低价格,低功耗仪用放大器AD620的特性及应用实例

本文介绍了新型仪用放大器ＡＤ６２０的特性和典型应用实例，该器件工作稳定可靠，精度高，价格低廉，在性能／价格比上有相当的优势。     

纳电子器件

随着电子器件的小型化，器件的尺寸已经到了介观尺寸，传统的器件日益接近其物理机理的禁区，一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点，介绍了几种典型的纳电子器件，并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件，量子点元胞自动机的工作机理和各自所体现的介观效应。     

硅光电探测器

本文以典型器件为例,较详细地介绍了Si-PIN光电二极管和Si雪崩光电二极管,讨论了器件理论和器件结构、制作工艺等一些实际问题。介绍了典型器件参数。     

数字控制的传感器信号调理器

详细介绍了传感器信号调理器件MAX1458的特点、校正、补偿和数字控制线，并给出该器件的典型应用电路。     

MOSFET的热载流子效应及其表征技术

介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等，并对器件退化的表征技术进行了概述。     

硅低温双极晶体管的数值模拟

本文讨论了有关低温双极器件模拟物理的数的低温模型和各种低温物理效应，确立了适用于低温双极器件模拟的数值分析方法，建立了适用于７７－３００Ｋ温度范围内硅双极器件模拟程序，最后模拟分析了一典型结构晶体管的常温和低温时的工作特性。     

电位器整定的定时器专用电路QA640896/QA640892B

QA640896和QA640892B是台湾宏太科技研制的定时器专用IC。利用它可以组成精确的守时控制电路，而且设计简单，调试方便。文中介绍了该器件的主要特点，参数，功能和控制方法，给出了这两种器件的典型应用电路。     

通用高速复数乘法累加器（GA3806）的设计

本文讨论了通用高速复数乘法累加器（ＧＡ３８０６）的功能、特点以及器件设计的基本过程，最后给出了器件的典型应用。     

用于计算应用的占位面积优化功率器件

对于电源设计人员来说，功率密度（A／sqmm）是器件选择的一个重要指标。功率级双FET系列已经针对功率密度而优化，用于典型的同步降压调节器负载。本文将详细分析功率级系列器件如何达到此性能，并讨论典型的同步降压计算负载规范，即针对典型的同步降压调节器计算负载需求，对功率级系列器件进行优化。这些应用将具有大范围的电流水平且可以是单相或者多相。     

制冷器在光电器件中应用的发展概况

文中简述了光电器件常用的几咱制冷器的主要特点，介绍了美、英、法、以色列和日本等国的典型系列产品，简要了国产制冷器，揭示了国内外产品的差距，根据我国光电器件对制冷器的需求概况，对我国制冷器的今后发展做一些的展望。     

微细加工技术在有机电致发光器件中的应用

有机电致发光器件是近年来出现的一种新型显示技术。为了实现高分辨率及改善器件的发光性能，多种传统的及新兴的微细加工技术已被应用到该技术中，而且针对该技术还发展了阴极隔离柱等新技术。总结了应用于有机电致发光器件的几种典型微细加工技术，并介绍了它们各自的特点及其在发光器件中的具体应用。     

电致发光（EL）及应用

介绍电致发光器件的发展和应用；列举了发光器件的典型结构形式；对粉型无机电致发光器件的特性参数作了详细阐述；讨论了器件应用中的驱动电源问题。     

阵列波导光栅光插／分复用器

光插／分复用器(OADM)是密集波分复用(DWDM)网络中的重要器件。阵列波导光栅OADM是一种新型器件，有诸多优点，并已受到关注。本文介绍了阵列波导光栅OADM的典型器件及构形，在光通信中将有重要的应用前景。     

2μm高速双极工艺的研究

本文报导了２μｍ高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能，对基础工艺的改进和完善作了试验，如减少外延自掺杂及缺陷；改善ＥＣ漏电；降低发射极串联电阻等。并列出了典型的工艺参数及器件参数。用本工艺得到环振门延迟为２５０～５００ｐｓ，有的可达２００ｐｓ。     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５～４．５ｋＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

光子晶体发光二极管

发光二极管（LED）具有非常广泛的用途，光子晶体（PC）是一种新概念和新材料，采用PC的LED则大大提高了光输出效率，是一种很有发展前途的LED器件，已成为目前国内外研究的热点。本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件。     

风扇遥控器HT12C和风扇控制器HT6337的特性及应用

ＨＴ１２Ｃ／Ｈ５６３３７是ＨＯＬＴＥＫ公司生产的配套使用风扇遥控／控制器，该器件外围电路简单，控制功能多。本文就两个器件的性能，技术参数及管脚功能定义等方面作了详细介绍，并说明了它们的典型应用和工作原理。     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５－４．５ＫＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

微处理器监控器件MAX706及其应用

本文详细介绍了微处理器监控器件MAX706的性能、特点和工作原理，并给出该器件的典型应用电路。     

加强管壳检验工作,提高SAW器件的键合可靠性

现在，SAW器件的键合可靠性已成为影响器件性能的主要指挥之一。器件键合失效主要表现为温度试验后管壳上的键合点脱落，而引起失效的原因与工艺过程和键合所涉及的材料有关。该文介绍了采用正交试验的方法，通过大量的对比试验，从键合工艺和管壳质量两个方面入手，找到了导致器件大量失效的原因，并采取了相应的处理措施，从而提高了键合质量和产品的可靠性。