存储型红外上转换材料的制备及性能研究

采用了碳还原法,制备了具有红外上转换功能的CaS:Eu,Sm样品。研究了灼烧时间对样品上转换发光强度的影响。样品的XRD表明,采用碳还原法制备的CaS:Eu,Sm样品为面心立方CaS结构;激发光谱显示样品可以用紫外和可见光来激发,具有可见光激发优势;样品的荧光光谱是峰值位于628nm的宽带谱和569nm的窄带谱。上转换发光位于624nm。     

高温固相反应法制备CaS:Eu2+,Sm3+光存储材料及其性能研究

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS：Eu^2 ，Sm^3 光存储材料，研究了工艺因素(灼烧温度和灼烧时间)对样品性能的影响。XRD图谱表明，样品在700℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明，在紫外光激发后，用980nm半导体激光照射样品，具有光激励发光现象。     

硫化物基荧光粉的表面包覆及性能研究

以硫化物为基质的荧光粉长期暴露于湿气中会缓慢发生化学反应从而降低发光特性、限制其应用。本文以正硅酸乙酯(TEOS)作为硅包膜剂,采用溶胶-凝胶法对CaS:Eu,Sm荧光粉进行表面包膜处理,获得了包覆氧化硅膜层的荧光粉。由于CaS:Eu,Sm发光粉体对酸或碱极其敏感,采用水解、包膜两步进行的工艺,先预制正硅酸乙酯的水解包膜液,再进行粉体表面包覆,并对水解工艺条件进行了讨论。对样品进行能谱分析,结果表明样品表面被包膜元素Si、O占据。包膜前、后样品浸水悬浮液的pH值曲线表明包膜后发光粉的耐水性得到较大改善,包膜后样品的上转换发光光谱峰形和峰值位置保持不变。     

Gd2SiO5:Eu3+红色荧光粉的制备与发光性能的研究

采用高温固相法合成了Gd2SiO5:Eu3+红色荧光粉。研究了灼烧温度、保温时间、助熔剂等因素对样品发光性能的影响。采用荧光分光光度计对样品的发光性能进行了分析。结果表明:当Eu3+的掺杂浓度为0.05mol,在1300℃保温4h的条件下合成的荧光粉具有较好的发光性能。在276nm激发下,荧光粉的发射峰位于610nm附近。     

1.5μm上转换发光材料工艺参数的正交优化实验

用高温固相法,以正交表设计的实验条件,制备出添加助熔剂的掺饵氟化钇钠钡样品。利用正交设计助手,以样品的红、绿发光总强度为分析指标,分析得到制备样品所需要的最佳实验参数为：灼烧时间1.5h、灼烧温度750℃、各组分配比为Er：Y：Ba：Na=10：5：15：70,助熔剂的质量百分比是15%,最后对得到的最佳样品作物相分析和形貌分析。     

溶胶-凝胶法制备CaSiO_3:Eu~(2+),Dy~(3+)蓄能发光材料及性能研究

以正硅酸乙酯、CaO、Eu2O3和Dy2O3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了硅酸盐蓄能发光材料CaSiO3:Eu2+,Dy3+,并利用X射线衍射、荧光光谱等分析手段研究了蓄能发光材料的晶格结构、光谱特性和影响材料发光性能的工艺因素。结果表明,灼烧温度对样品晶格结构及发光性能有重要影响。当温度低于1 300℃时,样品晶格结构发育不完善,温度高于1 400℃时,样品容易产生烧结现象。Eu2+作为发光中心,其浓度对样品发光性能有重要影响,当Eu2+掺杂的物质的量为0.005mol时,样品发光强度最大,此时,样品的发射光谱是一个峰值位于544nm的不对称宽带发射。     

环氧树脂模具材料配制与固化工艺的试验

为了获得力学性能和热性能均较佳的环氧树脂模具材料,采用4个因素3个水平的正交试验研究了固化剂用量、填料用量、固化温度和固化时间等工艺参数对环氧树脂模具材料抗压强度、抗弯强度、抗冲击强度和负荷变形温度的影响.试验结果表明:影响环氧树脂模具材料性能的因素依次为固化温度、填料用量、固化时间和固化剂用量.当环氧树脂、固化剂、填料三者用量的质量比为100∶85∶150,固化工艺为165 ℃×2 h,环氧树脂模具材料的性能最优.     

燃烧法制备SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料

以硝酸盐和尿素为基质,采用一次燃烧法在较低炉温(600～620℃)下合成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.通过对比实验,研究了原料的用量对产物合成及性能的影响.实验结果表明,在n(尿素):n(硝酸盐)=12∶1,硼酸摩尔分数为0.10%～0.12%,Eu2O3为0.2%,Dy2O3为0.4%时,制备的SrAl2O4: Eu2+,Dy3+具有好的余辉性能.     

LED红色荧光材料CaxSr1-x-1.5yMoO4:yEu3+的制备及荧光性能的研究

采用高温动态球磨固相法,利用Na2CO3、K2CO3和Li2CO3为助熔剂(一种或几种),制备了具有低维结构的红色LED荧光粉体CaxSr1-x-1.5yMoO4:yEu3+.研究了助熔剂用量和种类、基质材料中Ca2+的含量、合成的温度、反应时间及发光中心Eu3+浓度对荧光材料晶体结构和发光性能的影响.研究结果表明最佳工艺条件为:助熔剂0.24 Na2CO3-0.38K2CO3-0.38Li2CO3的较佳用量摩尔分数为6 mol%、Eu3+浓度8 mol%、Ca2+摩尔分数60 mol%、反应温度900 ℃和反应时间2 h.光谱测试结果表明,该荧光材料可被311 nm、395 nm和465 nm有效激发,发射峰在616 nm处.395 nm和465 nm与当前广泛应用的紫外和蓝光LED芯片的输出光波长相匹配.     

正交实验法耐高温树脂制备研究

以改性树脂所制漆膜的热失重率为评价标准,采用正交试验对E-44环氧改性有机硅树脂进行研究。研究发现,在苯基∶甲基为0.3∶1、有机硅预聚体∶E-44环氧树脂为1∶1、催化剂用量为1%、固化剂用量为10%的条件下制成的环氧改性有机硅树脂漆膜耐高温性能良好,热失重率仅为12.73%,漆膜的其他性能均符合国家标准。     

硫化钙在铕激活下发光性能的研究

采用固相反应法制备了CaS∶Eu粉末荧光发光材料 .通过共掺杂K 和Eu2 离子 ,产生了新的“空穴陷阱”机制 ,提高了这种荧光发光材料的发光强度和发光时间 .研究了激活剂浓度与荧光性质的关系 ,即随着激活剂铕含量的增加 ,荧光发光材料的颜色逐渐加深 ,但发光强度随着激活剂铕含量的增加而逐渐减弱 .还得出了最佳烧结时间为 :1到 1 5h .并用SPEXFluoroMAX2荧光光谱仪测定了荧光材料的发射光谱 ,给出了发光材料在 2 5 0nm激发的发射谱 .同时对光致发光材料的发光原理进行了阐述     

YAG:Ce~(3+)荧光粉的制备工艺及发光性能研究

采用高温固相法制备了YAG:Ce~(3+)荧光粉,通过XRD、SEM和荧光光谱等对样品进行了分析。系统地研究了不同种类助熔剂、烧结温度、时间对YAG:Ce~(3+)荧光粉结构、形貌及发光性能的影响。通过调节助熔剂、烧结温度和时间等工艺参数,在不经过破碎、后处理工艺的条件下,制备出了形貌规则、粒度分布均匀、发光性能优良的YAG:Ce~(3+)荧光粉。研究发现在1600℃,保温5个小时,以BaF_2作为助熔剂的条件下,样品的形貌及发光性能均达到最好。     

Eu^3＋掺杂TiO2发光薄膜制备及其发光性能

为了寻找实用、廉价、性能良好的TiO2∶Eu3＋发光薄膜,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2∶Eu3＋纳米发光薄膜.通过原子力显微镜与PL、PLE对样品薄膜的表面形貌和发光光谱进行了表征.研究结果表明：800℃退火的样品薄膜表面起伏不平,无开裂,且颗粒大小比较均匀,表面起伏度约为32nm,用540nm激发光源对800℃退火的TiO2∶Eu3＋发光薄膜进行激发时,样品显示出强红光发射,对应于Eu3＋的5 D0→7F2超灵敏跃迁;且荧光强度随着烧结温度的升高先增强再减弱,800℃时达到最大值,表明存在最佳的热处理温度.     

掺铕稀土磷酸钙红色荧光粉的制备及其电荷补偿

采用高温固相法在1 200℃下制备了Ca3(PO4)2∶Eu3+红色荧光粉,并通过X射线衍射分析和荧光光谱分析表征,考察荧光粉的物相、发光性质以及激活剂Eu3+的最佳掺杂浓度,研究结果发现Eu3+取代Ca2+占据八面体中心格位,由于离子半径差异,产生大量晶格缺陷,影响其发光性能.为了进一步提高其发光强度,在荧光粉中引入了电荷补偿剂Na+.通过研究Na+浓度对荧光粉发光性质的影响,发现电荷补偿后荧光粉的发射强度是电荷补偿前发射强度的2.9倍左右,得到荧光粉最佳化学组成为Ca2.3Na0.4(PO4)2∶0.3Eu3+.根据缺陷的生成和反应原理,并结合晶体场环境的中心对称性变化,提出电荷补偿的微观机制主要包括缺陷反应以消除晶格畸变和降低晶格中心对称性以增强红光发射.     

Eu3＋掺杂的SiO2-NaF-YAG系氟氧化物玻璃的荧光性能研究

采用传统工艺方法制备以YAG：Eu3和Eu2 O3两种方式掺杂Eu3＋的系列SiO2-NaF-YAG系氟氧化物玻璃.研究Eu3＋离子浓度对玻璃发光强度的影响;采用XRD、红外光谱和荧光光谱研究Eu3＋离子掺杂的玻璃的结构和发光性能.XRD谱表明样品为非晶态玻璃;红外光谱的研究结果表明：玻璃是以硅氧四面体网络结构为主;发射光谱研究结果表明：发射峰来自于Eu3＋的5D0→7F0、5 D0→7F1和5D0→F2跃迁,614 nm处的特征发射峰最强.YAG∶Eu3＋形式掺杂的玻璃的发光性能较好,且Eu3＋周围的晶格场环境具有较高的对称性.在掺杂浓度0.15％ ～1.0％范围内没有发生浓度淬灭现象.     

橙红色荧光粉Mg2-x SnO4:Eu3+x发光性能的研究

采用高温固相法合成Mg2-xSnO4∶Eu3+x系列橙红色发光粉.用X射线衍射分析测定Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉的晶体结构,用F-4600荧光分光光度计测定其激发光谱和发射光谱.结果表明:Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉属于正交晶系,在250～370 nm是一个很宽的激发峰,它属于O-Eu的电荷迁移带和Eu3+的f-f高能级跃迁吸收.发射光谱由588 nm、595 nm、598 nm、617 nm4个主要发射峰组成,它们分别属于Eu3+的5D0-7F1(588 nm,595 nm,598 nm)和5D0-7F2(617 nm)跃迁,以5D0-7F1跃迁为主.具体研究激活剂Eu3+的掺杂量对Mg2-xSnO4∶Eu3+x发光粉发光性能的影响.结果表明Eu3+的最佳掺杂浓度为7%.     

耐电解质增稠剂的合成研究

为制备耐电解质性能比较好的增稠剂,以丙烯酸和自制丙烯类单体ZXDW为原料,Span-80为乳化剂,过硫酸铵-亚硫酸氢钠为引发剂,N,N-亚甲基双丙烯酰胺（NMBA）为交联剂,采用反相乳液共聚合成制备了耐电解质增稠剂,并对其进行了五因素四水平正交实验。实验表明：单体中和度对产品的增稠能力影响较大,其次为单体配比,引发剂用量,交联剂用量,水相单体浓度;单体配比对产品的耐电解质性能影响较大,其次为单体中和度,水相单体浓度,交联剂用量,引发剂用量。根据实验结果得出合成增稠剂较佳工艺条件：单体中和度75%（对单体总物质的量）,水相单体浓度40%,单体配比（n（ZXDW）∶n（AA））2∶8,交联剂用量0.1%（对单体总质量）,引发剂用量0.1%（对单体总质量）。     

掺杂对纳米晶Y2O3:Eu3+发光性质影响的研究

在尿素作沉淀剂的条件下,采用均相沉淀法制备出掺杂不同金属离子(K ,Mg2 ,Ba2 )的Y2O3:Eu3 发光材料。通过XRD、IR、激发与发射等技术研究了材料的结构与发光性能,并考察了掺杂不同金属离子对Y2O3:Eu3 发光材料的结构和发光性能的影响。结果表明,用此方法制备的Y2O3:Eu3 发光材料的发光性能良好,同时掺杂金属离子K ,Mg2 ,Ba2 都能对Y2O3:Eu3 的发光性能有极大的影响。     

固相法制备Ca_2La_8Si_6O_(26):Eu红色荧光粉

采用高温固相法制备新型Ca2La8Si6O26:Eu红色荧光粉,通过使用X射线衍射、相对亮度仪以及荧光光谱仪对制备的样品进行测试。结果表明:合成的荧光粉主晶相为Ca2La8Si6O26,并且可被394nm的近紫外光和464nm的蓝光有效激发,产生红光发射,主发射峰位置位于614nm(5 D0→7F2)。通过合成制度的研究,确定Ca2(La0.7Eu0.3)8Si6O26红色发光粉的最佳煅烧合成温度为1 400℃,Ca2(La1-xEux)8Si6O26中Eu3+的最佳制备浓度x=0.3。采用4.5%(摩尔分数)Li2CO3作为助熔剂,或添加0.05的Bi 3+离子作为敏化剂,可有效提高1 400℃煅烧的Ca2La8Si6O26:Eu的发光性能。并且还通过改变基质阳离子进行改性,发现阳离子为Ca2+时,发光性能最好。     

LED用荧光粉CaxMg9-x（SiO4）4Cl2∶Eu^2＋发光性质的研究

采用高温固相法合成氯硅酸镁钙荧光粉CaxMg9-x（SiO4）4Cl2∶0.08 Eu2＋.首先借助X射线衍射对发光粉体晶格结构进行分析.分析结果表明：该荧光粉体具有面心立方晶系结构,钙镁配比的改变对晶体的结构没有产生较大影响.其次研究其荧光光谱和发光特性,研究结果表明：CaxMg9-x（SiO4）4Cl2∶0.08Eu2＋荧光粉的激发光谱均为宽带激发,激发带位置范围为260-460nm,发射光谱发射峰的位置位于505 nm,归属于Eu2＋产生的d-f跃迁发射.同时讨论不同钙镁离子配比对荧光粉发光性能的影响,当Ca/Mg离子配比为6~7.5时,荧光粉的发光强度有较大幅度的提高.