3．3V、ZIF调谐器

MAX2117是零IF（ZIF）调谐器，可用于UHF波段MMDS应用。器件接收470～1000MHz范围的QPSK信号，并将信号下变频至基带用于解调，兼容大多数DVB-S解调器。8dB（典型值）的低噪声系数，优于25dB（典型值）的邻信道功率比（ACPR），这些使该器件理想用于MMDS应用。     

具备低静态电流的16V运算放大器

MCP6H01和MCP6H02（MCP6H01／2）具有12MHzN增益带宽积和从3．5～16V的电源电压。这两款器件还具有135μA（典型值）的低静态电流、3．5mV（最大值）的输入失调电压、100dB（典型值）的共模抑制比（CMRR），以及102dB（典型值）的电源抑制比（PSRR）。     

MCP3903高精度6通道模拟前端

Microchip旗下独立的适用于三相电能计量的高精度6通道模拟前端（AFE）MCP3903包括6个16/24位∑-△模数转换器（ADC）,提供了较好的精度,同时具有89dB（典型值）的信噪比和失真度（SINAD）,以及-99dB（典型值）的总谐波失真（TH D）。其他集成特性还包括可编程增益放大器（PGA）、低漂移电压参考和相位延迟补偿,     

面向无线宽带应用的LDMOS射频功率晶体管

这两款LDMOS射频功率晶体管主要面向无线宽带应用,例如在2．5～2．7GHz频段上运行的WiMAX应用。在WiMAX信号条件下,提供16W平均输出功率时,PTFA260851E／F 85W可实现14dB增益（典型值）和22％效率（典型值）。在WiMAX信号条件下,提供32W平均输出功率时,PTFA261 702E 170W可实现15dB增益（典型值）和20％效率（典型值）。     

Microchip推出具备低静态电流（135μA）的16V运算放大器

Microchip（美国微芯科技公司）宣布推出MCP6H01和MCP6H02（MCP6H01/2）通用运算放大器（运放）。两款器件具有12MHz的增益带宽积和从3.5V～16V的电源电压。这两款器件还具有135μA（典型值）的低静态电流、35mV（最大值）的输入失调电压、100dB（典型值）的共模抑制比（CMRR）．以及102dB（典型值）的电源抑制比（PSRR）。     

MAX3986：4通道线性均衡器

Maxim推出用于铜缆互联应用的1Gbps至10．3Gbps、4通道线性均衡器MAX3986。该器件为高性能、独立式均衡器,具有极佳的端口匹配（典型回波损耗为24dB）和通道间隔离（33dB,典型值）。每通道能够补偿20英寸FR4电缆的损耗,数据速率达10．3Gbps。此外,MAX3986是独立式均衡器,能够用于扩展通常集成在串行器,解串器（SerDes）和ASIC中的限幅均衡器和判决反馈均衡器（DFE）的范围。     

0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器

基于GaAs增强型pHEMT工艺,设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz～18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路,通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。在片测试结果表明,放大器在+5 V工作电压下,工作电流60 mA,在0.1 GHz～18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB,输出P1 dB（1 dB压缩点输出功率）典型值12 dBm,噪声系数典型值2.5 dB。放大器的芯片尺寸为2.4 mm×1.0 mm×0.07 mm。     

高线性度双通道下变频混频器

LTC559x系列由4个高动态范围、双通道下变频混频器组成的,涵盖600MHZ～4．5GHz无线基础设施频率范围。LTC5559x双通道混频器系列具有超过26dBm的IIP3（输入3阶截取）、低于10dB的低噪声指数和8．5dB的高转换增益,从而可为MIMO（多输入、     

用于IEEE802．11b／g WLAN直接下变频接收机的射频前端设计

介绍了一种应用于IEEE802．11b／g无线局域网接收机射频前端的设计。基于直接下变频的系统架构。接收机集成了低噪声放大器、I／Q下变频器、去直流偏移滤波器、基带放大器和信道选择滤波器。电路采用TSMC0．18μm CMOS工艺设计,工作在2．4GHz ISM（工业、科学和医疗）频段,实现的低噪声放大器噪声系数为0．84dB,增益为16dB,S11低于-15dB,功耗为13mW;I／Q下变频器电压增益为2dB,输入1dB压缩点为-1 dBm,噪声系数为13dB,功耗低于10mw。整个接收机射频前端仿真得到的噪声系数为3．5dB,IIP3为-8dBm,IP2大于30dBm,电压增益为31dB,功耗为32mW。     

动态信息

典型工作电压VDD＝２．２V，RL＝２．２kΩ，C＝２．２μF，VIN＝１８mV（p－p）名称范围或典型值单位电源电压２～５V电源电流１８６μA信噪比（A计权）６０dB输出电压噪声（A计权）－８９dBV总谐波失真０．０９％电压增益１５．６dB温度范围－４０～＋８５℃封装尺寸（microSMD）０．９３×１．０×０．５mm表１LMV１０１２电路主要特性及参数典型工作电压VDD＝１．７V名称范围或典型值单位电源电压１．７～５V电源电流３８μA信噪比５８dB输出电压噪声（A计权）－９７dBV电压增益６dB电源抑制比８８dB输入电容２pF输入阻…     

电源

Maxim推出电池开关MAXI4525 Maxim公司推出具有4个使能输入的电池开关MAX14525,用于在便携式设备中断开锂离子电池与负载的连接。该器件具有35mΩ（典型值）的低RON和0．8μA（典型值）的超低静态电源电流。MAX14525集成了所有必需的元件,如比较器、逻辑电路和MOSFET等,与其4路独立的控制输入配合,     

基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片

研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14～18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB（±0.2 dB）,噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。     

6～18GHz宽带正交混频器

介绍了一种6～18GHz小型化正交混频器。该正交混频器在所要求的频率范围内达到以下性能指标：变频损耗优于10dB,典型值8dB;镜像抑制度优于18dB,典型值25dB;LO到RF、RF到IF的隔离优于25dB,LO到IF的隔离优于20dB,典型值均为30dB。同时,测试结果表明该混频器具有良好的可靠性和一致性。     

基于DP-DPMZM的双通道微波光子下变频方案

为了实现多通道的微波光子下变频,提高变频链路性能,提出一种使用单个集成调制器实现的微波光子下变频方案,该方案利用偏振复用特性实现双通道下变频功能。仿真与实验结果表明:当子调制器设置在最小传输点时,可实现载波抑制双边带调制,光载波抑制比达到29 dB;双通道分别独立地将射频信号下变频转换为中频信号,杂散抑制比达30 dB左右,2个通道的无杂散动态范围(SFDR)分别达到110.4 dB·Hz^2/3、113.4 dB·Hz^2/3。     

双输入麦克风阵列放大器

LMV1088芯片是一款双输入麦克风阵列放大器,采用36焊球的小型microSMDxt封装,大小为3．5mmx3．5mm。其供电电流为1mA;若输入频率为1kHz,电源抑制比（PSRR）达到85dB,信噪比（SNR）达到60dB（典型值）,而总谐波失真及噪声（以A加权的THD＋N）不超过1％。     

双输入麦克风阵列放大器

LMV1088芯片是一款双输入麦克风阵列放大器,采用36焊球的小型micro SMDxt封装,大小为3．5mm×3．5mm。其供电电流为1mA;若输入频率为1kHz,电源抑制比（PSRR）达到85dB,信噪比（SNR）达到60dB（典型值）,而总谐波失真及噪声（以A加权的THD＋N）不超过1％。     

新一代电能计量模拟前端问世为三相智能电表和多负载功率监控提供更高精度

全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商-Microchip Technology Inc．（美国微芯科技公司）宣布推出具备业界精度领先的新一代电能计量模拟前端（AFE）产品。全新的MCP3913和MCP3914分别集成了6和8个24位△-∑模数转换器（ADC）．具备94．5dB的SINAD、-106．5dB的THD和112dB的SFDR，适用于高精度信号采集和更高性能的最终产品。     

ADL5360：高线性RF混频方案

ADI公司的ADL5360利用两个高线性度双平衡无源混频器内核与集成的RF和本振（LO）平衡电路实现了单端工作。ADL5360内置两个RF巴伦（Balun）,能够通过低端LO注入,在700MHz到1000MHz的RF输入频率范围内实现最佳的主混频器和分集混频器性能。平衡无源混频器提供良好的本振至射频泄漏（典型值优于-25dBm）,以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5360的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求苛刻的手机应用。高线性度IF缓冲放大器与无源混频器可提供9．5dB（典型值）的功率转换增益。     

基于三维集成技术的X波段下变频模块电路的研制

为满足新一代模块组件的小型化、低成本、高性能、快速构建的需求,基于三维集成技术研制出一款X波段下变频模块的系统级封装模块。本设计采用三维垂直互联技术和板级堆叠(POP)技术,实现8～12 GHz信号的两次下变频功能。模块内部集成放大器、滤波器、开关和数控衰减器等,通过电磁及热力学联合仿真确保了模块具备良好的电气性能和散热性能。测试结果表明,该模块接收增益大于55 dB,噪声系数小于6 dB,杂散抑制大于60 dBc,并可工作于+85°C的环境温度之中。     

SESD0201X1BN-0010—O98等8款：SESD保护器件

TE Connectivity推出一个系列SESD0201X1BN．0010-098等8款全新的单,多通道硅静电放电（SESD）保护器件,器件可提供电容（双向：典型值为0．10pF,单向：典型值为0．20pF）、ESD保护（20kV空气放电和接触放电）和小尺寸封装（多通道：较小的直通外形尺寸、厚度为O．31mm）。