高效白光LED

日本名城大学开发了高效白光LED。此高效白光LED是由紫光LED与白光荧光材料组合而成的，与原来由蓝光LED和白光荧光材料组成的白光LED相比，发光效率由70 lm／w提高到130 lm／w，     

基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展

作为发光可覆盖整个可见光波段的发光材料,Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点自上世纪90年代以来一直是构筑白光发光二极管（LED）的关键材料之一。本文主要介绍基于缺陷态发光、单源二色互补发光、三基色复合发光和光致发光等发光原理的半导体量子点的白光LED,并比较了不同类型器件的特点。凭借发光效率等主要性能参数的优势,基于GaN基蓝紫光与量子点荧光粉组合得到的白光LED将最有可能首先实现商业化应用。而在高清显示技术方面,结合微接触印刷技术的三基色复合白光LED具有潜在应用价值。最后简要介绍在提高白光LED发光效率方面的进展。     

显示技术用稀土有机和稀土无机荧光体研究新进展

主要描述了具有f-f和f-d电子跃迁两类稀土发光材料与它们电子组态相关的发光性能的区别，评述了稀土有机及无机发光材料体系在显示技术中研究的新进展。如在无机体系中，用FED的新型红色CaTiO3:Pr^3 及橙色SnO2:Eu^3 ，用有机体系中新的Eu^3 及Tb^3 配合物分别用于有机EL的红和绿色发光材料，以及含Eu^2 配合物的有机EL特性研究丰富了有机EL技术研究内容。用于白光LED的（Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce^3 很引人注目。     

稀土发光材料的发光机理及其应用

稀土是我国的重要战略资源,稀土发光材料在一些方面已得到普遍应用并在新能源和生物医学等方面具有重要的应用前景。该文给出了稀土离子发光材料的基本原理,介绍了含稀土离子发光材料在节能灯、白光半导体发光二极管显示(LED)用荧光粉、等离子显示(PDP)用荧光粉等领域的应用,对在上转换发光、生物荧光标记和下转换提升太阳能效率等方面的应用前景进行了总结和展望。     

无机钙钛矿白光LED及可见光通信研究进展（特邀）

在现代社会中,白光发光二极管（LED）在照明和显示背板等诸多领域都有着重要的基础性作用。为了获得具有优异性能的白光LED,首先需要获得满足白光LED发光需要的高性能的发光材料。而作为一类新兴的半导体材料,无机钙钛矿（CsPbX₃, X = Cl, Br, I）由于其具有的高发光量子产率、发光波长可调、色纯度高和稳定性好等优点,在发光应用特别是白光LED领域展现出了巨大的潜力。文中将首先分别从光致白光LED和电致白光LED两个方面出发,综述近期在基于无机钙钛矿的白光LED方面所取得的研究进展,随后分别介绍以上两个体系中改性后的无机钙钛矿发光材料与其他发光材料复合形成白光以及无机钙钛矿单组分白光的代表性成果。最后,对钙钛矿白光LED在可见光通信方面所取得的最新进展进行介绍,并且对白光LED以及可见光通信的研究发展趋势与挑战进行了总结和展望。     

氮(氧)化物荧光粉的合成与发光性能

为了制备高性能的白光LED,发光性能好的荧光粉是必不可少的。氮(氧)化物荧光粉有着发光效率高、可进行光谱剪裁、绿色环保、热稳定性好的优点,可以成为制备白光LED的主要的荧光粉材料。本文综述了近几年来在氮(氧)化物荧光粉的晶体结构特征、制备方法,发光性质及其在高亮度、高显色白光LED封装应用的最新进展,并指出该领域研究过程中存在的问题:(1)含有不同非金属成份的氮(氧)化物新基质很少,(2)关于计算荧光粉晶体场变化的理论研究很少,(3)目前单一基质白光发射荧光粉的发射普遍存在红色发射成分缺乏或不足、显色指数不高等问题。对该领域的发展趋势做出了展望,希望推动新型高效白光LED用发光材料的研究,继而提高白光LED研究应用水平。     

信息与动态

高效白光LED日本名城大学开发了高效白光LED。此高效白光LED是由紫光LED与白光荧光材料组合而成的,与原来由蓝光LED和白光荧光材料组成的白光LED相比,发光效率由70l m/W提高到130l m/W,已超过了荧光灯的发光效率。计划今年开始生产销售。261.62cm(103in)PDP松下电器产业公司开发了世界上最大的261.62cm(103in)PDP电视,其屏幕尺寸为2269.4mm×1276.6mm,像素数为207万个。其尺寸超过了去年SID会议上展出的三星电子259.08cm(102in)PDP高清晰度电视。预计今年11月开始产品正式投放市场。2006年LCD产业大公司对大尺寸LCD市场占有…     

开关型LED灯驱动器HV992X系列

近年来，白光LED的发光强度及发光效率有很大的提高，小功率φ5的白光LED在20mA电流时的发光强度可达6000-8000mcd，一些视角小的白光LED可达15000～18000mcd，发光效率一般为30～40lm/W，高的可达90lm/W以上。另外，还开发出大功率1-10W的白光LED。在这种条件下，给开发新型LED灯创造良好的机会，相应地开发出各种用于LED照明灯的驱动器。本文介绍Supertex公司生产的HV992X系列开关型LED照明灯驱动器IC。     

峰值波长和浓度对转光膜与白光LED发光性能的影响

本文以高折射率有机硅胶和无机Y3Al5O12:Ce3+发光材料为原料,采用加热固化的方法制备出有机/无机转光膜,系统的研究了发光材料的峰值波长和浓度对于转光膜和制备的白光LED光色性能的研究,并进行了机理分析。研究结果表明：不同峰值波长变量中,545nm对应白光LED最大的光通量,是由于其光谱与人眼明视觉曲线具有最大的重叠面积有关;不同浓度变量中,由于存在发光材料的吸收饱和现象,在9%浓度时白光LED最大的光通量,色温则与浓度变化呈现单向递减趋势,色坐标和光色均匀度则随着浓度的提高而提高,综合多种指标获得本研究中最佳工艺参数为峰值波长为545nm,浓度为9%,对应白光LED器件光通量为131.5lm,色温4551K,色坐标（0.3479,0.3758）,光色位置处于黑体辐射曲线的白光区,说明了转光膜在白光LED领域应用的可行性。     

电真空器件

0224538新型紫光放电管的研制[刊]/赵守珍//真空科学与技术学报.—2002,22(4).—290～292(L)新型紫光放电管是由 N_2气和 C_3组成的一个放电器件。本文叙述丁这种紫光放电管的制备、放电特性和辐射光谱特性并对 N_2在低于市电幅度条件下能够保持连续放电给出了较为明确的解释。参30224539白光照明 LED 灯温度特性的研究[刊]/金尚忠//发光学报.—2002,23(4).—399～402(E)     

COB封装全光谱LED光源及其光电特性

为了提高光源的显色指数,设计、制作一种COB封装的全光谱LED光源,通过在设计中增加峰值波长415nm的紫光LED芯片和发光峰值波长497nm、655nm的荧光粉,弥补了普通LED光源在紫光、蓝绿光和红光等光谱区间的能量分布不足。实验结果表明,发光效率达到103.34lm/W,全光谱LED光源显色指数高达99.38,接近日光100的显色指数,能够满足高质量照明领域对光源显色性的要求。     

Sr2SiO4:Eu2 荧光粉的发光性质及在白光二极管中的应用

用高温固相反应法制成了Sr2SiO4:xEu2 荧光粉.随着Eu2 掺杂浓度的增加,Sr2SiO4晶体结构从β相转换为α'相.Eu2 掺杂浓度小于等于0.5 mol%时,Sr2SiO4:Eu2 为β相,大于等于2 mol%时是α'相.β-Sr2SiO4:Eu2 的发光颜色为黄绿色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于470 nm,535 nm处.α'-Sr2SiO4:Eu2 发光颜色为黄色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于490 nm,570 nm处.这两个谱带具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上Eu2 的发射.用近紫外芯片和这两种荧光粉制成了白光二极管.正向驱动电流为20mA时,用β-Sr2SiO4:0.0035 E2 抖制成的白光LED色温为5562 K;色坐标为x=0.32,y=0.40;显色指数为61;流明效率为15.7 lm/W.用α'-Sr2SiO4:0.02 Eu2 制成的白光LED色温为4 707 K;色坐标为x=0.36,y=0.37;最色指数为73;流明效率为6.7 lm/W.     

美国研制出白光ZnO纳米线LED

美国波特兰大学研制出发射白光的ZnO纳米线发光 二极管(LED)。该大学研究人员在透明聚合物中埋置垂直 定向的ZnO纳米线获得了白光LED。 研究人员在水溶液中采用低温电子淀积技术,在掺氟 的SnO2涂层玻璃上制作了LED。在5 cm×5 cm衬底上     

白光LED用红色荧光粉Sr0.7Ca0.3－2xMoO4:Eux3+Nax+的制备及发光性能研究

采用高温固相法合成白光LED用红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4Eux3+Nax+,对样品分别进行X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱的测定,讨论了不同掺杂量下合成的荧光粉的发光性质。XRD图谱分析表明,在1 000℃下灼烧9h得到的样品为纯相的SrMoO4。研究结果表明,制备的Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4:Eux3+Nax+荧光粉可以被近紫外光(393nm)和蓝光(464nm)有效激发;发射光谱中,在波长在611nm和615nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于615nm左右,与Eu3+的5D0→7F2跃迁对应。进一步探讨Na+和Eu3+掺杂浓度对发光强度的影响,得出Sr0.7Ca0.3-2 x MoO4:Eux3+Nax+样品的发光强度比SrMoO4:Eu3+Na+增强,当掺杂量x=0.07时,Sr0.7Ca0.3-2 x MoO4:Eux3+Nax+样品在波长614nm处发光强度最强。最后测试计算样品在393nm紫外激发下的色坐标,当Eu3+和Na+的掺杂量x=0.02时,样品红色显示最强。研究结果表明,所合成的红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4:Eux3+Nax+新型红色荧光粉适合在白光LED中应用。     

一种红光增强型白光LED特性研究

为了使白光LED光谱中红光成分增强,以更适应人眼视觉,通过对YAG:Ce荧光粉掺杂的改进,引入Gd3+、Pr3+使白光LED光谱在610 nm处出现明显发射峰,并且荧光主峰发生红移。通过对LED的色坐标计算表明,用这种新型荧光粉封装的白光LED色坐标可以达到标准白点(0.33,0.33),理论上有可能符合"能源之星"的要求,用YAG:Ce封装的LED却不可能。     

松下公司GaN LED的突破

日本松下公司采用高质量GaN衬底制作了世界最高输出功率的白光LED。InGaN基LED生长在本征材料之上,制成LED的效率比一般在蓝宝石衬底上制作的LED要高一半以上。该LED的蓝光芯片发射波长是460nm,当用350mA的正向电流驱动时,总辐射通量是355mW,转换成外量子效率计算为38%。相比之     

白光LED专用驱动电路TB62734FMG

TB62734FMG是日本东芝（TOSHI—BA）公司最近推出的新型白光LED（发光二极管）专用驱动电路。它具有如下突出的优点：1、内有经优化的高效专用升压DC—DC．转换电路,专用于锂离子电池为电源的白光LED的发光驱动电路,可以驱动2-6个串联的白光LED。     

Ca3(PO4)2:RE3+ (RE=Eu,Dy,Ce,Tb) 荧光粉的制备及其发光特性

采用高温固相法合成了Ca3(PO4)2:RE3+(RE = Eu, Dy, Ce, Tb)系列发光材料,研究了其发光性质。研究表明Ca3(PO4)2: RE3+ 在紫外区域均能有效被激发,有很强的荧光发射,且发光范围覆盖蓝到红光波段,是一类可以紫外激发实现白光LED用的潜在荧光粉。在0.005到0.03 mol 浓度范围内,Eu,Dy和Ce掺杂的荧光粉的发光都发生了浓度淬灭,分别对应于0.025,0.025和0.02 mol,而Tb3+掺杂的样品的表现出高的发光淬灭浓度。     

超高亮度10W白光LED

<正> 随着半导体光电器件材料、结构设计、工艺及封装技术的发展,大功率白光 LED 的性能得到了快速发展。这不仅在单颗 LED的功率见长,并且在发光亮度、发光效率上及降低热阻上也有较大进展。本文介绍韩国首尔半导体公司推出的 Z-功率 LED 系列的 W724C0,它是一种超高亮度10W 冷白光 LED。它在2800mA 工作电流时,光通量为700lm(典型值)、900lm(最大值),发光效率可达70-90lm/W,这是目前发光亮度最大的10W     

显示器用上转换红色发光材料的特性研究

采用喷射微波燃烧合成法制备了上转换发光显示器中发红光的上转换发光材料Er,Yb:YF3.该材料在980nm的大功率激光二极管激发下的发光光谱存在660nm、545nm、525nm、409nm几处峰值.对它们的上转换机理作了详细的讨论分析,它们分别是Er3 的4F9/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2,2H11/2→4I15/2,2H9/2→4I15/2跃迁产生的,且660nm红光和545nm、525nm绿光的激发是双光子吸收过程,409nm紫光的激发是三光子过程.Er,Yb:YF3,在980nm激光激发下得到强度较强的上转换红光,且强度较弱的绿光和紫光易于用多层膜滤除,在上转换发光显示器中是一种较好的发红光的材料.