BaTiO3系陶瓷电压非线性特性研究

对ＢａＴｉＯ３－ＢａＺｒＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＢａＳｎＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３非线性陶瓷材料的介电性能（ε,ｔａｎδ）与外ＢａＺｒ０．１３Ｔｉ０．８７Ｏ３,ＢａＳｎ０．０６Ｔｉ０．９４Ｏ３在直流偏压下ε可变化１．５￣２．７倍;在交流电压下ε可变化２￣２．５倍,且具肮介电常数、较高抗电强度,可用作开关电源ＲＣＤ保护电路的非线性陶瓷电容器和荧光灯无触点起辉器材料,Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３在直流偏     

Nd2Ti2O7-BaTiO3-TiO2系陶瓷的相结构和介电性能研究

对Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７－ＢａＴｉＯ３－ＴｉＯ２系陶瓷的相结构和介电性能进行了研究。研究结果表明：少量Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７（ＮＴ）掺杂到,ＢａＴｉＯ３（ＢＴ）中后形成铁电固溶体材料,其Ｃｕｒｉｅ温度随ＮＴ含量的增加向负温方向移动,同时,材料的晶粒尺寸不断增大;在ＮＴ－ＢＴ－ＴｉＯ２三元系统中,当ＢＴ含量低于６０％（质量分数）时,调整三者的配比,可使烧结后生成的ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４,Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０,Ｎｄ     

影响（Ba_（0．65）Pb_（0．35））TiO_3系PTC陶瓷电阻率的因素

在合成的（Ｂａ０．６５Ｐｂ０．３５）ＴｉＯ３中分别掺入了Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｌａ２Ｏ３，ＭｎＯ２和ＴｉＯ２．讨论了每种掺杂物与烧成气氛和升温制度对常温电阻率的影响，找出了ＰＴＣ陶瓷的最佳组成；１ｍｏｌ（Ｂａ０．６５Ｐｂ０．３５）ＴｉＯ３，０．００２ｍｏｌＡｌ２Ｏ３，０．００４ｍｏｌＳｉＯ２，０．０１ｍｏｌＴｉＯ２，０．００３ｍｏｌＬａ２Ｏ３，０．０００２ｍｏｌＭｎＯ２．这种ＰＴＣ陶瓷的表面温度为２７０℃，常温电阻率为５～８×１０３Ω·ｃｍ，时任性为２４０ｖ／ｍｍ．     

玻璃掺杂（SrxBa1—x）TiO3陶瓷基压敏材料的制备,表征及性能

采用陶瓷工艺，制备了钙钛矿结构的（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３粉体，利用溶胶－凝胶技术合成的Ｂ－Ｓｉ－Ｐｂ玻璃对（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３进行掺杂，所制备的材料具非线性Ｖ－Ｉ特性，非线性系数在３～４之间，当ｘ≤０．３３时，其Ｖ１ｍＡ值低于２０Ｖ．ｍｍ＾－１，ｘ≥０．４０时，Ｖ１ｍＡ值急剧上升，材料制备不需要经过氧化－还原两步工艺过程，对于工业生产具有重要意义。     

TiO2含量对BaO-SiO2-B2O3-TiO2系统玻璃性能的影响

分析了３０ＢａＯ（６２－ｘ）ＳｉＯ２－８Ｂ２Ｏ３－ｘＴｉＯ２（ｘ＝０－４０）系统玻璃ＴｉＯ２含量对热膨胀系数α,转变温度Ｔｇ,软化温度Ｔｓ,密度ρ和折射率ｎ的影响,由于Ｔｉ＾４＋配位数的变化,当ＴｉＯ２的摩尔分数约为２０％时,在α,Ｔｇ和Ｔｓ性能曲线上出现极值点,这一现象称之为“钛反常”。研究了３０ＢａＯ－（７０－ｘ－ｙ）ＳｉＯ２－ｘＢ２Ｏ３－ｙＴｉＯ２（ｙ＝０－４０）系统玻璃的密度ρ随ＴｉＯ２和     

中温烧结BaO－PbO－Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系统陶瓷的组

研究了ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｎｄ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２五元系统各成分对系统介电性能的影响。调整各组分及玻璃的含量，获得中温（１１４０℃）烧结的热稳定独石电容器瓷料（ＮＰＯＭＬＣ），其介电系数ε＝９０±５，损耗ｔｇδ≤３×１０￣（－４），绝缘电阻率ρ＿ｖ≥１０￣（１２）Ω·ｃｍ，介电系数的温度系数α＿ε＝０±１５×１０￣（－６）／℃。     

MnO2对0.85Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—0.15BaTiO3陶瓷弛豫现象的影响

研究了ＭｎＯ２掺杂对０．８５Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．１５ＢａＴｉＯ３陶瓷电介电、热释电以及铁电弛豫等性能的影响。添加ＭｎＯ２使ＰＺＮ－ＢＴ陶瓷的介电常数ε下降，室温老化率明显增大。随着ＭｎＯ２含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ陶瓷介电常数与温度的关系中所表现出来的频率弛豫现象逐渐减弱，直到消失，但其扩散相变现象仍然十分明显。     

钡锶铅氧化物陶瓷的结构与热敏性

本文应用共沉淀法制备了Ｂａ１－ｘＳｒｘＰＢ１＋ｙＯ３－δ（Ｘ＝０，０．１，０．３．０．５，０．７，１；ｙ＝０．０．１．０．２，０．３）陶瓷试样。测定了试样的电阻－温度特性。并对样品进行了Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的观察，以研究Ｓｒ掺杂ＢａＰｂＯ３陶瓷的结构和热敏性。实验结果表明：掺杂钡铅氧化物陶瓷仍是钙钛矿结构。随着Ｘ含量增加（ｙ为定值）陶瓷的ＰＴＣＲ温度升高，但ＰＴＣＲ效应逐渐降低；ｙ＝０时，几乎没有ＰＴＣＲ效应．ｙ＞０．２时，ＰＴＣＲ效应也不明显，而在０＜ｙ≤０．２时，ＰＴＣＲ效应随ｙ值的增加而增大。     

MnO_2对0．85Pb（Zn_（1／3）Nb_（2／3））O_3－0．15B

研究了ＭｎＯ＿２掺杂对０．８５Ｐｂ（Ｚｎ＿（１／３）Ｎｂ＿（２／３））Ｏ＿３－０．１５ＢａＴｉＯ＿３陶瓷电、热释电以及铁电弛豫等性能的影响。添加ＭｎＯ＿２使ｐＺＮ－ＢＴ陶瓷的介电常数ε下降，室温老化率明显增大。随着ＭｎＯ＿２含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ陶瓷介电常数与温度的关系中所表现出来的频率弛豫现象逐渐减弱，直至消失，但其扩散相变现象仍然十分明显。     

水热法制备BaTiO3粉体

以Ｂａ（ＯＨ）２·８Ｈ２Ｏ和ＴｉＯ２为前驱物,在水热条件下制得了单一物相的ＢａＴｉＯ３粉体中产生裂纹等发现产物的物相与反应温度和前驱物的Ｂａ,Ｔｉ摩尔比有关,由负离子配位多面体生长基元模型分析了ＢａＴｉＯ３粉体的形成机理,指出了形成ＢａＴｉＯ３粉体的生长基元为Ｂａ（ＯＨ）１２＾１０－和Ｔｉ（ＯＨ）６＾２－,由此比较合理地解释了粉体的物相以及Ｂａ,Ｔｉ摩尔比对ＢａＴｉＯ３粉体形成的影响。     

SrTiO3陶瓷中晶粒三维形状的评估方法

根据SrTiO3陶瓷中晶粒以{100}和{111}晶面为主要晶界的结晶习性,以及晶粒形状随{100}和{111}占晶界面积不同而发生变化的特点,设计了适合SrTiO3晶粒形状特征的晶粒模型.通过对不同形状晶粒的仿真切割,可得到所对应形状晶粒的随机截面,以及能够反映晶粒形状变化的截面形状参数--圆形度.从而建立了晶粒截面圆形度与晶粒形状的关系.在实际应用时,通过测量统计SrTiO3陶瓷切片上晶粒截面圆形度的平均值,来查询晶粒的三维形状.     

影响BaTiO_3半导瓷PTC效应的动力学参数的研究

采用钛酸盐半导瓷晶界层功力学理论模型,对影响BaTiO_3PTC效应的动力学参数进行了研究,计算机模拟结果与实验结果具有相同的规律。     

BaTiO3系PTCR材料电学性能的复阻抗解析

采用复阻抗解析法研究了ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ材料晶粒、晶界的电学性能。结果表明：使用欧姆接触电极的ＰＴＣＲ材料等效电路的复阻抗为：晶粒电阻呈ＮＴＣ特性，而晶界电阻天Ｔ〈Ｔｃ时呈ＮＴＣ特性，Ｔ〉Ｔｃ时呈明显的ＰＴＣ特性；ＰＴＣ效应是一种晶界效应。     

CaSiO3:Eu的发光性质

采用高温固相反应法合成出CaSiO3：Eu^3 荧光体。研究了其荧光性质。样品的晶体结构为α-CaSiO3和β-CaSiO3的混合相，其激发光谱的峰位位于240，320，362，383，394，415nm，分别对应于O→Eu的电荷迁移带和^7F0．1-^5H3，^5D4，^5GJ，^5L6，^5D3的吸收跃迁。在240nm和394nm激发下，Eu^3 离子的^5D0→^7F2电偶极跃迁最强，表明Eu^3 离子占据更多的非反演中心格位。研究了不同电荷补偿剂对发光性能的影响，以Li^ 离子的电荷补偿效果最好。     

纳米3Y-TZP粉体的制备及烧结曲线研究

采用共沉淀法制备纳米3Y-TZP粉体,并利用DSC-TG,XRD和TEM等测试方法对3Y-TZP的物理化学性能进行表征。通过研究纳米3Y-TZP粉体的烧结曲线,分析3Y-TZP素坯在烧结过程的致密化和显微结构。结果表明:在600℃下煅烧2h后,可获得晶粒尺寸为13nm,晶形发育良好、团聚较少的纳米3Y-TZP粉体。在烧结过程中,不同烧结阶段中的扩散机制不同,在烧结后期晶粒尺寸发生显著长大。     

BaTiO3半导体陶瓷的分析电镜研究

利用透射电镜(TEM)和微区分析方法对BaTiO_3半导体陶瓷的晶粒和晶界进行了研究。研究发现,某些晶粒中存在一种极为特殊的不均匀性——即晶粒具有“壳-芯”结构特征。选区电子衍射(SAD)和X射线能量色散谱(EDAX)分析证实,壳-芯结构是由晶粒中含杂质Si的分布不均匀引起。研究表明,壳和芯同属BaTiO_3结构,它们的结晶学取向相同。同时还发现,在晶界处有富Si的结晶相存在。     

多晶BaTiO3陶瓷的纳米非均匀性与电性能

发现了多晶ＢａＴｉＯ３陶瓷晶界附近的化学组成具有纳米尺度上的非均匀性，研究了非均匀性对陶瓷电性能的作用。ＰＴＣ热敏电阻器的电阻温度关系可用势垒模型说明：ＢＬ电容器的介电温谱要用壳层模型才能解释，这种差别主要由于晶界区的纳米非均匀性。     

共掺ZnO提高LiNbO3晶体中Ho3+分凝系数的研究

在Ｈｏ：ＬｉＮｂＯ３中掺入摩尔分数为６％和ＺｎＯ，生长（Ｈｏ，ＺｎＯ）：ＬｉＮｂＯ３晶体。用电感硝等离子体发射光谱（ＩＣＰ－ＡＥＳ）法，测定了晶体不同部位Ｈｏ＾３＋的浓度，并计算其分凝系数，共掺ＺｎＯ后，晶体中Ｈｏ＾３＋的分凝系数为０．３提高到０．６，表明Ｈｏ＾３＋在晶体中分布更为均匀。对双掺Ｈｏ和Ｚｎ的ＬｉＮｂＯ３晶体组分均匀性提高的机理进行了探讨。     

Sr1—xLaxTiO3陶瓷的介电特性与缺陷机构

研究了组份为Sr_(1-x)La_xTiO_3(其中x=0—0.06)陶瓷的介电特性与缺陷机构。发现:当x=0.0005—0.01时,在频率为10~5—10~7Hz范围内,材料出现了介电弛豫现象;而当0.02≤x≤0.05时,在频率为10~3—10~7Hz范围内,材料没有发生介电弛豫。材料的电阻率与La含量的关系呈“U”型曲线变化。作者采用La替代Sr后而产生的电子补偿与锶空位缺陷补偿分別存在或共同存在,以及空间电荷极化机制对上述现象作出了解释。另外由正电子湮没寿命谱得到的有关材料缺陷机构的结论则进一步证明了该解释的合理性。     

电荷补偿对ZnO:Eu~(3+)材料荧光性能的影响(英文)

采用机械力固相化学反应法制备了含3%Eu3+(摩尔分数,下同)ZnO:Eu3+(ZnO:3%Eu3+)发光材料,研究了ZnO:3%Eu3+发光材料的激发与发射光谱,以发射光谱的主峰(λem=611nm)作为监控波长,其激发光谱的主峰对应λem=465nm,分析了ZnO:3%Eu3+材料的发射峰强度随电荷补偿剂Li+,Na+和K+掺杂浓度的变化规律。结果表明:随电荷补偿剂含量增大,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度均出现先增大后减小趋势,但在不同电荷补偿剂下,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度最大处对应的电荷补偿剂含量不同,此时对应的Li+,Na+和K+的摩尔分数分别为1%,0.75%和0.70%。