扫描电镜在微细加工技术中的应用

微细加工技术是指制造微小尺寸零件的加工技术,它所涉及的是微米（μｍ）级的加工,现已发展到亚微米（１μｍ以下）和纳米（１ｎｍ）尺寸的加工技术。目前已成为大规模集成电路和微细图案形成必不可少的加工手段。例加在微米、亚微米大规模集成电路（ＶＬＳＩ）中,芯片...     

微细EDM技术加工微齿轮的研究

本文通过用微细电火花（ＥＤＭ）方法加工模数为０．０６的微齿轮研究，阐述了微细ＥＤＭ方法加工微齿轮的原理、方法和关键技术。     

摄象机发展新动态

摄象机发展新动态贾正根（南京电子器件研究所，南京２１００１６）１引言近几年，微细加工技术发展很快，９０年代是微米级，目前已发展到０．２Ｐｉｎ的水平。加上数字技术的发展及计算机软、硬件水平的提高，也促进了固体摄象器件和摄象系统结构与性能的变化。由于固体...     

MEBES－4型电子束曝光机简介

ＭＥＢＥＳ－４型电子束曝光机简介１前言随着半导体集成电路制造技术向着亚半微米和超大规模集成（ＵＬＳＩ）时代的跨进，作为半导体微细加工技术核心的电子束曝光技术，以其高精度、高分辨率、高生产率、高自动化程度和灵活的图形设计，短的制版周期等显著优点，而倍受...     

扫描电子束无显影光刻技术

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,一     

扫描电子束无显影光刻技术,

<正> 扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,     

亚微米离子束技术

本文主要介绍液镓场致发射离子源及其在聚焦离子束加工方面的应用,同时简要评述了离子束微细加工技术研究状况与亚微米离子束的功能特点,展望了亚微米离子束技术的发展前景。     

薄膜SOI器件和材料的研究和发展方向

随着微电子技术的高速发展，尤其是微细加工技术的突破，器件按比例缩小至涤亚微米（0.25μm）以下时，传统体硅工艺已不适用了，而薄膜SOI器件因具有集成度高、工作速度快、抗辐照能力强以及工艺简便等优点而受到人们的青睐。本文主要介绍国外SOI薄膜材科的制备方法和研究动向以及国外薄膜SOI器件的研究现状及未来的发展方向。     

MEMS麦克风带来超清晰录音功能

微机电系统（MEMS）是一种通过以硅为原材料的、将微电子和微机械技术集于一体的微细加工技术，实现各种机械元件、传感器、触动器和电子电路在硅片上的集成。     

脉冲激光微加工技术在MEMS中的应用

介绍了脉冲激光微加工技术及其在微机电系统(MEMS)加工中的应用。脉冲激光微加工技术能够制作出三维微型结构并具有微米／亚微米加工精度，且适用于多种材料，与传统的微细加工技术(光刻、刻蚀、体硅和面硅加工技术等)相比具有其独到之处。阐述了基于激光烧蚀的脉冲激光直接微加工技术、激光-LIGA技术、激光辅助沉积与刻蚀技术以及MEMS的激光辅助操控及装配技术。     

太赫兹真空器件中的微加工技术和微封装技术

当工作频率升高至太赫兹频段时,真空器件的结构尺寸缩小至毫米级甚至微米级.传统的精密加工方法已经不能满足要求,这就要求采用新的加工技术即微细加工技术以保证很高的尺寸精度和表面光洁度.本文介绍了三种主要的微细加工技术,LIGA、UV(紫外)LIGA和深反应离子刻蚀,阐述了这三种加工技术的工艺流程、特点以及其应用情况,并举例说明各加工技术在太赫兹真空器件中的一些应用.     

脉冲激光MEMS加工技术

阐述了脉冲激光微加工技术及其在微机电系统(MEMS)加工中的应用。脉冲激光微加工技术能够制作出三维微型结构并具有微米／亚微米加工精度，且适用于多种材料，与传统的微细加工技术如光刻、刻蚀、体硅和面硅加工技术等相比具有其独到之处。进一步阐述了基于激光烧蚀的脉冲激光直接微加工技术、激光-LIGA技术、激光辅助沉积与刻蚀技术以及MEMS的激光辅助操控及装配技术。     

有关微细加工的几个问题

随着微波集成电路、声表面波器件、超导电子元件等固体器件的发展,特别是大规模集成电路、超大规模集成电路的发展,微细加工技术成了世界上发达国家发展微电子技术的重中之重,我国也将其列为重点攻关项目之一。化学气相沉积、热扩散掺杂、光学系统曝光、湿法刻蚀战功地解决了2～3微米以上线宽图形的制作,称为第一代微细加工技术。以真     

FED支撑技术研究现状

ＦＥＤ（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ,场致发射显示器）是世界上发达国家正在研制的一种具有巨大潜在市场的平板型显示器件,支撑技术是ＦＥＤ研究中的关键技术之一,也是微细加工技术领域的一个有意义的研究课题。叙述了ＦＥＤ对支撑技术的研究要求,介绍了美国、日本的几家公司和研究机构近几年的支撑技术研究方案和结果。     

真空微电子学展望

目前正在利用微米大小的微小冷阴极,开始试制微细而能集成的真空管或高精细平板显示器件等。这些试验的目的是利用半导体的微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化,这种叫做真空微电子学的研究,正在开拓前所未有的领域。本文以作者研制的微小真空三极管为中心,介绍真空微电子学的最近动向。     

三维CAD及其有效使用方法

目前,半导体集成电路即将实现把几百万个晶体管集成到几平方毫米半导体芯片的超LSI,这样的发展完全是建立在以微细加工技术和短沟道MOS器件技术为主基础之上。但在尔后把1微米以下(亚微米)半导体器件作为集成电路基本器件的研制过程中,将会产生各种问题。一是三维立体结构将会给微细化半导     

提高光学显微镜测量亚微米栅宽精度的探讨

目前,我所制备的场效应器件光掩模版中,栅版上栅条的宽度已趋于亚微米级而近乎可见光的波长,如何对这样微小的尺寸进行比较高精度的测量是一个重要而又困难的问题,在进行超微细加工时必须引起足够的重视。日本“超大规模集成电路微细加工技术”一书的著者甚至在文章里声称:“电子束与其用来进行微细图形加工,倒还不如首     

PMMA在LIGA技术中的应用

合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂,采用同步辐射装置X射线深度曝光,可得到深宽比45－90,深度大于450微米,细线宽5－10微米的良好光刻图形。     

缩小投影曝光技术

<正> 高速化、高集成化的迅猛发展把微细加工技术推向更加重要的位置,能进行微细加工的半导体设备不断出现,尤以光刻技术为最,其进展之快也是惊人的。历来都是采用光掩模和片子接触曝光法,近期出现了使用正性抗蚀剂的1:1投影曝光方法。但是,要制造设计规则为2微米以下的半导体器件,使用以往的光刻机,无论是分辨率还是对准精度都难于实     

应用光刻的加工技术

微机械的实现,很大程度上取决于微细加工技术、尤其是应用光刻的加工技术的发展.毋容置疑,除微细加工技术外,譬如象机械加工等也在向微细化方向发展,而以半导体微细加工技术为背景,最近利用光刻的结构体加工技术正在逐步实现前所未有的新型加工,本文就应用半导体加工技术所展开的微细结构体加工技术作以介绍.