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研究了MnO_2掺杂对0.85Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.15BaTiO_3陶瓷电、热释电以及铁电弛豫等性能的影响。添加MnO_2使pZN-BT陶瓷的介电常数ε下降,室温老化率明显增大。随着MnO_2含量的增加,PZN-BT陶瓷介电常数与温度的关系中所表现出来的频率弛豫现象逐渐减弱,直至消失,但其扩散相变现象仍然十分明显。 相似文献
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Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基陶瓷固相反应中的相变过程 总被引:4,自引:2,他引:4
用两次合成工艺,按Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PZN)的化学计量比合成的陶瓷为一种立方焦绿石相和PbO的混合物,其中立方焦绿石相为主晶相。该焦绿石结构的分子式为Pb_2ZnNb_2O_8,Fd3m空间群,Z=6,α=10.62(?)。在PZN基陶瓷中引入钙钛矿结构的子晶(如BaTiO_3),将促进其周围的Pb_2ZnNb_2O_8与PbO结合,形成钙钛矿结构的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3。 相似文献
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用普通合成法制备了纯钙钛矿结构相的Pb(Fe1/2Ta1/2)O3(PFT)陶瓷,并进行了900℃退火热处理。对其介电性质测试结果表明,未热处理与热处理过的PFT陶瓷在0.1 ̄100KHz频率下均表现出介电弥散性转变。未热处理的PFT陶瓷最大介电常数对应的温度(T0)不随测量频率变化;热处理过的PFT陶瓷在此频率范围T0值表现出明显的频率依赖性(频率色散),即△T0=5℃。由此可以认为PFT是弛豫 相似文献
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用普通合成法制备了纯钙钛矿结构相的Pb(Fe_(1/2)=Ta_(1/2))O_3(PFT)陶瓷,并进行了900℃退火热处理。对其介电性质测试结果表明,未热处理与热处理过的PFT陶瓷在0.1~100kHz频率下均表现出介电弥散性转变。未热处理的PFT陶瓷最大介电常数对应的温度(T_0)不随测量频率变化;热处理过的PFT陶瓷在此频率范围T_0值表现出明显的频率依赖性(频率色散),即ΔT_0=5℃。由此可以认为PFT是弛豫铁电体。XRD结果表明,未热处理的PFT陶瓷无超晶格衍射;而热处理过的PFT陶瓷则有较弱的(111)超晶格衍射。利用有序-无序转变理论及超顺电结构模型对其结构与性质进行了探讨。 相似文献
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先驱体法合成三元系Pb(Sc1/2Ta1/2)O3—PbZrO3—PbTiO3钙钛矿铁电陶瓷粉末 总被引:4,自引:0,他引:4
本文研究了采用不用先驱体ScTaO4+Zr0.53Ti0.47O3(ST+ZT)和(Sc12Ta12)0.20Zr0.385Ti0.415O2(STZT)以及采用ST+ZrO2+TiO2与PbO进行固相反应合成三元系Pb(Sc12Ta12)0.20-Zr0.385Ti0.415O3钙钛矿陶瓷粉末的合成机理。实验表明,两种先驱体均能与PbO反应制得单相钙钛矿材料,合成过程中未发现焦绿石相。实验中发现,以ST+ZT为先驱体比STZT先驱体更容易得到单相钙钛矿材料,其原因是ZT先驱体对材料钙钛矿形成具有一定的促进作用。实验过程中发现试样随合成温度的变化有程度不同的膨胀现象,这种膨胀是采用先驱体法合成的钙钛矿粉末具有超细晶粒尺寸的主要原因。 相似文献
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用XRD法研究了八面体择位能大的离子对合成钙钛矿型Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))0_3[PZN]多晶材料的影响。通过对PZN结晶化学参数的分析,认为八面体择位能大的Mn~(3 )离子能有效的抑制焦录石的形成。结果表明在PZN中添加1wt%MnCO_3就能获得完全无焦录石的钙钛矿型结构的PZN陶瓷。文中讨论了相组成和钙钛矿相的稳定机理。 相似文献
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BaTiO3陶瓷以其优异的铁电、压电和绝缘性能广泛应用于体积小、容量大的电子器件材料,但其在一定的工作温度区间介电常数却呈现不稳定变化。对其常用的改性方法进行了分类和阐述,同时对Nb2O5掺杂改性对BaTiO3陶瓷介电性能的影响作了简单介绍,最后讨论了Nb2O5在多层陶瓷电容器制备领域的应用和重要性。 相似文献
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湿化学法制备0.95Pb(Mg1/3Nb2/3)O3—0.05PbTiO3铁电陶瓷 总被引:4,自引:0,他引:4
用湿化学法制备了钙钛矿相的含量为99%的0.95Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.05PbTiO3确定了0.95PMN-0.05PT前驱物的最佳条件为:溶液的pH值 为1.5,反应温度为60℃。 相似文献
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Al2O3—Nb/Mo复合陶瓷的腐蚀方法比较 总被引:1,自引:0,他引:1
采用几种不同的腐蚀工艺对烧结Al2O3-Nb或Al2O3-Mo复合陶瓷试样进行腐蚀,并应用扫描电镜对腐蚀后的试样进行观察。比较表明,在低于烧结温度约150℃下进行的热腐蚀能够清晰地揭示基质Al2O3的晶粒结构,并且与化学的效果不同,保留了金属相粒子。这有助于分析研究复合陶瓷中两相物质的晶界结合状况。 相似文献
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本文讨论了复合钙钛矿型Ba(Mg1/3Ta2/3)O3中B位离子的有序程序同材料的介电损耗之间的关系。用X射线谱和Raman光谱研究了陶瓷烧结温度对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3中B位离子的有序程度的影响,当适当提高烧结温度可增大有序程度。 相似文献