类锂硅离子软X射线激光:能级结构、辐射跃迁波长和速率

根据“类锂硅离子软X射线激光实验研究”一文,本文从理论上考察了该激光的主要光谱性质。并且猜想了该激光器的最可几泵浦机制。     

类锂硅离子的软X射线放大

本文描述了最近进行的复合泵浦类锂硅离子软X射线激光增益实验结果。利用1m消像散掠入射光栅谱仪拍摄了平面硅靶线聚焦激光等离子体在5～12nm波长范围里的光谱。利用线聚焦激光等离子体轴向和非轴向光谱的时间积分强度比求得Si~(11+)5f-3d(8.89nm)和5d-3p(8.73nm)跃迁的增益系数分别为1.4和0.9cm~(-1);用轴向强度随线聚焦激光等离子体长度的变化得到离靶面300μm处的增益系数分别为1.5和1.4cm~(-1)。     

类Be等电子数序列离子(Z=14～17,19,20)与软X射线激光研究有关的能级和振子强度

用多组态HXR自洽场方法和优化Slater径向积分方法相结合计算了类Be离子(Z=14-17,19,20)与软X射线激光研究有关的偶宇称组态2s3d、2s4d,2s5d和奇宇称组态2s3p,2s4f,2s5f的能级值以及这些能级之间的跃迁波长和振子强度。     

桌面软X射线激光器

测量了用６－１５Ｊ钕玻璃激光横向泵浦的１８．２ｎｍ小型软Ｘ射线激光器的增益，在此系统中用固体材料壁代替原磁场来限制等离子体，等离子体通过绝热膨胀和中Ｚ离子的辐射来冷却。还设计了一种新的预期能获务交高稳定增益的双靶系统，在此系统中将采用一种新技术对准过程中的小增益。     

激光产生MgIX等离子体软X射线谱的识别

用掠入射光栅光谱仪拍摄了4～12nm波段范围内镁的激光等离子体软X射线发射光谱。利用等电子数序列离子光谱的规律性,对镁的类铍电离级离子跃迁的软X光谱线进行了识别。     

类锂铜离子的振子强度和辐射跃迁几率

本文应用原子结构和光谱的HFR程序,结合一个关于原子能量参数的最小二乘优化程序系统计算了高离化态类锂铜离子1S~2nl(n=2～6,l=0～5)电偶极跃迁的权重振子强度,辐射跃迁几率和相应的软X射线波长(30nm以下),将波长计算值与已有的实验值相比较,二者十分符合。     

X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(0 0 1) substrates

We used X-ray microdiffraction (XRMD) to investigate the crystallinity and strain relaxation of Ge thin lines with widths of 100, 200, 500 and 1000 nm selectively grown on Si(0 0 1) substrates using a patterned SiO₂ mask by chemical vapor deposition. The variations of the strain relaxation in the line and width directions were also investigated in Ge thin lines with a width of 100 nm. After growth, crystal domains with very small tilt angles were detected in Ge lines with all four line widths. The tilt angle range was larger in thinner Ge lines. After annealing at 700 °C, the formation of a single, large domain with a specific tilt angle was detected by XRMD for Ge thin lines with widths of 100 and 200 nm. These experimental results reflect the effects of SiO₂ side walls around the Ge thin lines on crystallinity and strain relaxation of Ge.     

磁控溅射的Ge/Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究

用Raman光散射的方法,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况,对不同的样品进行结构变化分析.实验结果显示:Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制,异质材料的最初生长情况决定了其在退火处理后的结构形态.     

软X射线多层膜的光学性质和优化设计

一、引言 X射线多层膜是X激光和X光学的重要元件。近几年,不论在理论上还是在技术上,都得到了较快发展。 从X光晶体衍射角度出发,X射线多层膜可看作超晶格一维人工晶体。从薄膜光学出发,X射线多层膜是一类光学薄膜。这种薄膜的膜层很薄,折射率都接近1,并存在一定的吸收。X     

小角衍射法精确测定Mo/Si软X射线多层膜的结构

通过对周期性Mo/Si多层膜Cu靶K_(?)线小角衍射曲线的分析,并进一步采用对局部曲线进行分步数值拟合的方法,确定了多层膜的结构参数及界面质量。估算了多层膜样品在λ=20nm附近的正入射反射率接近10％。     

软X激光反射输出镜的近似理论设计

本文采用标量区近似理论设计软X激光反射输出镜,分析其衍射特性,对影响输出效率的因素进行了讨论和分析。     

高分辨Fe靶激光等离子体软X射线光谱测量

在高真空环境下使用McPHERSON 2 4 7型掠入射单色仪测量了纳秒激光激发的Fe等离子体 5～ 2 7nm波段的软X射线光谱 ,单色仪光谱分辨率Δλ≤ 0 .0 75nm ,波长扫描间隔 0 .1nm ,认证出了若干电离Fe的强谱线。     

软X射线偏折仪用自支撑莫尔光栅研制

介绍了莫尔光栅制作的主要方法和进展。利用紫外光刻、离子束刻蚀技术制作自支撑金莫尔光栅，讨论了金膜厚度要求、电镀金膜质量和光栅占空比控制等影响莫尔光栅质量的关键技术问题。实验结果表明，通过设计较小占空比的光栅掩模、紫外光刻时擦除基片边缘的光刻胶棱以消除衍射效应、离子束刻蚀时基片倾斜一定的角度旋转刻蚀等措施可以改善自支撑金莫尔光栅的占空比。     

高纬极区电离层离子声波谱线增强事件的研究

通过对子午扫描光度计以及欧洲斯瓦尔巴特群岛非相干散射雷达2004年1月22日的数据分析,发现非相干散射谱中出现的离子声波谱线增强发生在红色极光散射的区域内或附近,光学数据表明红色极光散射强度范围为4～32 kR,而在发生离子声波谱线的自然增强现象时红色极光散射强度水平高于15 kR.因此,极光粒子沉降与离子声波谱线增强具有一定的相关性.基于场向电流不稳定性模型,对发生离子声波谱线增强的雷达数据进行了分析,反演得到的场向电流量级达到了mAm-2量级.进一步采用修正的场向电流不稳定解释离子声波谱线时,由于场向热流的引入,反演得到的场向电流会变的更大.