低烧基板的流延料浆配制及流延工艺研究

陶瓷材料的成膜技术是制造低温共烧多层陶瓷基板的关键技术之一，本文介绍了低温共烧（８００－９００℃），低介电常数（ε〈５）多层陶瓷基板中，流延料浆的配制及最佳流延工艺参数的研究。     

MCM多层共烧陶瓷基板技术的研究进展

本文介绍了MCM中的高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷基板技术,以及共烧陶瓷基板技术的研究进展情况。讨论了多层共烧陶瓷基板的关键工艺,比较了HTCC和LTCC的工艺。并对多层共烧陶瓷基板的发展进行了展望。     

LTCC基板制造工艺研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是制造复杂微电子产品多芯片组件（ＭＣＭ）的重要部件。详细地讨论了ＬＴＣＣ基板制造工艺，介绍了多年研究之经验及国外的有关技术，还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。采用目前工艺，可做出２０层布线、线宽及间距均为０．２０ｍｍ、８０ｍｍ×８０ｍｍ的多层共烧基板     

应用于MCM-C/D的减薄抛光工艺

混合型多芯片组件(MCM-C/D)研制技术具有共烧陶瓷技术高密度多层互连集成和薄膜电路高精度和高可靠性等优点,是目前先进实用的混合集成技术.共烧多层基板的总厚度差(TTV)和表面粗糙度是影响共烧多层基板在多芯片组件(MCM)中应用的关键因素.选取低温共烧陶瓷基板,研究了减薄抛光工艺对基板的作用机理,结合实际加工要求选择...     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

MCM用低介电常数多层陶瓷基板的研究

本文通过对制造低介电常数低温共烧多层陶瓷基板的低烧结温度，低价电常数的陶瓷材料进行的详细研究，着重讨论了影响介电常数的因素，制备出的多层陶瓷基板主要性能已接国外同类产品的性能。     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

低温共烧多层陶瓷基板实用化技术研究

在第五代电子组装技术中,低温共烧陶瓷多层基板(LTCC)由于具有高密度布线、高信号传输速度、低损耗和高可靠性,在国内外受到极大重视。自八十年代以来,日、美很多公司做了大量研究工作,开发出这种高技术电路基板,并试制出多芯片组件(MCM),在先进的航天、航空电子设备和复杂的通信机、计算机中得到应用。目前,我国已基本形成一条低温共烧多层陶瓷基板研制线。本文根据电子部43所的研究成果和现有工艺装备,介绍低温共烧多层陶瓷基板的应用情况。     

LTCC基板制造及控制技术

低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件.本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制.     

MCM技术和LTCC基板的制作

文章首先指出，高密度组装技术和超大规模集成电路芯片制造技术的结合，必将成为军用电子技术的发展主流，MCM（多芯片组件）技术已成为世界各国军用电子技术的发展重点之一；然后简述了MCM的一般概念；最后对MCM－C（陶瓷型多芯片组件）的特点、LTCC（低温共烧多层陶瓷）基板制造的工艺流程和设备作了比较详细的介绍。     

基于高温共烧陶瓷基板的三维互连技术

基于高温共烧陶瓷技术的多层基板是实现组件小型化、轻量化、高可靠的有效手段。文中研究了基于HTCC技术的多层基板三维立体互连结构,包括基板内垂直转换及基板间立体互连。通过仿真优化设计,实测结果表明,文中所设计的多种结构能够有效地应用于组件三维互连中。     

LTCC专用烧结炉的研制

随着低温共烧陶瓷（Low Temperature Co—fired Ceramic,LTCC）多层基板为适应电子器件向着小型化、高密度、多功能的发展,从而对低温共烧工艺设备的也提出了更为严格的要求。针对目前低温共烧工艺设备的主要特点介绍了低温共烧陶瓷技术中新型烧结炉的研制方案及技术难点。     

薄膜金属化低温共烧陶瓷基板的阻碍层对共晶焊的影响

讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响。试验结果表明,Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层,且Ti / Ni / Au也是一种较理想的低温共烧陶瓷基板薄膜金属化结构。     

氮化铝共烧基板表面焊盘的研究

本文研究了在AlN多层布线共烧基板中，采用Ni作为添加剂的表面焊盘浆料体系中SiO2含量对共烧基板烧结性能的影响。结果表明SiO2的质量分数在0．3％时，AlN多层布线共烧基板的焊接强度达到42MPa，基板的翘曲度小于50μm／50mm。     

我国LTCC多层基板制造技术标准现状及需求研究

介绍了我国LTCC（低温共烧陶瓷）技术的应用情况,以及国内外LTCC多层基板制造的设计、工艺、材料、设备、组装、检测等技术标准的现状,论述了LTCC制造业与技术标准的关系,分析了我国LTCC制造业对相关技术标准的需求。     

电子元件、组件

TN60 2003030760片式多层电容电阻复合元件的研制/周少荣,陈世忠,陈锦清介电子元件与材料.一2002,21(6)一6一7,19采用低温共烧陶瓷(LT CC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和颇率特性.结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值.图6表1参6(刚)TM53 2003030766电化学电容器最新研究进展1.双电层电容器/杨红生.周啸,冯天富,汤孝平(清华大学)11电子元件与材料一2 003,22(2).一13-16,1…     

远程运维技术在共烧陶瓷基板制造设备中的应用

针对共烧陶瓷器件技术的发展趋势,阐述了远程运维技术在共烧陶瓷基板制造工艺中的应用优点及其技术可行性;重点从远程运维系统设计、数据采集设计方案、运行效果等方面论述了远程运维在基板制造关键工艺设备生瓷片打孔机、生瓷片印刷机中的应用,采用这种方式实现了不同地域设备的状态监控、关键部件监控分析等功能.     

基于LTCC微波多层基板的双面微组装技术研究

传统的微波组件通常在低温共烧陶瓷(LTCC)微波多层基板上单面组装裸芯片和片式元器件,组装密度难以进一步提高.文中采用了LTCC微波多层基板双面微组装技术以提高组装密度,重点研究了高精度芯片贴装技术和芯片金丝键合技术,实现了LTCC微波多层基板双面高精度芯片贴装和金丝键合,大大提高了微波组件组装密度.实验结果表明:裸芯片的双面贴装精度均达到了±20 μm;双面金丝键合强度(破坏性拉力)均大于5 g,满足国军标要求.