Ｃａ／Ａｌ≥１／２，Ａｌ／Ｓｉ≤１）中，Ａｌ３＋仅有一部分进入玻璃网络，少量Ｎａ＋的引入，有助于Ａｌ３＋进一步进入玻璃网络中，Ｎａ＋起了间接补强玻璃网络的作用，Ｎａ＋和Ｃａ２＋离子对Ａｌ３＋进入玻璃网络结构程度的影响可认为是Ｎａ＋和Ｃａ２＋离子分别以［ＡｌＯ４］Ｎａ和［ＡｌＯ４］Ｃａ［ＡｌＯ４］基团的形式进入玻璃网络中，由于结合几率和体积效应，使［ＡｌＯ４］Ｎａ较［ＡｌＯ４］Ｃａ［ＡｌＯ４］更易进入玻璃网络中。Ｔｉ４＋以［ＴｉＯ４］的形式进入玻璃网络，它对Ａｌ３＋是否能进入玻璃网络无明显影响。Ｎａ＋和Ｔｉ４＋的单独引入，均能使玻璃网络的聚合程度增强，析晶活化能提高；而当Ｎａ＋和Ｔｉ４＋同时引入时，玻璃网络聚合程度和纯ＣＡＳ系玻璃相差不大，析晶活化能有所降低。少量Ｎａ＋的引入，不会影响析出主晶相的种类和数量，而Ｔｉ４＋的引入，则会影响到所析出主晶相的种类和数量。     

发光晶体Na_5Tm（WO_4）_4的光谱性质及光谱参数

在已获得Ｔｍ３＋在Ｎａ５Ｔｍ（ＷＯ４）４晶体中强度参数Ωλ（λ＝２，４，６）的基础上，根据ＪｕｄｄＯｆｅｌｔ理论，计算了Ｔｍ３＋多重激发态之间的辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比及积分发射截面等光谱参数，并对晶体实现激光输出的可能性进行了讨论。     

固体超强酸ZrO_2/SO_4~=和Fe_2/O_3/SO_4~=催化苯乙烯烷基化甲苯反应初探

固体超强酸ＺｒＯ２／ＳＯ＝４和Ｆｅ２／Ｏ３／ＳＯ＝４催化苯乙烯烷基化甲苯反应初探ＣＡＴＡＬＹＩＣＡＬＫＹＬＡＴＩＯＮＲＥＡＣＴＩＯＮＯＦＴＯＬＵＥＮＥＡＮＤＳＴＹＲＥＮＥＢＹＵＳＩＮＧＳＯＬＩＤＳＵＰＥＲＡＣＩＤＳＺｒＯ２／ＳＯ４＝ＡＮＤＦｅ２／Ｏ／...     

顺、反异构钼硫簇合物〔(C_2H_5)_4N〕_2〔Mo_2S_4(SCH_2CH_2S)_2〕的合成、结构和性质研究

用（ＮＨ４）２ＭｏＳ４，ＣｏＣｌ２，ＮｉＣｌ２，ＨＳＣＨ２ＣＨ２ＳＨ和Ｅｔ４ＮＢｒ在ＣＨ３ＯＨＣＨ３ＯＮａ溶液中反应，得到了顺（Ａ），反（Ｂ）异构体的原子簇化合物［（Ｃ２Ｈ５）４Ｎ］２［Ｍｏ２Ｓ４（ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓ）２］的晶体。用Ｘ—射线单晶衍射法测定了顺、反异构体簇合物Ａ和Ｂ晶体结构，其晶胞参数Ａ为ａ＝２．６０４４（２）ｎｍ，ｂ＝１．９８８６（２）ｎｍ，Ｃ＝２．６３０２（Ｉ）ｎｍ，Ｖ＝１３．５８６ｎｍ３，β＝９３．３３°（２）；Ｂ为ａ＝１．０４４（２）ｎｍ，ｂ＝１．４１５８（２）ｎｍ，Ｃ＝１．１４１７（２）ｎｍ，Ｖ＝１．６３８ｎｍ３，β＝１００．４７°，经块距阵最小二乘法修正最终得偏离因子Ｒ＝０．０８８（Ａ），Ｒ＝０．０８９（Ｂ）。同时还对簇合物的红外光谱和紫外可见光谱也进行了研究。     

发光晶体NaTm（WO4）4的光谱性质及光谱参数

在已获得Ｔｍ＾３＋在Ｎａ５Ｔｍ（ＷＯ４）４晶体中强度参数Ωλ（λ＝２，４，６）的基础上，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论，计算了Ｔｍ＾３＋多重量激发态之间的辐射跃迁几率、辐射寿命，荧光分支比及积分发射截面等光谱参数，并对晶体实现激光输出的可能性进行了讨论。     

NaBi(WO_4)_2晶体生长与开裂研究

钨酸铋钠 [分子式 :NaBi(WO4) 2 简称NBW ]是一种性能优良的闪烁晶体 .本工作采用提拉法生长出直径为 45mm ,高为 3 5mm的大尺寸NBW晶体 ,对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究 ,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系 .实验研究发现 ,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关 .并给出了制备无开裂优质NBW晶体的最佳生长工艺参数     

NaBi(WO4)2晶体生长与光谱性能

采用提拉法生长出钨酸铋钠晶体[分子式NaBi(WO4)2, 简称NBW].生长过程中, 对影响晶体开裂的原因进行了详细的分析, 设计了合理的工艺参数 液面上下10mm内的温度梯度为0.8 ℃/mm, 径向温度梯度小于0.3 ℃/mm.拉速为2～4 mm/h, 转速为10～15 r/min, 降温速率为25 ℃/h, 生长出尺寸为45 mm×35 mm的高质量的钨酸铋钠晶体.X射线衍射分析结果表明, NBW晶体属于四方晶系,空间群为I41/a.光透射测试结果表明了NBW晶体的抗辐照损伤能力强;发射光谱分析发现它的发射峰值位于可见光绿光波段.     

戊基环己基苯甲酸的合成

环己烯与戊酰氯在常温下混合均匀后 ,与苯反应生成戊酰基环己基苯 ,再经Wolff-Kishner-黄鸣龙还原反应及氯仿反应得到戊基环己基苯甲酸。本文着重对戊酰基环己基苯的合成进行了改进。     

新型不对称吡喃Weng方酸菁染料的晶体结构

通过缓慢挥发溶剂法得到一种不对称吡喃Ｗｅｎｇ方酸菁染料的单晶，测定了其晶体结构。其晶系为三斜晶系，空间群为Ｐ１，ａ＝０．９２２８（４），ｂ＝１．４１２２（６），ｃ＝０．６１２４（３）ｎｍ，α＝９３．９７（４），β＝９８．１４（５），γ＝７１．０５（４），Ｖ＝０．７４７０（６）ｎｍ＾３，Ｚ＝１。用晶体结构数据解释了此不对称染料的＾１Ｈ－ＮＭＲ谱。     

Cr4+:Ca2GeO4激光晶体生长及光谱性能

采用助熔剂法生长了0.5%(质量分数,下同)Cr4+:Ca2GeO4激光晶体。用X射线衍射(X-ray diffractometer,XRD)、吸收光谱及荧光光谱研究了晶体的相组成和光谱性能。XRD分析表明,获得的晶体为低温γ-Ca2GeO4相,镁橄榄石结构,空间群为Pbam。光谱分析表明:Cr4+:Ca2GeO4晶体在600～800 nm范围内的吸收峰对应Cr4+的3A2→3T1能级跃迁;晶体在1 000～1 200 nm的近红外区域的弱吸收带归因于Cr4+离子的3A2→3T2能级跃迁。室温下0.5%Cr4+:Ca2GeO4晶体荧光光谱的最强荧光发射峰值位于1 317 nm处,这归属于Cr4+的3T2→3A2能级跃迁,荧光寿命为7.9μs,发射截面为4.61×10–19 cm2。     

Ce~(3+):LiYF_4和Ce~(3+):LiLuF_4晶体生长与其紫外光谱特征

采用提拉法在CF4气氛中生长高质量掺Ce3+的LiYF4和LiLuF4晶体.测试了晶体的紫外光谱,并从配位场理论角度解释了Ce3+在2种氟化物晶体中紫外光谱特性的差异.结果表明:Ce3+在LiYF4晶体的吸收谱宽度比在LiLuF4晶体中更宽.Ce3+:LiYF4晶体的吸收峰和荧光峰的位置相对Ce3+:LiLuF4晶体的出现紫移.认为其主要原因是由于在LiYF4晶体中,Ce3+和相邻的F的距离更近,Ce3+的d电子与F之间的相互排斥作用更大.     

烷基环己基苯酚的合成

以烷基环己基苯为原料,经付克反应生成烷基环己基苯乙酮,经Baeyer-Villiger氧化生成烷基环己基苯酚乙酸酯,再经水解制得烷基环己基苯酚.     

Yb:Ca5(PO4)3F激光晶体的生长缺陷

采用提拉法生长了质量优异的Yb：Ca5（PO4）2F（Yb：FAP）晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知：晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物。且位错密度显著增加。Yb：FAP晶体的各向异性使得晶体在（10 10）面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而（0001）面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。     

单晶体KTi0.93Sn0.07OPO4的结构研究

采用熔盐法自发成核生长出单晶体KTi0.93Sn0.07OPO4；使用X射线四圆衍射仪测定了该晶体的结构为：斜方晶系，空间群Pna21，晶胞常数a=12.831A,b=6.410A,c=10.584A。部分Sn^4 离子替代Ti^4 离子导致该晶体中氧八面体更趋对称性，进而改变了晶体的物理性质。     

4-（4-正丙基）双环己基多碘代苯的回收利用工艺研究

以液晶废料4-（4-正丙基）双环己基多碘代苯为原料,甲苯、乙醇和水为介质,以钌／碳为催化剂,在氢氧化钾作用下,于50～60％,0．2MPa加氢反应3h,得到目标产物4-（4-正丙基）双环己基苯,收率为72．4％,纯度（GC）〉99．5％。并对其结构进行了GC—MSS、DSC和IR确认。